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World File Search System其铜
地下铜项目的电池电动汽车试验
前瞻性陈述不能保证或预测未来绩效。前瞻性陈述涉及已知和未知的风险，不确定性和其他因素，其中许多因素超出了Rio Tinto的控制，这可能会导致实际结果与本演讲中表达的结果有实质性差异。在本演示文稿中不依赖任何前瞻性陈述，包括关于未来的投资决策。
金属价格周期，包括铜，铝和钴
从2003年起，中国金属需求的非常快速的增长导致了一种矿业公司不断追逐行动目标的情况。这种情况因中国建筑需求的强度和中国制造业的高金属强度而加剧了这种情况，至少在最初，这种情况很少关注金属储蓄技术。在15年中，铜和其他基准金属的价格在2008年的金融危机之后的2009年中保持异常高（2009年的中断），直到产量陷入困境，而中国人的增长放缓。图1图表在1960 - 2024年期间铜（实线）和铁矿石（断线）价格。
cu 1000，铜抗糊糊，284 g
：吸收惰性吸收材料。对于大溢出物，提供堤防或其他适当的包含，以防止材料扩散。如果可以泵送堤坝，则将回收的材料存储在适当的容器中。使用合适的吸收剂清理溢出中的剩余材料。本地法规可能适用于本材料的释放和处理，以及清理版本中所涉及的材料和物品。您将需要确定哪些法规适用。本SD的第13和15节提供了有关某些地方或国家要求的信息。
Aotearoa的急性铜和锌水质指南值
急性GVS取决于水的pH，硬度和DOC，因此作为一组方程提供（不同物种保护水平的不同方程式）。对于铜和锌，在较高浓度的DOC和硬度浓度下，GV较高。对于铜，GV在较高的pH下较高。相比之下，对于锌，GV在较高的pH下较低，尽管与
铜、铅和锌的城市来源 | 奥克兰市议会
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铜电子束熔炼工艺及几何完整性优化
本研究系统地分析和优化了纯铜电子束熔炼工艺。结果表明，为了可靠制造，应优化预热温度以避免孔隙率和部件变形。电子束应完全聚焦，以防止收缩空隙（与负散焦相关）和材料飞溅（与正散焦相关）。较低的网格间距（例如 100µm）可使表面更光滑，从而提高密度可靠性，而较高的网格间距可达到更长的悬垂。还采用了合适的起始轮廓策略来减轻边界孔隙率、降低侧面粗糙度并提高几何精度。© 2022 作者。由 Elsevier Ltd 代表 CIRP 出版。这是一篇根据 CC BY 许可开放获取的文章（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）
09,13薄锌薄膜的光谱与铜 div>
透明导电金属氧化物已成为研究的主题，这要归功于它们的独特物理特性以及潜在的微观和纳米电子设备和显示单元的应用。这些材料的基本实际应用是基于明显的特异性抗性和高可见的透射率。透明的金属氧化物尤其包括诸如碳锡氧化物，氧化锌，氧化镉等化合物。氧化锌半导体作为压电和光纤材料具有实用的应用潜力，可作为功能性气体传感器组件，表面声设备，透明电极和太阳能电池[1-4]。高光带隙值（〜3。3 eV在室温下）和激子结合能（约60 meV）允许将ZnO作为创建下一代紫外线光电设备和彩色显示单元的磷光器的材料。对于上面提到的许多应用，例如，通过合金来控制ZnO薄膜结构的物理参数的不稳定性是必不可少的。在这种情况下，铜合金添加剂更有效，因为铜是半导体中迅速扩散的杂质，它会导致结晶结构和物理性能的修改，例如，表面状态能量参数以及光学特性[5-7]。后者提供了有关光学主动故障的能量结构的其他信息，这具有很高的实际兴趣。这项研究的目的是研究未扎的ZnO铜掺杂（ZnO：Cu）薄膜的光光谱的行为。
导电铜铁矿 PtCoO2 的原子层沉积
电流[12–14]。此外，铜铁矿 PdCoO 2 和 PtCoO 2 被证明是导电性最强的氧化物。例如，Kushwaha 等人 [15] 在室温下测定了 PtCoO 2 的电阻率ρ低至 2.1 µΩ cm，这是迄今为止报道的氧化物的最低值。此外，在低温下，其电导率接近 Cu、Ag 和 Au 等金属的电导率。[15,16] 这些铜铁矿由二维 Pd 和 Pt 片组成，通过八面体配位的 CoO 2 连接。由于这种结构，它们的电导率具有强烈的各向异性，并且在 (ab) 平面内最高。此外，Kitamura 等人[17] 通过从头计算预测了 PtCoO 2 中存在较大的本征自旋霍尔效应，这使其成为一种有趣的材料，可用于制造铁磁赛道等自旋电子器件，在这些器件中，自旋霍尔效应可用于产生自旋电流。[18–22]
铜铟镓硒（CIGS）薄膜研究...
太阳能电池是一种光伏装置，它通过吸收半导体中的光生载流子，将太阳能直接转化为电流。太阳能电池主要涉及三个过程：吸收光子产生电荷载流子、分离载流子和收集载流子。半导体材料通常吸收能量大于其带隙的光子。被吸收的光子激发电子从吸收材料中的价带移动到导带，从而产生电子-空穴对。产生的电荷载流子对要么重新组合，要么分离然后收集。吸收的光子取决于吸收材料的厚度和吸收系数。太阳能电池的关键部分是pn结的形成，pn结由两种连接在一起的半导体材料组成，其中一种是n型掺杂的，另一种是p型掺杂的。在CIGS太阳能电池中，各种不同的半导体材料用于形成pn结，因此这种结构称为异质结。使用异质结可以为电池提供宽带隙窗口层，从而减少表面复合。价带和导带