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World File Search System功率耗散
SINT THERMOPAD BROCHURE.pdf
WTVA是EMC的宽带温度可变衰减器。该产品提供了从直流到20 GHz的线性良好转移，从-55˚C到 +125°C。EMC Technology的Thermopads®是微波吸收性衰减器，可提供随温度变化的功率耗散。它们用于纠正放大器和其他活性组件的增益变化，这些分量往往会在温度上获得异常。WB2样式使用厚实的膜金线粘合端子。SMTF样式是符合ROHS的表面安装配置。WTVA是EMC Thermopad的首选版本，用于卫星通信，宽带EW应用以及高频和宽带放大器。
高功率电子设备的冷却技术 - 激光应用
由于电子零件预期的功率耗散和功率密集，以满足未来的太空任务应用，因此将需要进行热控制硬件和技术的进步，以保持任务温度和可靠性。这样的应用程序正在冷却与空间激光器相关的电子产品。激光冷却要求可以通过单相热传输到面向空间的散热器的情况下满足，并可能包含相变材料。未来的激光冷却要求将需要更高级的硬件，例如微通道，喷雾冷却和喷气撞击。本报告描述了与当前和未来激光冷却需求相关的热控制硬件，并提供了满足未来激光冷却目标的建议。
AEi 系统产品手册
电源设计人员的强大解决方案 • 启用您的 PSpice 电源仿真 • 热门部件：UC184x、UC152x、LT124x、UC182x、TL431、IR2110、UC3854、UCC3895、UC1846 • TI、Intersil、ON Semiconductor、Linear Technology、National Semiconductor、IR、Micrel、Vishay • PWM 控制器、开关稳压器、PFC、LDO、Magnetics、光耦合器、Mosfet 驱动器 • 执行逐周期仿真以显示真正的大信号性能 • 分析大信号效应：启动瞬态、功率级应力、阶跃负载响应 • 计算组件应力并测试过度功率耗散 • 准确且经过基准数据验证 • 附带应用示例和完整的符号集
研究文章有效地设计了QCA全贴纸，低功耗
对高性能和能量计算系统的连续市场需求已将计算范式和技术转向纳米级量子量子点蜂窝自动机（QCA）。在本文中，已经提出了新型的能量和有效的基于QCA的加法器/减法器设计。首先，设计了一个基于QCA的3输入XOR门，然后实现了完整的加法器和完整的减法器。通过QCAPRO估计器工具在开尔文温度t 2上通过不同类型的能量（C 0.5 EK，C 1.0 EK和C 1.5 EK）测试了所提出的设计的功耗。qcadesigner 2.0.03软件用于评估所提出设计的仿真结果。在细胞数，区域和功率耗散方面，提出的设计比常规设计具有更好的复杂性。
StormR：一个用于量化和绘制热带风暴和气旋风特征的 R 包
StormR 是一个 R 包，可轻松从提供的数据库中提取风暴轨迹数据，并生成根据风暴轨迹数据和参数气旋模型重建的地面风场（速度和方向）。然后，StormR 允许我们计算三个汇总统计数据（最大持续风速、功率耗散指数以及在气旋生命周期内达到给定翼速的风的暴露时间）并绘制结果。我们建议使用 IBTrACS（国际气候管理最佳轨迹档案）数据库作为输入（ Knapp 等人，2010 年、2018 年）。该数据库提供了自 1841 年以来具有 3 小时时间分辨率的相当全面的热带风暴和气旋记录。但是，只要提供必填字段，就可以使用任何风暴轨迹数据。
低功率高速CMOS电流比较器在0.18 µm和0.13 µm技术中，Sunil N. limbachiya 1，priyesh.gandhi 2 1-pg_student，s_nil14@ya
Low Power High Speed CMOS current Comparator in 0.18 µ m and 0.13 µ m Technology Sunil N. Limbachiya 1 , Priyesh.Gandhi 2 1-PG_Student, s_nil14@yahoo.com,LCIT-Bhandu, Gujarat (INDIA) 2-Assistant Professor, priyesh.gandhi@lcit.org,LCIT- Bhandu,古吉拉特邦（印度）摘要 - 本文以低功率和高速性能显示了CMOS当前比较器设计。使用电流镜设计设计的CMOS电流比较器。该电路在180nm和130nm CMOS工艺技术中进行模拟。模拟结果显示，比较器电路在180nm技术中具有412PS延迟，而130nm技术的370PS延迟。还可以进行比较器设计的工作，而低功率耗散。关键字：当前比较器，当前镜像，功率耗散，延迟，导师图形，Eldo Spice I简介
CMOS 的局限性和绝热/可逆 CMOS 的前景
传统 CMOS 逻辑的能效正在快速接近实际极限，而这最终源于基本的物理考虑。根据 IRDS 路线图，到 2030 年左右，最小典型逻辑信号能量预计将降至最低，约为 0.2 fJ (1.25 keV)。这将加剧可实现的设备密度（随着行业转向 3D VLSI 技术，该技术可以在一个制造过程中集成多个“层”有源设备，设备密度将继续增加）与芯片封装内功率耗散密度保持可控的需求之间的矛盾。实际上，这些限制将导致实际芯片设计中潜在可用的设备数量资源越来越未得到充分利用，加剧了目前已经存在的“暗硅”问题。
SO1 NMOSFET 自热的测量和建模
摘要-测量并建模了 SO1 nMOSFET 中的自热现象。在静态工作条件下，SO1 器件的温升超过 100 K。测量的温升与分析模型的预测非常吻合，并且是硅厚度、埋层氧化物厚度和通道金属接触分离的函数。在动态电路条件下，通道温度远低于根据静态功率耗散预测的温度。这项工作为从静态器件特性数据（温度变化很大）中提取动态操作（在恒定温度下）的器件建模参数奠定了基础。自热不会大大降低 SO1 电路的电迁移可靠性，但可能会影响 SO1 器件的设计，例如，对于特定应用和缩放几何形状，需要更薄的埋层氧化物层。
模拟和数字电路
1. 数字系统基础：布尔代数、数字系统中使用的数字系统和代码、逻辑门及其特性、真值表。2. 组合电路的分析与综合：简化技术、无关项、卡诺图。大规模电路的实现。静态和动态风险。3. 数字集成电路：数字 IC 系列：TTL、CMOS、基本逻辑门结构（TTL、CMOS、NMOS、PMOS、传输门逻辑、线与逻辑）、输入和输出 VI 特性；传输特性、开关阈值、噪声容限、逻辑门的功率耗散、传播延迟、上升时间、下降时间。时序电路：触发器的典型结构、操作、设计和应用。同步时序电路的设计和分析；状态和状态变量：寄存器、计数器和存储器单元（ROM、RAM、Flash、可编程逻辑阵列、FPGA）的结构。异步电路的设计、状态机、流表、稳定和非稳定状态。
确定 SOT23 在应用中可耗散多少功率的方法
热动力学与电路理论之间存在类比，以方便电气工程师计算热阻。图 1 显示了 TO-220 型封装的热动力学类比。器件结点处的功率耗散是能量源。在此示例中，定义了三个温度。实际上，温度可能更多。定义的三个温度为：T A = 环境温度、T C = 外壳温度和 T J = 结温。功率类似于电流源，温差类似于电压降，环境温度定义为地面或 0 伏，热阻类似于电阻。在此模型中，电容器 C jc（结点到外壳）和 C ca（外壳到环境）可用于模拟系统的动态热阻抗。随着电流（电源）的增加，电压（温度 -