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适用于低功耗应用的堆叠介电三材料圆柱形栅极 (SD-TM-CGAA) 无结 MOSFET 的亚阈值电流建模
堆叠电介质三材料圆柱栅极全包围 (SD-TM-CGAA) 无结 MOSFET 已被用于低功耗应用。本文介绍了堆叠电介质三材料圆柱栅极全包围 (SD-TM-CGAA) 无结 MOSFET 的亚阈值电流分析模型。分析结果与 TMSG MOSFET 进行了比较，获得了良好的一致性。该器件的亚阈值电流非常低，可以考虑实现 CMOS 反相器。设计了一个 PMOS 晶体管，并将 PMOS 晶体管的驱动电流与 NMOS 器件进行调谐，以获得驱动电流的理想匹配。设计了一个 CMOS 反相器。检查了器件的瞬态和直流行为。计算了 CMOS 反相器的功耗，并将其与 CMOS DMG-SOI JLT 反相器进行了比较。与 CMOS DMG-SOI JLT 反相器相比，所提出的器件的功耗降低了 5 倍。这表现出功率耗散的显著改善，这对于制造低功耗的未来一代设备非常有用。
使用CMOS逆变器和差分对放大器作为延迟元素的环振荡器配置的比较分析
摘要 - 环振荡器是集成电路的必要块，充当数字时钟生成器。该振荡器有几种进度技术。然而，最适当的环振荡器的拓扑选择需要对电气特征进行权衡的分析。本文介绍了两个拓扑之间的比较研究，以实施环振荡器。每个拓扑都使用特定的延迟单元格：CMOS逆变器或差分对放大器。目标输出频率为10.44 MHz，振荡器以130 nm的技术实现。拓扑是根据功率耗散，硅面积和制造过程变化的比较。电气模拟表明，逆变器环振荡器具有较小的功耗和较小的硅面积。在另一侧，差分放大器振荡器对过程变化的敏感性较小。这些结果可以帮助指导设计师确定适合集成电路设计中系统要求的最佳拓扑。索引项 - 逆变器，差分对，环振荡器，人体动作过程变化。
LTC7132 - ADI 公司
注 1：超过绝对最大额定值所列的应力可能会导致器件永久性损坏。长时间暴露在任何绝对最大额定值条件下都可能影响器件的可靠性和寿命。 注 2：LTC7132 在脉冲负载条件下进行测试，即 T J ≈ T A 。LTC7132E 保证满足 0°C 至 85°C 范围内的性能规格。–40°C 至 125°C 工作结温范围内的规格通过设计、特性和与统计过程控制的相关性来保证。LTC7132I 在整个 –40°C 至 125°C 工作结温范围内均有保证。T J 根据以下公式根据环境温度 T A 和功率耗散 P D 计算得出：T J = T A + (P D • θ JA ) 符合这些规格的最大环境温度由特定工作条件与电路板布局、额定封装热阻和其他环境因素共同决定。注 3：流入器件引脚的所有电流均为正；流出器件引脚的所有电流均为负。除非另有说明，否则所有电压均以地为基准
高介电常数和低介电损耗的聚酰亚胺/皇冠醚复合膜，用于高信号传递
高频信号传输，低介电常数（D K）和低介电损耗因子（D F）的替代品以取代传统的二氧化硅材料。4 - 6聚酰亚胺（PI）通常被评为合适的候选者，因为其低分子极化性以及出色的热，机械和化学耐药性特征，并且在电信和微电子工业中表现出了理想的前景。7当前，低二型聚合物材料的结构和组成设计主要集中于结构修饰，改进材料制造过程和复合修饰。常规PI的固有介电常数位于约3.5中，但是，通常需要较低的值以最大程度地减少超大尺度集成电路，高频通信天线基板和毫米波雷达的层间介电信号传输的功率耗散和延迟。8 - 11通过减少主链上酰亚胺基团之间的极化，已经研究了许多方法来减少介电常数和PI的介电损失。12 PI聚合物的分子结构在其介电特性中起主要作用。固有偶极矩和
一个新颖的常数GM轨道轨道轨输入阶段用于操作...
摘要在本文中介绍了CMOS操作放大器的新型常数G轨道轨道输入阶段。输入阶段主要由PMOS晶体管差异和nmos晶体管差为差异对，并平行地放置为轨道到轨道差异输入阶段，并且两个差异对的尾电流分别由PMOS和NMOS普通型Voltimode Voltigage Voltecor控制。操作放大器的输入阶段的G M可以是输入共同模式电压内的恒定值。模拟结果表明，当电源电压分别为1.8 V和3.3 V时，整个输入范围（0〜1.8 V或0〜3.3 V）的G M变化在±1之内。38％和±3。38％。功率耗散为36.9 µW，51.74 µ W. SMIC 55 nm CMOS工艺和Cadence Specter Simulator用于布局和模拟这项工作。关键字：轨道轨道，常数G M，操作放大器，共同模式范围，低压分类：集成电路（内存，逻辑，模拟，RF，传感器）
低功率翻转电压追随者电流镜具有改进的输入输出阻抗
摘要。高性能子伏电流镜被广泛用于构建混合模式低功率VLSI系统。电流镜的性能取决于其关键参数，其中包括较大的操作范围，低输入合规性电压，宽秋千，大带宽以及非常低的输入和非常高的输出电阻。在本文中，显示了高性能低功率电流镜的设计。所提出的电流镜基于电压跟随器，使电流镜在低压下工作。为改善输入输出电阻，提出的电流镜由超级晶体管和超级cascode阶段使用。在微电瓦范围内的功率耗散时，直到1mA达到了最小误差的当前镜像。所达到的带宽为2.1 GHz，低输入和高输出电阻分别为0.407 ohm和50 giga ohm。在本文中还显示了过程角，温度分析和提议的电流镜的噪声分析。使用0.18 UM技术的HSPICE以0.5 V的双电源电压进行完整分析。
使用FinFet的设计和FPGA实现环振荡器
摘要本文提出了一种新的技术，可以在芬费环振荡器的低功率耗散方面提高性能。5阶段环振荡器在FinFET技术的概念下设计。FinFET比普通CMOS技术提供更好的性能。FinFET（Fin Type Field效应晶体管）技术的呈现已在纳米创新中打开了新部分。超薄鳍的布置使抑制的短通道效应可替代单门MOSFET，凭借其出色的静电性能和可比性的可比性易于制造性。降低了亚微米区域的短通道效应并使晶体管仍然可扩展。由于这个原因，与大多数对应物相比，小长度晶体管可以具有更好的内在增益。仿真结果表明，使用FinFET技术对具有0.135MWATT功率和CMOS环振荡器的功率耗散的环振荡器提供0.232 MWATT。i为10.632mA，而FinFet环振荡器可提供0.381mA。关键字：FinFET技术，环振荡器，CMOS技术
使用绝热逻辑的多路复用器的设计和模拟
6 Assoc.Professor，ECE部，Seshadri Rao Gudlavalleru工程学院，Gudlavalleru -521356，A.P.，印度A.P.，A.P.，India Abstract多路复用器（或MUX）是一个数字电路，它选择了几个模拟或数字输入信号之一，并将选定的输入转发到单个线条中。多路复用器也称为数据选择器。以不同方式实施的多路复用器。绝热逻辑由于热力学过程而消散了较少的能量损失，在这种过程中没有能量交换。绝热逻辑与切换活动的概念一起工作，该概念通过将存储的能量恢复到供应中来降低功率。这些电路是使用可逆逻辑来节省能量的低功率电路。在这三个多路复用器中，使用CMOS逻辑和两种绝热逻辑方法（即有效的电荷恢复逻辑（ECRL）和时钟绝热逻辑（CAL）实现。这些电路是设计，模拟和合成的。结果表明，与ECRL和CMOS逻辑相比，CAL设计消耗的功率更少。引入现代数字系统中功耗的重要性已大大增加。由于电池提供的有限电源，这些设备中涉及的电路必须设计为减少功率。还需要昂贵的噪音冷却机械，电池和电源保护电路。多路复用器是数字设计中必不可少的组成部分。收到二进制信息在数据密集型设计中广泛使用。因此，最小化多路复用器的功率耗散是低功率设计的主要关注点之一。大多数节电技术涉及电源的缩放，这会导致阈值泄漏的大幅度增加，从而在过程变化中引起了不确定的电流。因此，需要其他某些与电压缩放无关的技术。已经发现，计算和功率耗散之间存在基本联系。也就是说，如果可以以某种方式实施计算而没有任何信息损失，那么它所需的能量可能会降低到零。可以通过以可逆的方式执行所有计算来实现。因此，在充电转移阶段的最低功耗称为绝热切换。基于CMOS的常规设计在切换过程中消耗了很多能量。绝热开关技术在充电过程中通过PMOS减少了能量耗散，并重用在放电阶段存储在负载电容器上的某些能量。背景一个多路复用器是具有2N输入线和单个输出线的组合电路。简单地，多路复用器是多输入和单输出组合电路。
AN0261V9-塑料包装设备热电阻
良好的热系统设计对于确保适当的系统性能，可靠性和寿命至关重要。如图1。不同系统级别的热因子“上面”，PCB设计（层，垫尺寸。）和空气流是影响散热的主要因素。在组件级别上，许多因素都会影响热阻力，例如包装类型，包装材料，芯片尺寸，功率耗散等。”图2。传热的形式。”显示了设备级别的热量耗散路径的示意图。在组件水平上进行传热的主要机制是对流（通常是通过空气流从包装表面到周围环境的热传递）和传导（从模具表面通过粘结线和铅框从模具表面和铅框架传递到PC板）。通过辐射（电磁能传递）进行的传热通常可以忽略不计于闪存设备。在Macronix用于闪存的塑料包中，通常5〜20％的热量消散是通过对流的包装顶部通过包装的顶部，而其余的80〜95％是通过PCB通过传导。”图3。A）。热电阻与层流气流”，图3。B）。热电阻与芯片尺寸”和”图3。C）。热阻力与PCB设计“显示了各种因素对热阻力的影响。图2。传热形式。
低功率系统的1.8-NW sub-1V自偏见子gap参考
摘要提出了在标准0.18-μmCMOS技术中制造的超低功率子带电压参考电路。利用V BE和V Th的负温度特性，使用寄生BJT和MOSFET的组合的新型自偏的电路构型用于实现纳米瓦特功率派遣的温度补偿的子频带电压参考。测量结果表明，提议的电路提供的平均参考电压为261.6 mV，变化系数为0.86％。线调节（LR）为0.26％/V，在27°时的电源电压范围为0.9 V至1.8 V，电源排斥比（PSRR）为-49 dB时为-100 Hz。在一次性修剪的情况下，在一组18个样品中执行的测量结果显示，温度系数的平均温度系数为25.9 ppm/℃，温度范围为-20至100°。功率耗散为1.8 NW，电源电压为0.9 V时为27℃。芯片面积为0.0038毫米2。关键词：超低功率，子频率电压参考，CMOS，温度系数，芯片区域分类：集成电路（内存，逻辑，模拟，RF，传感器）