部件编号 CAN 通道 MCU I/O 接口 (V) Vin(最小值至最大值)(V) 低功耗模式 数据速率 [最小值] kbps 数据速率 [最大值] kbps 总线引脚电压 [最小值-最大值] (V) 可用 VIO 选项 GPIO 温度范围 (℃) 封装 更换
图使用Cu-ag纳米颗粒的烧结过程的10示意图。(a)烧结前的关节; (b)在烧结过程中加入纳米颗粒和Cu底物之间的界面; (c)在烧结过程中加入纳米颗粒; (d)烧结后的关节; (e)两个相邻的Cu-ag核壳纳米颗粒的初始表面; (f)在Cu纳米颗粒表面上首映的微小的Ag纳米颗粒; (g)Cu-ag核壳纳米颗粒与Ag Neck
石墨烯/铜复合粉具有石墨烯涂层球形铜粉的独特核心壳结构,石墨烯和铜的复合材料充分利用了其力学,电力和热力学的协同优势。
参 数 名 称 符 号 条 件 最小 最大 单 位 电源电压 V CC — -0.5 +7 V 输入钳位电流 I IK V I <-0.5V 或 V I >V CC +0.5V — ± 20 mA 输出钳位电流 I OK V O <-0.5V 或 V O >V CC +0.5V — ± 20 mA 输出电流 I O -0.5V
5'-tcctaggtataAtaTaCtaAgtaAgcagggGACTAACATGTGGTGGTTTTTTAGAGCTAGAAATAGC-3'
CS4192 是单片 BiCMOS 集成电路,用于将来自微处理器/微控制器的 10 位数字字转换为互补直流输出。直流输出驱动通常用于车辆仪表板的空心仪表。10 位数据用于直接线性控制仪表的正交线圈,在仪表的整个 360° 范围内具有 0.35° 分辨率和 ± 1.2° 精度。来自微控制器的接口是通过串行外设接口 (SPI) 兼容串行连接,使用高达 2.0 MHz 的移位时钟速率。数字代码与所需的仪表指针偏转成正比,被移入 DAC 和多路复用器。这两个块提供切向转换功能,可将数字数据转换为所需角度的适当直流线圈电压。在 45 ° 、135 ° 、225 ° 和 315 ° 角处,切向算法在仪表运动中产生的扭矩比正余弦算法大约高 40%。这种增加的扭矩减少了由于这些临界角度下的指针下垂而导致的误差。每个输出缓冲器能够为每个线圈提供高达 70 mA 的电流,并且缓冲器由公共 OE 启用引脚控制。当 OE 变为低电平时,输出缓冲器关闭,而芯片的逻辑部分保持通电并继续正常运行。OE 必须在 CS 下降沿之前处于高电平才能启用输出缓冲器。状态引脚 (ST) 反映输出的状态,并且在输出被禁用时处于低电平。串行仪表驱动器具有自我保护功能,可防止发生故障。每个驱动器均受到 125 mA(典型值)过流保护,而全局热保护电路将结温限制在 170°C(典型值)。只要 IC 保护电路检测到过流或过温故障,输出驱动器就会被禁用。驱动器保持禁用状态,直到 CS 上出现下降沿。如果故障仍然存在,输出驱动器将再次自动禁用。
高温超导体由于其独特的电子特性和非常规的超导行为而引起了极大的关注。尤其是,由高能离子植入,压力和电磁场等外部场引起的高体性超导材料的相变已成为研究热点。但是,潜在的机械主义尚未完全理解。第一原理计算被广泛认为是深入探索这些内在机制的有效方法。在这项研究中,使用第一原理计算来研究氧空位现象对不同功能下YBA 2 Cu 3 O 7(YBCO 7)的电子传递性能和超导性能的影响(PBE,PBE + U,HSE06)。结果表明,氧空位显着改变了带的结构,并且在不同功能的预测中观察到了考虑的差异。YBA 2 Cu 3 O 6(YBCO 6)的计算带隙范围为0至1.69 eV。较大的带隙表明是绝缘状态,而没有带隙的缺乏表明材料保持金属。通过将结果与实验结果进行比较,我们发现HSE06功能提供了最合理的预测。带隙的存在或不存在主要受铜轨道的影响。氧气空位会导致材料的C轴拉长,这与实验中He-ion辐照后X射线差异(XRD)分析中观察到的趋势是一致的。我们的发现有助于解释在外部田地下,尤其是He-Ion Irra-priation的金属 - 绝缘体相变,并为开发高温超导材料及其设备应用提供了理论基础和新见解。