本研究研究了电沉积 FeNiOOH/Fe 2 O 3 /石墨烯纳米混合电极的光电化学行为,该电极具有精确控制的结构和成分。光电极组件采用生物启发的方式设计,其中每个组件都有各自的功能:Fe 2 O 3 负责吸收光,石墨烯框架负责适当的电荷载流子传输,而 FeNiOOH 覆盖层负责轻松的水氧化。通过线性扫描光伏安培法、入射光子到电荷载流子转换效率测量和长期光电解研究了每种成分对光电化学行为的影响。与原始 Fe 2 O 3 相比,性能最佳的 FeNiOOH/Fe 2 O 3 /石墨烯系统获得的光电流高出 2.6 倍。瞬态吸收光谱测量表明,Fe 2 O 3 /石墨烯样品的空穴寿命增加。然而,长期的光电解测量结合拉曼光谱证明,底层的纳米碳框架被光生空穴腐蚀。这个问题通过电沉积一层薄薄的 FeNiOOH 覆盖层来解决,该覆盖层可以快速接受来自 Fe 2 O 3 的光生空穴,从而消除导致石墨烯腐蚀的途径。
这项工作表明了通过将铁电batio 3(BTO)整合为底层,半导体MOO 3作为中间层和等离激元银纳米颗粒(Ag nps)作为顶层,将有效的三元异质结构光催化剂制造为底层,半导体MOO 3。Batio 3 /Moo 3 /ag(BMA)异质结构在紫外线batio 3 /ag(BA(BA)和MAO时,在UV -Visible Light Plintination下,若丹明B(RHB)染料的光降解和光催化效率为100%,在60分钟下显示为60分钟。BMA异质结构中的光催化活性增加归因于其增强的界面电场,这是由于BTO -MOO 3和MOO 3 -ag界面的电动双层形成。对BMA异质结构观察到的表面等离子体共振(SPR)峰的较高蓝光清楚地表明,在光照明下,电子向顶部AG NPS层的转移增加了。较高的电阻开关(RS)比,电压最小值的差异增加以及改善的光电流产生,从I – V特性中可以明显看出,这说明了BMA异质结构中增强的电荷载体的产生和分离。在BMA异质结构的Nyquist图中观察到的较小的弧形半径清楚地展示了其增加的界面电荷转移(CT)。还研究了BMA异质结构的CT机制和可重复使用性。
1001.4 气压(降低) 1011.1 浸没 1015.1 稳态初级光电流辐照程序(电子束) 1016 绝缘电阻 1017.1 中子辐照 1018.6 内部气体分析(IGA) 1019.6 稳态总剂量辐照程序 1020.5 静电放电敏感度(ESD)分类 1021.4 防潮性 1022.7 耐溶剂性 1026.5 稳态工作寿命 1027.3 稳态工作寿命(样品计划) 1031.5 高温寿命(非工作) 1032.2 高温(非工作)寿命(样品计划) 1033 反向电压泄漏稳定性 1036.3 间歇工作寿命 1037.3 间歇使用寿命(样本计划) 1038.5 老化(二极管、整流器和齐纳二极管) 1039.4 老化(晶体管) 1040 老化(晶闸管(可控整流器)) 1041.4 盐雾环境(腐蚀) 1042.4 功率 MOSFET 或绝缘栅双极晶体管(IGBT)的老化和寿命测试 1046.3 盐雾(腐蚀) 1048.1 阻塞寿命 1049 阻塞寿命(样本计划) 1051.9 温度循环(空气对空气) 1054.1 封装环境压力测试 1055.1 监控任务温度循环 1056.8 热冲击(液体对液体) 1057.1 抗玻璃破裂 1061.1 温度测量,外壳和螺柱 1066.1 露点 1071.16气密密封 1080.1 单粒子烧毁和单粒子栅极破裂 1081.1 介电耐压
1 eric.tervo@nrel.gov 我们提出了一种太阳能热能转换系统,该系统由太阳能吸收器、热辐射电池或负照明光电二极管和光伏电池组成。由于它是一个热机,因此该系统还可以与热存储配对,以提供可靠的发电。来自太阳能吸收器的热量驱动热辐射电池中的辐射复合电流,其发射光被光伏电池吸收以提供额外的光电流。基于详细平衡原理,我们计算出完全集中的阳光的极限太阳能转换效率为 85%,而一个太阳的极限转换效率为 45%,其中吸收器和单结电池的面积相等。理想和非理想太阳能热辐射光伏系统在低带隙和实际吸收器温度下的表现优于太阳能热光伏转换器。它们的性能增强源于对非辐射生成/复合的高耐受性以及将辐射热损失降至最低的能力。我们表明,与低光密度下的太阳能热光伏设备相比,具有所有主要损耗的实际设备可以实现高达 7.9%(绝对值)的太阳能转换效率提升。我们的结果表明,这些转换器可以作为低成本单轴跟踪系统的高效热机。关键词:太阳能、热存储、热辐射、热光伏
在过去的二十年中,巨大的努力一直致力于有机光伏(OPV),这导致了单个连接设备的20%功率转化效率(PCE)的破坏屏障。[1-7]最近,非富烯烯低带隙受体材料(NFA)在其热稳定性上受到了极大的关注,[8,9]广泛的吸收率范围,这会导致有效的太阳光子收获,从而导致高输出电流密度,从而降低了非辐射能量损失,从而降低了非辐射能量,从而提供了高度的能量,并提供了较高的能量水平[11,12]和[11,12]和[11,12]和[11,12]。[5,13,14]从设备的角度来看,增强NF-OPV的光电流和光电压是提高光伏性能的最直接策略。[1]此外,众所周知,供体和受体材料之间的分子方向在电荷转移动力学中起着至关重要的作用。[15]因此,NFA的各向异性结构(例如Y6和Y7)确保了有效的π–π相互作用,该相互作用与调谐相位分离的供体匹配。[16]结果,NF-OPV通过用可忽略的驾驶能量分离激子,证明了有效的能力,相对于使用的供体材料的能级,获得了高PCE。[17,18]因此,这些显着的优势,避免了电压损耗和电荷产生之间的权衡行为,[19]提供无障碍的自由电荷产生,抑制了电荷载体重组以及增强所得设备的电荷迁移率。[5,19,20]
金属光(金属光(金属)是高亮度电子束的重要来源,在大规模加速器和台式显微镜的运行中无处不在。当金属的表面通过光波长的顺序进行纳米工程设计时,它可能导致表面等离子体偏振仪波的激发和结合,这些波动层驱动非线性光发射。在这项工作中,我们旨在评估金等离激元纳米植物,作为通过非线性光发射为加速器生产明亮电子束的概念。我们首先将它们的光学特性与数值计算从第一个原理进行比较,以确保我们制造这些纳米级结构的能力。通过测量发射光电流,可以发现它们的非线性光发射产量,因为它们的驱动激光的强度各不相同。最后,使用螺线管扫描技术发现该电子源的平均横向能。我们的数据证明了这些阴极的能力,可以在光发射对以线性过程驱动的金属上的光发射效率方面提高十倍。我们发现,在大于2 GWCM -2的光敏性下,这些阴极具有稳健性,并且能够达到100 na的持续平均电流,而不会降解性能。发现生成的束的发射量是高度不对称的,我们可以通过涉及图案表面的不对称粗糙度的计算来解释这一事实。这些结果表明,使用纳米工程表面作为增强的光(增强光),为高平均电流电子束提供了强大的空气稳定来源,具有巨大的工业和科学应用潜力。
已知金属卤化物钙钛矿材料中的固有离子迁移可引起基于偏置应用时这些化合物的X和𝜸射线检测器中有害且高度不稳定的深色电流。深色电流随着时间的流逝而缓慢漂移被确定为满足工业需求的这些设备的主要缺点之一。因为暗电流建立可检测性极限,电流演化和最终生长可能会掩盖通过传入的X射线光子产生的光电流信号。检测器评估的相关信息是离子相关参数,例如离子浓度,离子迁移率和离子空间充电区,这些区域最终在检测器偏置的外部接触附近建立。使用单晶和微晶毫米 - 毫米 - 甲基铵铅溴化物,允许在μ离子≈10-7cm 2 v - 1 s-1 s-ion univers outiation in I In ion umiention in I I Onion In ion In I IM ion umigiation 之后,使用单晶和微晶毫米 - 甲基铵铅溴化物,然后使用单晶和微晶毫米 - 甲基铵铅溴化物进行。钙钛矿结晶度。之后,使用单晶和微晶毫米 - 甲基铵铅溴化物,然后使用单晶和微晶毫米 - 甲基铵铅溴化物进行。钙钛矿结晶度。。钙钛矿结晶度。
摘要:近年来,硅 (Si) 基肖特基结光电极在光电化学 (PEC) 水分解中引起了广泛关注。要实现高效的 Si 基肖特基结光电极,关键挑战是使光电极不仅具有较高的肖特基势垒高度 (SBH) 以得到高光电压,而且还要确保高效的电荷传输。在本文中,我们提出并展示了一种通过金属硅化结合掺杂剂偏析 (DS) 来制造高性能 NiSi/n-Si 肖特基结光阳极的策略。金属硅化产生的光阳极具有高质量的 NiSi/Si 界面而没有无序的 SiO 2 层,从而确保了高效的电荷传输,从而使光阳极获得了 33 mA cm − 2 的高饱和光电流密度。随后的 DS 通过在 NiSi/n-Si 界面引入电偶极子,使光阳极具有 0.94 eV 的高 SBH。结果,实现了 1.03 V vs RHE 的高光电压和有利的起始电位。此外,NiSi 的强碱性腐蚀抗性还使光阳极在 1 M KOH 中的 PEC 操作期间具有高稳定性。我们的工作提供了一种通用策略来制造金属-硅化物/Si 肖特基结光电极,以实现高性能 PEC 水分解。关键词:硅、金属硅化、掺杂剂偏析、光阳极、水分解■ 介绍
可以使用调幅激光在 MEMS 麦克风的输出端生成虚假但相干的声学信号。虽然这种漏洞会对信任这些麦克风的网络物理系统的安全性产生影响,但这种影响的物理解释仍然是个谜。如果不了解导致这种信号注入的物理现象,就很难设计出有效可靠的防御措施。在这项工作中,我们展示了热弹弯曲、热扩散和光电流产生机制在多大程度上被用于将信号注入 MEMS 麦克风。我们为每种机制都提供了模型,开发了一种程序来经验性地确定它们的相对贡献,并强调了对八种商用 MEMS 麦克风的影响。我们通过使用几种激光波长和一个真空室的精确设置来隔离每种机制来实现这一点。结果表明,麦克风上的注入信号取决于入射光的波长,其中长波长(例如 904 nm 红外激光)利用 ASIC 上的光电效应,而短波长(例如 450 nm 蓝色激光)利用振膜和周围空气上的光声效应。根据这一理解,我们为未来的抗激光麦克风设计提出了建议,包括改进球顶应用、减少 MEMS 结构内的材料不对称性,以及添加简单的光或温度传感器以进行注入检测。基于根本的因果关系,我们还指出了具有与 MEMS 麦克风相似特性的其他传感器中可能存在的漏洞,例如传统麦克风、超声波传感器和惯性传感器。
Study of Optoelectronic Properties and Density Functional Theory of Kesterite Cu 2 ZnSnS 4 Thin Film Grown by Facile Solution Growth Technique Nanasaheb P. Huse 1,* Harshal P. Borse, 2 Gourisankar Roymahapatra 3 and Ramphal Sharma 4 Abstract Facile solution growth technique was implemented to deposit nanostructured Cu 2 ZnSnS 4 (CZTS) Kesterite薄膜到玻璃基板上。AR级硫酸锌,硫酸铜,硫酸盐和硫酸盐用于制备前体溶液。种植的CZTS薄膜被表征为研究其结构,光学和电性能。CZTS薄膜的Kesterite结构已从X射线衍射模式中得到证实。计算出的晶格参数与标准报告的值非常吻合。光学性质显示kesterite czts膜在可见区域具有较高的吸收。从TAUC的图中获得带隙能量,该图被发现为〜1.7 eV,位于太阳光谱具有较高辐照度的范围内导致较高的光吸收。理论带结构是通过基于GGA近似的DFT计算获得的,GGA近似显示了直接带隙约为0.6 eV。i-V测量已在黑暗中进行,并在光线照明下进行,导致在黑暗和光照射下产生高光电流。计算了光敏性和光响应率,发现〜60%和70 µA/w,证明了其对太阳能电池的有希望的候选人资格。