摘要 在高温和大电流条件下测试了晶圆级芯片规模封装 (WLCSP) 组件。在焊料/凸块下金属化 (UBM) 界面处观察到电迁移损坏以及加速扩散和金属间化合物生长。最终电气故障通常是由于 UBM 附近的再分布线 (RDL) 中产生空隙而发生的。温度升高、电流密度增加和 RDL 走线宽度减小会导致故障率增加。Ni UBM 焊盘和 Cu 柱结构的性能均优于 Cu UBM 焊盘。根据实验数据和其他已发表数据开发了基于 Black 方程的故障模型。然后使用该模型根据代表性现场使用条件制定加速测试和鉴定测试的推荐指南。关键词:WLCSP、电迁移。引言由于 WLCSP 外形小巧,已成为便携式产品应用中使用的 RF 降压转换器、相机闪光灯驱动器、背光驱动器和模拟开关等设备的流行封装。这些器件需要通过 BGA 焊点传输高达 2A 或更高的电流。由于电迁移导致的现场故障是限制给定器件最大额定电流的一个潜在因素。倒装芯片和 WLCSP 焊点中的电迁移故障是由于高电流密度驱动的扩散和金属间化合物反应在高温下加速而发生的 [1-34]。这些影响会产生空洞,这些空洞会随着时间的推移而打开和增长。随着空洞尺寸的增加,通过焊点的电阻会增加,最终出现开路。在大多数电迁移研究中,使用电流密度和温度的测试矩阵来比较设计或材料变量。测试通常会持续到给定支路中至少一半的单元发生故障,以便数据可以拟合对数正态分布或威布尔分布。一个典型目标是确定故障预测模型的常数,例如 Black 方程 [27]。
垂直堆叠的三维集成电路 (3D IC) 中的芯片间电通信由芯片间微凸块实现。微凸块的电迁移可靠性对于了解基于 3D IC 的微电子系统的可靠性至关重要。本文报告了通过热压键合在两个芯片之间形成的 Cu-Sn-Cu 微凸块的电迁移可靠性的实验研究。双芯片 3D IC 组装在线键合陶瓷封装中,并在不同温度下的空气和氮气环境中进行电迁移测试。测量了微连接链和开尔文结构的故障寿命和平均故障时间 (MTTF)。结果表明,Cu-Sn 微连接的本征活化能介于 0.87 eV 和 1.02 eV 之间。基于故障分析,提出了可能的故障机制。这项研究的结果有望提高人们对 3D IC 中电迁移可靠性的根本理解,并促进基于 3D IC 的稳健可靠的微电子系统的开发。2014 Elsevier BV 保留所有权利。
摘要 — 激光超声检测是一种新颖的、非接触的、非破坏性的技术,用于评估微电子封装中焊料互连的质量。在该技术中,通过比较已知良好参考样本和被测样本的平面外位移信号(该信号由超声波传播产生)来识别焊料互连中的缺陷或故障。实验室规模的双光纤阵列激光超声检测系统已成功证明可以识别先进微电子封装(如芯片级封装、塑料球栅阵列封装和倒装芯片球栅阵列封装)中焊料互连中的缺陷和故障。然而,任何计量系统的成功都依赖于精确的数据,以便在微电子行业中发挥作用。本文使用量具重复性和再现性分析证明了双光纤阵列激光超声检测系统的测量能力。工业倒装芯片球栅阵列封装已用于使用激光超声检测系统进行实验,检测数据用于进行重复性和再现性分析。量具重复性和再现性研究也已用于选择已知的良好参考样品来与受试样品进行比较。
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纤维化系统与癌症进展之间的相关性已被广泛认可(1-3)。该机制的中心因素包括尿激酶纤溶酶原激活剂(UPA),UPA受体(UPAR)和UPA抑制剂,纤溶酶原激活剂抑制剂1(PAI-1)。鉴于与肿瘤UPA表达增加的证据与降低的总生存率和随之而来的PAI-1对UPA的抑制作用相关的证据,假设PAI-1对pai-1具有抗肿瘤特性,这些特性延迟了癌症的进展(4,5)。矛盾的是,已经发现高水平的PAI-1与各种癌症的预后不良相关。这被称为“ PAI-1悖论”(6-8)。在各种肿瘤中PAI-1的过表达是临床结果不佳和对治疗反应不佳的有力预测指标(9,10)。的确,PAI-1是一种多功能蛋白,可调节纤维化以及细胞增殖,迁移和凋亡(11-13)。此外,在肿瘤微环境中由各种细胞类型产生后,包括肿瘤细胞,脂肪细胞,巨噬细胞,菌丝,培根细胞,平滑肌细胞和内皮细胞(10),PAI-1,PAI-1在肿瘤发生中扮演自身分泌和旁骨作用(14)。虽然足够的数据表明PAI-1与癌症之间存在联系,但其对癌症进展的精确影响仍在争论中。程序性细胞死亡配体1(PD-L1)与其受体,程序性细胞死亡蛋白1(PD-1)结合,并抑制T淋巴细胞增殖,细胞因子产生和细胞溶解活性,抑制免疫反应(15,16)。尽管这种机制有助于抵消自身免疫性疾病发病机理,但它也阻碍了免疫细胞消除肿瘤细胞的能力(17、18)。与主要在免疫细胞上表达的PD-1不同,PD-L1在肿瘤细胞和周围细胞上表达,包括肿瘤相关的巨噬细胞(TAM)和癌症 - 相关的纤维细胞(CAFS)(CAFS)(19,20)。因此,PD-L1在逃避肿瘤免疫反应中起着重要作用,几种转录因子调节其转录激活(21)。JAK/STAT途径涉及与PD-L1启动子结合并调节PD-L1表达的关键转录因子(18,22)。尽管大量数据支持PAI-1参与癌症进展,但PAI-1是否有助于肿瘤免疫
摘要凸理论是数学的一个完善的(尽管不是主流)分支,在各种环境中的应用包括“连续”和离散的结构[14]。这种多功能性部分是因为在集合上的凸度定义类似于拓扑结构。特别是,集合x上的凸度是其子集的任何集合C,满足三个简单的公理:∅,x∈C; C在任意交集下关闭; C在嵌套工会下关闭。C的元素称为凸集。在集合x上建立凸度的一种方法是从间隔运算符开始,这是从x×x到x(此类映射也称为二进制超操作)的映射I(x,y∈I(x,x,y)和i(x,x,y)= i(y,y)= i(y,x)= i(y,x)= i(y,x)= i(y,x)= i(y,x)。我们将i(x,y)解释为“在”给定x,y∈X的所有元素的集合。随后,我自然会通过声明A集a⊂x凸面来诱导x上的凸度,但如果i(x,y)⊂a a for All x,y∈A。The most well-known examples of convexities arising this way are convexities induced by metric intervals [ x, y ] d = { z ∈ X : d ( x, z ) + d ( z, y ) = d ( x, y ) } in metric spaces and linear intervals [ x, y ] l = { αx + (1 − α ) y : α ∈ [0 , 1] } in normed spaces.实际上,固定集X上的所有凸与X上的所有间隔运算符之间都有GALOIS连接(请参阅命题2.2.1)。图理论,由于顶点对之间的多种路径,自然定义了几个间隔操作器(诱导相应的凸度)。本文结构如下。最短的路径,诱导路径,局部最短路径,无弦路径和其他路径家族产生的间隔操作员如下。如果p是图G中的路径集合,其中g中的每对顶点均与p的至少一个元素连接在一起,然后将i p(x,y)= {z∈V(g)放置在p上的某个路径上,从p连接x,y}。在本文中,我们关注由Interval Operator I P引起的全路径凸度,其中P是给定图中所有(简单)路径的集合。最初,[9]中考虑了这种特殊的凸度,并且[8]中建立了与该凸度有关的经典问题的算法方法。我们还指工作[3],其中相应的间隔运算符以抽象的方式表征。在第2节中,我们概述了所有在工作中将使用的所有基本定义和初步结果。特别是,第2.1节涵盖了图理论的基础,第2.2节介绍了凸空间,间隔运算符和图形中的全路径的所有必要背景。在第3节中,我们提出了我们的主要结果。首先,我们在第3.1节中给出了全路径凸集的新表征。也就是说,定理3.1.1提供的理论标准比[8]中的理论标准更多,该标准可以轻松地用于获取所有PATH凸集集的所有已知重要属性。此外,定理3.1.1允许我们获得块图(定理3.1.2)的新表征,并在第3.2节中计算All-Path covexity(定理3.2.1)的一般位置号。All-Path的标准
记录的版本:此预印本的一个版本于2024年10月5日在自然通讯上发布。请参阅https://doi.org/10.1038/s41467-024-52960-9。
图 1:a) 印刷电路板 (PCB) 中带有 BGA 连接的表面贴装设备 (SMD) 的图示,b) 扫描电子显微镜 (SEM) 图像显示带有 SAC305 的 BGA 的细节以及使用焊膏安装到组件和 PCB 上的 PCSB 的图示,c) 直径为 750 µ m 的聚苯乙烯芯焊球 (PCSB),d) PCSB 结构的示意图。
电话:914-945-3070(SETNA 为 603-548-7870)电子邮件:kwlee@us.ibm.com(SETNA 为 eschulte@set-na.com)摘要锡合金被广泛用作电子互连的焊料。锡焊料表面往往有锡氧化物,需要将其去除以提高互连回流工艺(如倒装芯片连接)的产量。传统上,使用强助焊剂去除这些氧化物,但此工艺的缺点是会留下助焊剂残留物,这可能导致底部填充分层或需要高成本的清洁工艺。随着焊料凸块体积和凸块间间距的减小,这些问题在制造过程中变得更加难以处理。我们建议使用大气等离子体来减少凸块表面的这些氧化物,以便使用非常轻的助焊剂,甚至根本不使用助焊剂。此工艺具有等离子表面处理的优点,而没有真空等离子工艺的成本和产量损失。这种工艺可以提高产量和产量,同时降低成本。我们描述了一个实验,其中锡箔用还原化学大气等离子体工艺处理,然后用X射线光电子能谱 (XPS) 和俄歇电子能谱 (AES) 进行分析。AES 深度剖面分析表明,等离子体显著降低了氧化锡的厚度。没有证据表明任何蚀刻底层元素锡。这些结果表明,氧化锡被还原为金属锡,而底层锡金属没有被蚀刻。在另一个使用带有 SnAg 焊料的半导体芯片的类似实验中,XPS 结果表明氧化锡再次被还原为金属锡。在倒装芯片连接中,使用这种大气等离子体处理的芯片的连接工艺实现了高互连产量,即使在质量差且氧化过度的焊球的情况下也是如此。据我们了解,以前没有报道过在环境中用大气等离子体对氧化锡进行纯化学还原。关键词无铅焊料倒装芯片连接、氧化锡还原、大气等离子体和半导体互连
瑞萨电子的四方扁平无引线 (QFN) 封装系列产品是一种相对较新的封装概念,目前正在快速发展。该封装系列包括通用版本 QFN,以及 TQFN、UTQFN 和 XQFN 等较薄版本。该系列的引线间距为 0.4 毫米及以上。四方扁平无引线的一个子集是双面类型(4 个侧面中只有 2 个有引线),其中包括 DFN、TDFN、UTDFN 和 XDFN 等版本。在本文档中,术语 QFN 代表所有系列选项。该系列具有多种优势,包括降低引线电感、小尺寸近芯片级封装、薄型和轻重量。它还使用周边 I/O 焊盘来简化 PCB 走线布线,而裸露的铜芯片焊盘技术可提供良好的热性能和电气性能。这些特性使 QFN 成为许多新应用的理想选择,这些应用对尺寸、重量以及热性能和电气性能都很重要。