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电磁干扰威胁日益严重
EMI 滤波连接器提供即插即用的解决方案。它们是封装 EMI/RFI 和 EMP 瞬态保护的最节省空间的方法。单个电容器阵列可以提供多个电容值。连接器外壳保护电容器阵列和二极管免受环境、机械和热损坏。集成在连接器中的瞬态电压抑制器为敏感电路提供 EMP 瞬态保护。模块化设计技术可减小整体封装尺寸并提高可维护性。通过将滤波器和二极管集成到连接器中，可减轻系统重量。单片电容器阵列是最可靠的 EMI/RFI 滤波方法。EMI 滤波连接器使用自动测试设备进行测试和记录。
迈向无人机的模块化和认证航空电子设备
为了应对这一挑战，第一代无人机航空电子架构被分为三个松散耦合的物理部分。第一部分专用于导航和飞行控制；第二部分提供传感器、硬件和软件组件，以确保所需的自主性水平；而第三部分控制无人机的有效载荷。第二和第三部分通常特定于无人机应该执行的操作角色。在大多数情况下，每个部分都由一个单片专用平台实现，该平台由最简单的处理器组成，具有自己的资源（内存和通信总线）（图 1）。90 年代和 21 世纪开发的无人机基于这一原则（例如，参见 [27] 的附录 A 和 [33] 中的 Piccolo 架构）。
IDC MarketScape：美国联邦政府云专业服务 2024 年供应商评估
云支持冗余、有保障的工作负载、灾难恢复和业务连续性，因为云是始终可用于支持关键服务的数字基础设施。随着云计算环境的扩展和变得更加多样化，联邦机构面临着多种架构、开发和部署决策，以及越来越多的云服务、产品和选项——例如，最佳的应用程序部署选择是什么（本地、异地）、架构设计（单片、宏服务、微服务）和技术基础（虚拟机、基础设施即服务 [IaaS]、平台即服务 [PaaS]、无服务器/功能即服务、Kubernetes 编排系统）。为了制定明智的策略来理解、预测、合理化和优化主要的云架构决策，机构通常会部署提供云专业服务的供应商。
SiC 基板上的 15 GHz 外延 AlN FBAR - Debdeep Jena
摘要 — 展示了 SiC 衬底上的外延 AlN 薄膜体声波谐振器 (FBAR)，其一阶厚度扩展模式为 15-17 GHz。对于 15 GHz epi-AlN FBAR，其品质因数 Q max ≈ 443、机电耦合系数 k 2 eff ≈ 2 . 3 % 和 f · Q ≈ 6 . 65 THz 品质因数在 Ku 波段 (12-18 GHz) 中名列前茅。具有高品质因数的干净主模式使此类 epi-AlN FBAR 可用于具有干净频带和陡峭抑制的 Ku 波段声波滤波器。由于这种外延 AlN FBAR 与 AlN/GaN/AlN 量子阱高电子迁移率晶体管 (QW HEMT) 共享相同的 SiC 衬底和外延生长，因此它们非常适合与 HEMT 低噪声放大器 (LNA) 和功率放大器 (PA) 进行单片集成。
性能创新可靠性 - Norlab
FT/IR-4000 系列中使用的带角锥镜的 45 度迈克尔逊干涉仪可提供研究级光谱仪中常见的同类领先性能。主要设计用于中红外区域，也可用于专用的近红外和远红外应用。坚固的铸铝结构，加上先进的光学和电气元件，可提供高性能和耐用性。带有单片金刚石的高通量 ATR PRO ONE 可用于许多采样应用。FT/IR-4000 系列还具有许多其他测量选项，从简单的透射和气体分析到散射和镜面反射。FT/IR-4000 非常适合 QA/QC、教学和简单研究。FT/IR-4700 具有 0.4cm -1 的分辨率，可用于更高分辨率的气体分析。
将量子算法映射到多核量子计算架构
摘要 — 当前的单片量子计算机架构可扩展性有限。一种有前途的扩展方法是使用模块化或多核架构，其中不同的量子处理器（核心）通过量子和经典链路连接。这种新的架构设计带来了新的挑战，例如昂贵的核心间通信。为了在执行量子算法时减少这些移动，需要一种有效的映射技术。本文详细讨论了多核量子计算架构的量子电路映射问题。此外，我们通过执行架构可扩展性分析，进一步探索了一种映射方法的性能，该方法被表述为随时间划分的图问题。索引术语 — 可扩展性量子计算系统、多核量子计算机、量子算法映射。
180 GBd 电子等离子体 IC 发射器
2. 等离子体 180 GBd 4:1 MUX-驱动器-发射器 图 1(a) 所示的 EPIC 发射器组件由一个 1.5x3 mm 2 SiGe BiCMOS 芯片组成，该芯片带有单片集成等离子体调制器，安装在一个 5x7 cm 2 PCB 上。电子层堆栈由 IHP 采用改进的 SG13G2 工艺制造。电光层由 ETH 采用基于电子束光刻的工艺制造。有关该工艺的更多详细信息，可参见 [10]。使用的有源电光材料 BAHX 是最近报道的高性能 BAH13 材料 [11, 12] 的可交联变体，该材料经过静电极化和交联 [13]。该组件与 RF 连接器、带状电缆、光纤和无源散热器连接。图 1(e) 给出了输出级的放大图。
热管理 SSL 及传统镇流器分销商
EPISTAR 开发出一种技术，使用单个大型蓝色 LED 芯片（尺寸 = 45 mil）即可实现照明应用的高光效，无需对许多小尺寸芯片及其电线进行复杂的封装。这项技术使色温为 5,000 K 时光效高达 135 lm/W 的白光 LED 能够以照明应用所需的简化封装实现如此高的光效。EPISTAR 开发出一种高压单片集成直流多芯片阵列，可显著改善电流扩散。因此，与普通功率芯片相比，在 5.5 W 操作下，正向电压更低，插电效率 (WPE) 更高。HV LED 芯片封装可用于一般照明和任何高效白光应用。
基于拓扑光子晶体的紧凑型片上功率分配器(1)-xg-0222.docx
摘要：提出并演示了一种基于拓扑光子晶体（TPC）的单片硅光子平台上的片上1×N功率分配器。得益于具有不同拓扑相位的TPC界面处的谷底锁定传播模式，所提出的功率分配器在急弯处具有可忽略的后向散射，并且对制造缺陷具有良好的稳健性，因此与传统设计相比，插入损耗更低、均匀性更好、占用空间更紧凑。对于制备的1×2（8）功率分配器，输出端口之间的均匀性低于0.35（0.65）dB，最大插入损耗为0.38（0.58）dB，紧凑占用空间为5×5 µm 2（10×12 µm 2 ），带宽为70 nm。此外，拓扑功率分配器仅需要具有不同拓扑相位的TPC的简单配置，与传统设计相比，设计和制造更可靠。
先进半导体器件技术
基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术正在彻底改变现代国防射频和电子战系统。该技术能够以高线性度和高效率在高频下提供高功率。由于这些优势，它被广泛应用于雷达、卫星通信和军事地面通信等各种应用中。基于 GaN 的 HEMT 技术比现有的砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 具有显著优势，尤其是在射频功率应用方面。这主要是因为 GaN 器件具有非常高的击穿场，因此能够在更高的电压下工作。此外，GaN 器件的阻抗要高得多，因此在射频功率放大器集成电路中对匹配网络的要求就更低了。总体而言，与竞争对手的射频相比，GaN 技术可以将射频 IC 的尺寸缩小十倍甚至更高