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World File Search System化学蚀刻
用激光纹理彻底改变汽车设计
在大多数情况下，激光纹理将降低过程的复杂性，尤其是减少步骤的数量。与化学蚀刻相比，这是更真实的。激光纹理本质上是一个数字过程。最初的步骤是将图案映射为灰度位图，而较暗的部分代表了更深层次的abla。然后将灰度位图叠加在3D模具数据上。最终将注射模具放置在激光机内，并按照定义程序施加纹理。多亏了3D渲染，在最终塑料零件上的纹理可以在物理模具之前进行模拟和微调。此外，这种方法通过最大程度地减少运输时间来减少整体交货时间，这可能需要几天或几周。这是对这两个过程的比较。
简便的化学方法制备水溶性外延 Sr3Al2O6 自立氧化物牺牲层
外延生长时，氧化膜必须生长在晶体衬底上。这些要求极大地限制了它们的适用性，使得我们无法制备多种人工多层结构来研究薄膜及其界面处出现的突发现象[2]，也无法制造柔性器件并单片集成到硅中。[3–5] 人们致力于开发将功能氧化膜与生长衬底分离的程序，以便能够自由操作它。这些方法包括机械剥离[6]、干法蚀刻[7,8]和湿化学蚀刻[9,10]。在化学蚀刻程序中，使用牺牲层（位于衬底和功能氧化物之间）似乎是一种快速且相对低成本的工艺。为了使这种方法成功，牺牲层应将外延从衬底转移到所需的氧化物，经受功能氧化物的沉积过程，并通过化学处理选择性地去除，从而可以恢复原始的单晶衬底。 (La,Sr)MnO 3 已被证明可以通过酸性混合物进行选择性蚀刻，从而转移单个外延 Pb(Zr,Ti)O 3 层 [11] 和更复杂的结构，例如 SrRuO 3 /Pb(Zr,Ti)O 3 /SrRuO 3 。 [12] 最近，水溶性 Sr3Al2O6（SAO）牺牲层的使用扩大了独立外延钙钛矿氧化物层（SrTiO3、BiFeO3、BaTiO3）[13–15] 和多层（SrTiO3/(La,Sr)MnO3）[16] 的家族，这些层可进行操控，从而开辟了一个全新的机遇世界。[5,10,17] 制备此类结构的沉积技术也是需要考虑的关键因素，不仅影响薄膜质量，还影响工艺可扩展性。虽然分子束外延和脉冲激光沉积等高真空沉积技术是生产高质量薄膜的成熟技术[1,18–20]，但溶液处理和原子层沉积等可实现低成本生产的替代工艺正引起人们的兴趣。[21,22]
纳米材料组合
化学气相沉积 (CVD) 是制造真正单层石墨烯 (SLG) 的工艺。Versarien 的子公司 Versarien Korea Ltd.（韩国）在洁净室环境中使用快速热 CVD 工艺 (RT-CVD) 制造 SLG。石墨烯的合成和层压、转移和堆叠均在 1000 级（ISO 6）实验室中进行，而湿化学蚀刻和所有石墨烯特性分析均在 10000 级（ISO 7）实验室进行。我们的标准产品包括尺寸最大为 200 x 200 毫米的铜箔上的 SLG（CVD-101）、转移到 SiO 2 /Si 晶片上的 SLG（CVD-201）或转移到 PET 基板上的 SLG（CVD-301）。我们还提供生产多层堆叠石墨烯的服务，并将石墨烯转移到客户选择的其他基板上。
通过单步脉冲电位法制备三维阳极铝模板
图 1. 阳极氧化过程示意图和所生产样品的图像。 (a) 两步 (红色) 163 和单步 (绿色) 阳极氧化方法的比较示意图。在单步中，脉冲阳极氧化方案直接应用于短暂恒电位方案之前 164。 (b) 用于制造 3D AAO 165 模板的脉冲电位分布示例。 (c) 由高纯度 Al (99.999%) 制备的 3D AAO。 (d) 由低纯度 Al (99.5%) 制备的 3D AAO。 166 (e) 由 99.5% Al 制备的 3D AAO，呈现氧化物分解 (暗灰色和浅灰色区域)。 （f）经过后处理化学蚀刻后的 3D AAO，由 99.999% 和 99.5% Al 制成，三个不同的 t 周期为：180、240 和 360 秒。还显示了每个样品的样品 168 蚀刻时间。 169
INGAAS量子点的量子效率和振荡器强度，用于电信中发出的单光子源O波段
我们基于时间分辨的光致发光光谱证明了实验结果，以确定INGAAS量子点（QDS）的振荡器强度和内部量子效率（IQE）。使用减少应变层，这些QD可用于制造电信O波段中发出的单光子源。通过确定在QD位置的光密度在QD的位置的变化下，在QD的位置确定辐射和非辐射衰减速率，以评估振荡器的强度和IQE。为此，我们对QD样品进行测量，以实现由受控的湿化学蚀刻过程实现的封顶层的不同厚度。从辐射和非辐射衰减速率的数字建模依赖于上限层厚度，我们确定长波长Ingaas QD的振荡器强度为24.6 6 3.2，高IQE（85 6 10）的高IQE（85 6 10）。
将超薄单晶硅膜从绝缘体上硅转移到聚合物上
本研究报告了聚合物上硅 (SOP) 的制造。它描述了将直径为 200 毫米的硅薄膜从绝缘体上硅 (SOI) 衬底转移到柔性聚合物的过程。单晶硅膜的厚度小于 200 纳米，转移是通过使用粘合聚合物将 SOI 晶片粘合到临时硅载体上来实现的。研究了转移的各种参数：堆叠的粘附性、粘合温度、临时载体和 Si 膜厚度。通过机械研磨和化学蚀刻去除衬底和 SOI 埋层氧化物。将 Si 薄膜固定在柔性胶带上，然后卸下临时载体。成功获得了由柔性聚合物 (230 µm) 上 20 至 205 nm 的薄 Si 膜组成的 SOP。可以转移直径为 200 毫米的全晶片或图案化晶片。关键词：纳米材料、单晶、硅、键合 1. 简介
通过线性和圆偏振拉曼光谱研究手性碲的晶格动力学：晶体取向和手性
a IHP–Leibniz-Institut fu¨r innovative Mikroelektronik，Im Technologiepark 25，15236 Frankfurt (Oder)，德国 b Istituto Italiano di Tecnologia – Materials Characterization Facility，热那亚 16163，意大利 c CIC nanoGUNE BRTA，20018 Donostia-San Sebastia´n，巴斯克地区，西班牙。电子邮箱：b.martingarcia@nanogune.eu d IKERBASQUE，巴斯克科学基金会，48009 Bilbao，西班牙 † 可用的电子补充信息 (ESI)：化学蚀刻过程中的 Te 晶体照片和所研究 Te 晶体蚀刻坑的光学图像；关于拉曼数据采集条件和硅 (100) 极化测试的对照实验；交叉配置中角度相关的线性偏振拉曼光谱测量；线性偏振拉曼光谱的拉曼张量分析；以及 (100) 和 (110) 平面的圆偏振拉曼光谱测量。请参阅 DOI：https://doi.org/10.1039/d3tc04333a
purcell增强的单光子发射从量子点耦合到截断的高斯微腔
purcell增强量子点（QD）单光子发射和设备亮度的增加，已经证明了各种类型的微腔。在这里，我们提出了第一个实现截断的高斯形状的微腔与QD的截断。实施基于湿化学蚀刻和外延半导体过度生长。实验研究了腔模式及其空间纤维，并与模拟很好地吻合。可以通过制造设计可重复控制具有6000张Q-因子的基本模式波长，而29 L EV的小极化分裂可以重复控制，从而使腔体适应了特定的QD。最后，通过温度调节对腔内QD的过渡进行调节和关闭共振。在共振上减少了一个以上的因子减少的衰减时间清楚地表明purcell的增强，而G（2）（0）¼0.057的二阶相关测量结果证明了QDS单光子特性得以保留。
软的生物相容性聚合物光纤锥度...
光纤维介于最常见的植入剂范围内，用于在神经系统中发光，用于光学集和红外神经刺激应用。逐渐变细的操作纤维可以提供均匀的光输送到大容量和空间分辨的照明，同时最少具有侵入性。然而，现在使用锥度用于神经应用的目前仅限于二氧化硅光纤维，其较大的年轻人的模型可能会在慢性设定中引起有害的异物反应。在这里，我们介绍了基于聚合物光纤维（POFS）的植入植入物的制造和优化。After numerically determining the optimal materials and taper geometry, we fabricated two types of POFs by thermal fiber drawing.通过化学蚀刻剂的化学蚀刻来实现锥度的制造，为此，已经测试过文献中的几种溶剂。还研究了不同参数对蚀刻过程和所获得的锥度质量的影响。在脑幻像中最终测试了产生的高质量基于锥度的植入物的大量照明体积。