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World File Search System单分子层
电场对硅基单分子层的影响
图 2 . a) 新鲜状态下 S-1 SAM 的 AFM 形貌图像。b) 对 SAM S-1 施加 0.6 V 电化学电位 1 分钟后获得的 SAM S-2 的 AFM 形貌图像。c) 对 SAM S-1 施加 +1.5 V 电化学电位 10 分钟后获得的 SAM S-2 的 AFM 形貌图像。d) 新鲜制备的 SAM S-1 上水滴的静态图像。e) 对 SAM S-1 施加 +0.6 V 电化学电位 1 分钟后获得的 SAM S-2 上水滴的静态图像。f) 对 SAM S-1 施加 +1.5 V 电化学电位 10 分钟后获得的 SAM S-2 上水滴的静态图像。 S-1 SAM 的 XPS 高分辨率 Si 2p 光谱（g）新鲜制备、（h）在 +0.6 V 下氧化，和（i）在 + 1.5 V 下氧化。
二维单分子层中单个自旋交叉分子的电压诱导双稳态
图 2：Cu(111) 上的电压脉冲。a) 3 . 5 × 3 . 5 nm 2 STM 初始状态的形貌图像，其中暗（HS）邻居（V = 0 . 3 V，I = 5 pA）和 b) 4 . 8 × 4 . 8 nm 2 STM 初始状态的形貌图像，其中亮（LS）邻居（V = 0 . 3 V，I = 5 pA）。黑点表示两种环境中电压脉冲的位置。c)、d) 分别在暗（HS）和亮（LS）邻居的 0.5 V 电压脉冲期间记录的典型 I(t) 轨迹。e)、f) 分别在暗（HS）和亮（LS）邻居的 I(t) 轨迹的每个平台的电流乘以持续时间（I×∆t）的分布。红色圆圈（蓝色方块）对应于从亮（LS）到暗（HS）（暗（HS）到亮（LS））分子的实验事件分布。虚线对应于每个分布的单指数拟合。g)、h) 两种环境下 LS 和 HS 状态在 0.5 V 时的相对势能示意图。
Hind Corroguard
迁移性双极混凝土穿透性腐蚀抑制剂的描述Hind Corroguard是一种迁移性的双极腐蚀抑制剂，基于经过改良的液体胺制剂，以防止阳极阳极腐蚀和pow绕。对于阳极和阴极部位的钢增强结构的腐蚀保护非常有效，它们暴露于高氯化物和一些符合ASTM-G-109和JIS A-6205的腐蚀性化学环境。性能后，科罗盖德在同时影响阳极过程和阴极过程的高性能腐蚀作用时，它包含分子，其中电子密度分布会导致抑制剂吸引阳极和阴极部位。凭借混凝土内的水分，这些分子朝钢迁移，并沿钢沿单分子层沉积，并重新建立钢和氯化物之间的屏障以防止腐蚀。使用
芯片的选择性原子层沉积
实现 AS-ALD 的一种常见方法是使用自组装单分子层 (SAM) 作为抑制剂，以优先阻止一种表面材料上的 ALD 而不是另一种。 [7–14] SAM 是一种有机分子，由头部基团（也称为锚定基团）、主链（通过范德华相互作用参与自组装过程）和尾部官能团组成，其中尾部官能团会影响 SAM 形成后的最终表面特性。通过选择仅与特定表面反应的 SAM 分子头部基团，可以实现选择性 SAM 形成。例如，已证实烷硫醇和烷基膦酸可在金属基材上形成 SAM 结构，但不会在 SiO 2 上形成。 [15–21] 通过使用这两种 SAM 分子作为金属表面 ALD 抑制剂，已有多次成功演示在金属/电介质图案的电介质区域上选择性沉积电介质膜（电介质-电介质，或 DoD）和金属膜（金属-电介质，或 MoD）。[7–12,22,23]
分级组装分子纳米片的合成及纳米级表征
此类材料可用于传感器技术[3–6]、能量存储和转换[7–12]、催化[13,14]以及光学和光电设备等各个领域。[15] 此类材料合成的主要挑战之一是化学功能单元的定制整合。石墨烯等二维碳材料在这方面引起了人们的极大兴趣。[16,17] 然而，石墨烯作为组装分级材料的平台的应用受到限制，特别是由于其化学惰性以及在功能化后物理性质的恶化。[15,18,19] 因此，分子纳米片越来越受到关注，因为它们可以由各种有机化合物灵活组装并本质上提供功能基团。 [20,21] 在这方面，碳纳米膜 (CNM)——厚度约为 1 纳米的分子纳米片，为二维材料的分级组装提供了一个通用平台。[22–25] CNM 可以通过电子辐照诱导芳香族自组装单分子层 (SAM) 交联大规模合成，[23] 具有可调的厚度 [24] 和孔隙率 [24,26]，并允许化学功能化 [27,28] 以及气体和离子渗透，[29,30] 等。CNM 的应用示例包括二维片的分级组装，用于生物识别 [31] 和能量漏斗 [27] 应用，以及用于实施
pla窃检查器X原创性报告
通过TAUC图获得的样品的带隙能量值为4.38 eV，具有半导体特性。1。简介石墨烯是一种令人兴奋的材料，具有不常见的两维骨骼，其SP2-杂交碳原子的单个单分子层的六边形结构[1，2]。石墨烯由于其独特的特性[3]（例如优秀的电子[4，5，6]，热力学和机械性能[7，8]，因此引起了许多科学和技术领域的浓厚兴趣。石墨烯具有广泛的应用，例如透明导电？lms，？ELD效应晶体管（FET），水puri？阳离子，储能设备和传感器由于其出色的物理和化学特性而引起的[9、10、11、12、13]。？首先制造单层石墨烯纳米片是通过一种称为Scotch-tape方法的剥落技术[14]和外在化学蒸气沉积。但是，这些方法的缺点是它们不适用于工业生产中的植物制造[15]。使用机械去角质方法合成graphene纳米片，不适用于大规模生产。因此，从结构上与石墨烯结构相似的材料的大规模合成方法的发展吸引了越来越多的研究注意力[16]。GO是一种碳材料，显示出类似于石墨烯的化学，光学和电性能，因为它基于晶烯框架[18]。在1958年，Hummers和Offerman开发了一种合成GO的方法[23]。大规模的石墨去角质的最普遍，最有趣的方法之一是在化学反应中使用活性氧化剂来产生氧化石墨烯（GO），这是具有非导导性亲水性特性的碳材料[17]。然而，GO与石墨烯有所不同，因为牛基官能团（例如环氧基和氧基团）位于GO的基础平面上，少量的羧基和羧基存在于其薄片边缘[19，20，21]。go可以通过几种方法合成[22]； 1859年报道的Brodie方法是？r的第一个方法，其中烟雾3和kClo 3分别用作互嵌剂和氧化剂[1]。此方法使用h 2 so 4用纳米3和kmno 4作为石墨的氧化剂去除角质石墨。与Brodie和Staudenmaier的方法相比，Hummers方法具有一些优势。首先，kmno4作为强氧化剂有助于
什么是真空技术
技术行业向聊天机器人提问真空技术用于在低气压条件下进行的各种过程和物理测量。发生这种情况的原因有很多，包括去除可能引起反应的大气成分、破坏正常室温下的平衡、延长粒子行进距离以最大限度地减少碰撞以及减少分子撞击以防止表面污染。真空过程中允许的最大压力受单位体积分子数、平均自由程或形成单分子层所需时间等因素限制。在室温和正常大气压下，1 立方英尺的空气中约有 7 × 10^23 个分子高速运动。通常使用一柱汞的重量来表示大气压，一个标准大气压等于 760 毫米汞柱或 760 托。帕斯卡单位后来被采用为压力测量的国际单位，相当于 7.5 × 10^-3 托。真空技术的使用可以追溯到 20 世纪初的电灯泡制造和电子管生产。它使一些工艺能够取得优异的结果或实现在正常条件下无法达到的结果，例如镜片表面晕染和血浆制备。核能的出现带动了真空设备的大规模发展，其应用扩展到空间模拟、微电子等领域。人们已经开发出各种容量的产生、维持和测量真空的设备，从每分钟 1/2 到 1,000 立方英尺不等。单级泵的压力水平可低至 2 × 10^-2 托，双级泵的压力水平则低于 5 × 10^-3 托。泵从大气压到大约 1 托达到全速，然后在极限压力下转速降至零。双叶片泵采用偏心转子设计，适用于泵送液体和气体。另一种类型是旋转活塞泵，它类似于单叶片泵，但包含一个用作进气阀的空心叶片，当转子到达最高点时，叶片会关闭泵。极限压力水平受高压侧和低压侧之间泄漏的限制，泄漏是由于密封油中的气体夹带以及摩擦引起的油分解造成的。这种泵的典型应用包括食品包装、高速离心机、紫外光谱仪，以及作为其他泵的前级泵或低真空泵。容量范围为每分钟 100 至 70,000 立方英尺，工作压力范围为 10 至 10^-3 托。峰值速度通常在 1 至 10^-2 托的压力范围内产生。机械增压器使用同步的 8 字形叶轮和定子将气体从高真空侧转移到前真空侧。机械增压器在正常压力范围内运行时通常需要另一个泵作为后备。机械增压器的常见应用包括真空熔炼炉、电气设备浸渍设备和低密度风洞。真空技术在各行各业都至关重要，因为所有工艺和测量都是在低于正常大气压的条件下进行的。这样做通常是为了去除可能在工艺过程中引起物理或化学反应、扰乱平衡条件、延长粒子行进距离或减少每秒分子撞击次数的大气成分。最大允许压力可以根据各种参数定义，包括单位体积的分子数、平均自由程或形成单分子层所需的时间。在室温和正常大气压下，空气中约有 7 × 1023 个分子以随机方向运动，速度约为每小时 1,000 英里。传递给壁面的动量交换相当于每平方英寸壁面面积产生 14.7 磅的力。大气压可以用各种单位表示，包括单位横截面积、高 760 毫米的汞柱的重量。这导致了替代单位的开发，例如帕斯卡，其定义为牛顿每平方米。真空技术的首次大规模应用发生在 20 世纪初，用于制造电灯泡。随后出现了其他需要在真空下运行的设备，包括各种类型的电子管。人们发现某些在真空中进行的过程可以取得优异的结果，或在正常条件下无法实现的结果，这导致了进一步的发展。20 世纪 50 年代核能的出现推动了真空设备的大规模发展。人们发现了越来越多的真空过程应用，包括空间模拟和微电子技术。人们开发了各种用于产生、维持和测量真空的设备。其中包括容量从每分钟 1/2 到 1,000 立方英尺不等的泵，工作压力从大气压到低至 2 × 10-2 托或低于 5 × 10-3 托。其中一种设备是双叶片泵，可以泵送液体和气体。另一种类型是旋转活塞泵，它类似于单叶片泵，但有一个空心叶片作为进气阀。其可用容量范围从每分钟100立方英尺到高达70,000立方英尺，通常在10托到0.01托的压力下工作。然而，峰值性能在1-0.1托的较窄范围内实现，速度取决于所用前级泵的类型。机械增压泵的特点是两个8字形叶轮，它们在固定定子内以相反的方向旋转。气体被夹在这些叶轮和定子壁之间，然后被输送到泵的另一侧。值得注意的是，这种泵在与另一台在其典型压力范围内串联工作的泵配对时，运行效果最佳。一种常用的前级泵是油封旋转泵。机械增压泵通常用于真空熔炼炉、电气设备浸渍设备和低密度风洞。
MoS2 原子片中单缺陷忆阻器的观察
非挥发性电阻开关，也称为忆阻器 1 效应，即电场改变双端器件的电阻状态，已成为高密度信息存储、计算和可重构系统 2 – 9 开发中的一个重要概念。过去十年，非挥发性电阻开关材料（如金属氧化物和固体电解质）取得了实质性进展。长期以来，人们认为漏电流会阻止在纳米薄绝缘层中观察到这种现象。然而，最近在过渡金属二硫属化物 10, 11 和六方氮化硼 12 夹层结构（也称为原子阻断器）的二维单分子层中发现的非挥发性电阻开关推翻了这种观点，并由于尺寸缩放的好处增加了一个新的材料维度 10, 13。我们在此以单层 MoS 2 为模型系统，阐明了原子片中切换机制的起源。原子成像和光谱表明，金属取代硫空位会导致电阻发生非挥发性变化，这得到了缺陷结构和电子状态计算研究的证实。这些发现提供了对非挥发性切换的原子理解，并开辟了精确缺陷工程的新方向，精确到单个缺陷，朝着实现最小的忆阻器的方向发展，以应用于超密集存储器、神经形态计算和射频通信系统 2、3、11。通过结合扫描隧道显微镜/扫描隧道光谱 (STM/STS) 和局部传输研究，我们观察到硫空位（MoS 2 单层中的主要缺陷）在其天然形式下不起低电阻路径的作用，这与金属氧化物存储器中氧空位的影响形成鲜明对比。 然而，从底部或顶部电极迁移的金属离子（例如金离子）可以取代硫空位，产生导电的局部态密度 (LDOS)，从而驱动原子片进入低阻状态。 在反向电场下去除金原子后，缺陷恢复其初始空位结构，系统返回到高阻状态。 这种导电点切换机制类似于在原子级上形成导电桥存储器 14。然而，它本质上是不同的，也是独一无二的，因为单个金属离子填充了晶格中的单个空位，而不是通过高度无序的材料形成金属桥。我们发现硫空位在 2 纳米间距处稳定，导致忆阻器密度约为每 1 个单位
氧化膜上铜的原子层沉积
通过 ALD 循环次数可以实现区域选择性沉积 (ASD)。然而，对薄膜生长的横向控制，即区域选择性沉积 (ASD)，对于 ALD 来说要困难得多。尤其微电子应用需要 ASD 来满足制造要求，因为关键特征尺寸缩小到纳米级，而且通过自上而下的光刻方法进行图案化变得越来越具有挑战性。[2,3] 光刻掩模需要以纳米级精度对准，即使是最轻微的掩模错位也必然会导致边缘位置误差 (EPE)。在 ALD 中实现 ASD 的传统方法可分为三大类：1) 非生长区域钝化；2) 生长区域的活化；3) 使用固有选择性沉积化学。在类别 (1) 中，非生长区域用钝化自组装单分子层 (SAM) 或聚合物膜进行功能化。 [4,5] 通常，当前体吸附在非理想组装或部分降解的 SAM 上时，会发生选择性损失。吸附在 SAM 上的前体分子作为后续前体剂量的反应位点，从而丧失选择性。[2] 在下一个处理步骤之前，还必须完全去除钝化层。在类别 (2) 中，生长区域表面在 ASD 之前进行功能化，以实现薄膜生长。[6–7] 然后，薄膜仅沉积在功能化表面上，而其他区域保持清洁。这种方法规定了非生长和功能化生长表面上的薄膜成核的明显对比。因此，它主要限于金属 ALD 工艺，因为金属表面比其他表面更容易成核。此外，需要仔细控制剂量以维持生长选择性。由于 ASD 的活化层被 ALD 膜掩埋，因此下一个处理步骤可以直接进行。在类别 (3) 中，即固有选择性 ALD，选择性完全由前体与基底上不同材料表面之间的反应决定。在正在制造的薄膜器件结构表面上，不同的材料暴露于 ALD 前体，但薄膜仅生长在某些优选材料上，从而定义生长区域。这是真正的自下而上的处理，将整体图案化步骤减少到最低限度。由于图案自对准，因此排除了 EPE。出于这些原因，(3) 是 ASD 的一个非常有吸引力的选择，但控制表面化学以在几个 ALD 循环中保持 ASD 极具挑战性。因此 (3) 主要限于金属的 ASD。[8–9]