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World File Search System剪裁
纸摇滚剪裁：探索玩家策略的动态
这项研究有助于理解对抗性重复相互作用中动态决策行为的理解。使用众所周知的竞争游戏，在两人实验中，我们在许多试验中成对地收集了重复游戏的数据。我们设计了一个payo矩阵，使我们能够从随机行为中分解最佳（NASH）行为。我们的分析表明，参与者与NASH或随机不一致。我们也没有找到文献中建议的环状行为的证据。有趣的是，人类行为是非常异构的。虽然有些球员遵循常见的“赢 /失速”启发式，但许多其他玩家也遵循“换档 /输掉式停车”启发式启发式。< / div>我们总结了我们的结论，以研究对抗情况下的行为动态。
光诱导的近场耦合Terahertz的动态剪裁...
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通过表面碳化学剪裁超薄钴的磁各向异性
操纵磁各向异性的能力对于磁传感和存储工具至关重要。表面碳物种是金属氧化物和高贵金属上限层的成本效益替代品，从而在超薄铁磁性磁性纤维中诱导垂直磁各向异性。在这里，在碳一氧化碳（CO），分散的碳和石墨烯的吸附后修饰了几层厚的CO薄膜中的磁性的不同机制。使用化学和磁灵敏度使用X射线显微镜，在表面碳的积累期间，监测了面向面向非平面自旋的重新定向转变，直至形成石墨烯。互补的磁光测量结果显示，在CO上分散的碳在室温下显示出弱垂直磁各向异性（PMA），而石墨烯覆盖的钴表现出显着的平面外胁迫型。密度功能理论（DFT）计算表明，从CO/CO到C/CO再到石墨烯/CO，磁晶和磁静脉各向异性的组合促进了平面外磁化。各向异性能量弱依赖于碳化物物种覆盖率。相反，碳化学状态从碳化物到石墨的演变伴随着由磁各向异性能量控制的特征域大小的指数增加。除了对碳 - 铁磁铁界面提供基本了解之外，本研究还提出了一种可持续的方法，可在超薄铁磁性磁铁中调整磁各向异性。
储能系统的高压超级电容器的进步：实施材料和电解质剪裁
在高峰时段可再生能源产生的残余能量已成为重要的话题。对于ESS，使用各种储能设备，包括可充电电池，氧化还原电池，燃料电池和超级电容器。2 - 4通常，对于短到中期的电力供应，电池和电容器被认为是有利的能量存储设备，而超级电容器（SCS，也称为电化学电容器）被认为是为了提高稳定的电力和电池的频率调节用途，以供电，以供应稳定的电力，以供电，以供电稳定供电。5超级电容器是一种有利的能源存储设备，可用于快速功率恢复目的，这是由于有利的功能，例如快速充电/放电特性，上功率密度，半永久性循环寿命，低保持成本，快速响应特征 - 速度 - 静态和高稳定性。然而，基于商用电气双层电容器（EDLC）超级电容器表现出低能密度和中等的工作电压窗口，这导致大量细胞串联连接起来，以实现所需的能量并满足能量需求，最终增加了基于超级能力的ESS的生产成本。6
通过飞秒激光微加工引起的折射率剪裁的差异模式均衡
模式分割的多路复用技术与几种模式ERBIUM掺杂纤维放大器（FM-EDFA）相结合，显示出解决标准单模光纤（SSMF）传输系统的容量限制的重要潜力。但是，在FM-EDFA中产生的差异模式增益（DMG）从根本上限制了其传输能力和长度。在此，提出了使用飞秒激光微加工来调整折射率（RI）的创新DMG均衡策略。可变模式依赖性衰减可以根据FM-EDFA的DMG曲线来实现，从而实现DMG均衡。为了验证提出的策略，研究了常用FM-EDFA配置的DMG均衡。模拟结果表明，通过优化飞秒激光尾区域的长度和RI调节深度，在3个线性偏振（LP）模式组中，最大DMG（DMG MAX）在10 dB中降低了10 dB，而平均DMG（dmg ave）的平均dmg（dmg ave）。最后，实验证明了一个2-LP模式DMG均衡器，导致DMG最大最大从2.09 dB减少到0.46 dB，并且在C频带上将DMG AVE从1.64 dB降低到0.26 db，仅插入插入率为1.8 db。此外，使用5.4 dB实现了最大可变DMG均衡范围，满足了最常用的2-LP模式扩增方案的要求。
利用分子剪裁方法快速精准构建大分子CCSD(T)级势能面
MP2 CCSD（T）几何形状E FC EMTAδEFC EMTAΔCIS-248.06688 -248.06625 -0.00063 -248.13930 -248.13875 TS1 -NMA -248.04284 -248.04218 -0.00066 -248.11685 -248.11630.11630.00054 TS2 -NNMA -248.037553 -248.03695.0 .00043 -248.14116 -248.14081 -0.00035 N2 -248.05584（1.5）（1.5）
石墨烯中的掺杂型过渡金属原子用于电子的原子尺度剪裁，
图2将Ni原子插入石墨烯晶格。a-b）HAADF-STEM图像显示了两个不同的宏伟概述的样品概述，显示了石墨烯表面形成的3-5 nm ni岛。在Ni岛之间还观察到单个Ni原子。c）石墨烯表面上的ni岛，经Ni L 23鳗鱼核心损失边缘证实。d- e）说明了梁拖动技术，其中电子束位于源材料上（d中的红色箭头的尾巴）），并拖动到原始的石墨烯（d中的红色箭头头））。此过程在ni原子附加到的石墨烯中创建点缺陷时，吐出了Ni源原子。iNSET在e）中显示了带有原子模型覆盖的主HAADF-STEM图像的傅立叶过滤版本，显示了Ni原子的位置。Ni原子位置表示单个和DI-VACACES的职业。f）几分钟的电子束暴露后，掺杂剂的较高分辨率图像。观察到的结构的原子模型被覆盖。g）-i）通过在Ni岛和原始石墨烯上扫描电子束来插入Ni原子的一个例子。最初，石墨烯的斑块没有掺杂剂；由于产生缺陷并将Ni原子从相邻的Ni岛散射到石墨烯上，Ni原子附着在缺陷位点上并掺入晶格中。随着越来越多的C原子从晶格中敲打，孔开始形成，Ni原子装饰边缘，i）。图像E-F）和H-I）使用PyCroscopicy中的原理分析过滤。60，61
