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World File Search System反应室
准分子激光器•目前最好的紫外线激光来源
化学激光化学反应以创建激光作用J.C。Polanyi（USSR）提出的1960年首次显示Kasper＆Pimentel 1965年首次显示1965与激光腔中混合的气体混合在反应室中化学能源存储良好的能量存储良好反应物是源波长转移：化学反应会产生退出的分子激发态转移到其他激光的材料中几乎所有当前的应用都是军事的因此，用于飞机运载激光的主要类型将能量存储在大型燃油箱中
紫外荧光二氧化硫分析仪 - ENVEA
AF22e 是一款基于紫外荧光的标准污染监测仪，它是测量环境空气中 SO 2 浓度的标准方法 ( EN 14212 )。该方法基于 SO 2 因吸收紫外线 (UV) 能量而产生的荧光。光电二极管测量紫外线灯产生的紫外线辐射。该测量值用于信号处理，以补偿紫外线能量的任何变化。分子在紫外线下恢复特定的荧光：这种荧光由放置在反应室附近的 PM 管可视化。碳氢化合物芳香族“喷射器”概念可确保完全消除碳氢化合物干扰，从而实现极其准确的测量。
释放氢氧化还原的力量
氢氧化还原发电机的概念代表了一种突破性的方法，可以充分利用氢作为清洁高效能源的潜力。该技术依赖于氢氧化还原反应，其中电子在与氢相关的过程中获得或丢失。氢氧化还原发电机由发生这些氧化还原反应的反应室和捕获释放的电子以发电的电化学电池组成。这项创新技术具有多种优势，包括高能源效率、环境可持续性、可扩展性和储能能力。虽然存在催化剂开发和安全问题等挑战，但持续的研究和开发工作正在推动该领域的进步。氢氧化还原发电机前景广阔，有望彻底改变我们发电和储电的方式，为更清洁、更环保的能源未来做出贡献 [1]。
通过分子层沉积生长的具有双芳香族连接体的 MOF 薄膜
反应室，使其与之前的表面反应至饱和。在新的清洗步骤之后，以循环方式重复该过程，直到获得所需厚度。由于每个脉冲的自限制生长，每个脉冲只能将每种前驱体最多一个单层添加到基板上。当前驱体是成为薄膜一部分的较大有机分子时，通常将该过程称为分子层沉积 (MLD)，16 我们的研究就是这种情况。MLD 技术可用于制备有机薄膜或有机 - 无机混合薄膜，以用于 Meng 等人在综述文章中总结的广泛应用。 17 最近的文献中出现了一些使用 MLD 制备 MOF 薄膜的例子，18 – 21 例如 UiO-66 生长的演示，22 以及具有氨基功能化连接体的类似 MOF 结构的生长。23
高质量单类石墨烯，区域
总结在这项研究中，低压蒸汽的方法用于使高质量的单层石墨烯具有铜板表面大面积的高面积。石墨烯的形成和质量受到基础CH4：H2的温度和比率的显着影响。最佳类单层石墨烯是在约1000°C的温度下进行的，生长周期为120分钟，而CH4：H2的比率为35：6 SCCM。反应室中的总压力在1.0至1.2托尔的范围内变化。峰值2d（〜63.43 cm-1）的峰（FWHM）与拉曼光谱的峰i2d/ig（〜3,10）的强度之比证实了单层石墨烯。石墨烯微不足道和高均匀性的残疾通过低圆形拉曼峰证实。已经评估了许多Khaists的温度和压力参数，是合成高品质石墨烯的最佳选择，有望在光学，电化学，电子和有毒气体传感器的领域打开新应用。
航空航天用难熔金属的增材制造...
许多高温推进应用都需要高温难熔金属。难熔金属价格昂贵，难以制造，购买率高，供应商少。增材制造 (AM) 用于生产 C103、钼 (Mo) 和钨 (W) 反应室和推力隔离器以及铱超细晶格催化剂，以集成到 1 N 绿色推进推进器中。难熔金属 AM 正在开发中，与传统 AM 合金一样，在投入使用前需要进行大量后处理，包括粉末热处理、表面光洁度增强、检查和加工。有限的原料来源、高温加工、氧敏感性、易断裂性质以及高温机械测试的需求限制了能够对 AM 难熔材料进行后处理的合格设施的数量，这增加了成本和进度限制。但是，正确实施的难熔金属 AM 可以通过大大提高设计灵活性、新材料选择、降低价格、缩短交货时间并利用不断增长的 AM 商业供应基础来克服现有的制造限制。
在各种应用程序中使用 IEM 的好处
分子中含有带负电的氧和氮），因此很容易受到与活性氢（例如，不同化合物的羟基上的氧）结合的亲核中心的攻击，从而主要在氮上形成阴离子 3,4 。然后，活性氢（ AH ，现在将这样表示）与带负电的氮结合形成 IEM 封端的衍生物，当上述“不同化合物”（ DC ）的 AH 基团是醇或胺时，分别具有耐水的氨基甲酸酯或脲键。除了水之外，这种衍生物（包括源自单个 AH 但受阻基团的“封端”IEM 化合物，例如ϵ-己内酰胺或 MEKO）可以成功地与 IEM 可能与之反应的其他含 AH 化合物混合，包括质子溶剂，例如乙醇 2 。如果 DC 包含多个 AH 基团，则 IEM 甲基丙烯酸酯基团的可聚合乙烯基 C=C 双键同样可以引入到每个位置。然后，这种 IEM 封端衍生物将能够参与后续的交联聚合，当将热量和/或紫外线引入反应室 2 时，可诱导交联聚合。本引发剂随后将发生均裂，形成自由基 5 。
低温物理蒸气沉积了Cu种子...
摘要在这项研究中，提出了对低热稳定性临时粘合胶的优化对物理蒸气沉积（PVD）过程的优化。在各种底物上证明了Cu种子层在通过沟渠中的沉积：硅 - 硅粘合，硅玻璃键合和霉菌键合的底物。在处理过程中记录在这些底物上的表面温度远低于临时键合和去键（TBDB）材料的临界温度。本文重点介绍了PVD工艺的2.5D/3D集成电路（IC）包装中通过硅VIA（TSV）应用的创新。这些结果将在温度较低的范围明显较低的温度范围内稳健地整合具有低热稳定性的各种临时粘合粘合剂，其热稳定性低。引言临时键合和键合材料在实现薄和超薄晶圆底物的处理方面起着重要的中间作用。它为稀薄的Si Wafers提供结构和机械支撑，用于下游包装。这是因为在下游制造步骤期间，薄且超薄的基材具有高弯曲，折叠和有时断裂的趋势。因此，需要借助临时粘合粘合剂来支撑这些稀薄的底物在载体底物上[1]。这允许晶圆进行进一步的过程步骤，例如光刻，沉积等。设备晶圆通常与临时粘合涂层接触以进行支撑。在PVD过程中，金属靶标通过碰撞的热过程转化为原子颗粒。物理蒸气沉积（PVD）是TSV 2.5D/3D IC包装中铜的随后电化学沉积的关键过程步骤。这是一种以平滑表面，出色的机械性能以及对目标底物的良好粘附而闻名的先进材料处理技术。然后将这些颗粒定向到基板上，以在受控的真空环境中进行后续沉积，成核和生长。原子然后将其凝结成在底物上形成物理薄膜。这可以以两种方式进行：溅射和蒸发。在溅射过程中，将气态前体引入反应室，然后将其加速向目标加速，释放原子尺寸的颗粒以沉积到基板上。溅射技术的主要优点是由于加速