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反键诱导的非谐性导致 CsK 2 X (X = Sb, Bi) 具有超低晶格热导率和非凡的热电性能
完整作者名单：袁鲲鹏；大连理工大学；张晓亮；大连理工大学能源与动力工程学院；常政；大连理工大学能源与动力工程学院；唐大伟；大连理工大学能源与动力工程学院；胡明；南卡罗来纳大学机械工程学院
![arxiv：2401.16151v2 [cond-mat.supr-con] 1924年3月19日](/simg/g:\will\search\icon\source\0\0d4bad40e2ea910cdbaae398b7c9d5a5749764e6.webp)
arxiv：2401.16151v2 [cond-mat.supr-con] 1924年3月19日
是由在压力下在LA 3 Ni 2 O 7中高T C超导性的最新报道所激发的，我们从理论上分析了这种化合物中正常和超导状态中的磁激发，可以通过无弹性中子散射或RIX来测量。我们表明，自旋响应的双层结构允许以非常有效的方式阐明层间相互作用的作用和库珀对的性质。特别是，我们通过比较自旋敏感性的均匀和奇数通道中的相应响应，展示了电位S±和D波间隙之间的关键差异。我们表明，大多数是层间驱动的粘结 - 抗抗反键S±Cooper Pairing仅在X点附近的奇数通道中产生一个大型自旋共振峰，而奇数和偶数通道中的旋转共振在D-Wave场景中都可以预测。
RuAl6—内嵌铝化物超导体
摘要：据报道，内嵌铝化物 RuAl 6 具有超导性，其 T c = 1.21 K。T c 处的归一化热容量跃变 Δ C/ γ T c = 1.58，证实了块体超导性。金兹堡-朗道参数 κ = 9.5 表明 RuAl 6 为 II 型超导体。与其结构类似物 ReAl 6（T c = 0.74 K）相比，探讨了 RuAl 6 的电子结构计算。根据晶体轨道哈密顿布居（- COHP）分析讨论了相的稳定性。两种材料 T c 的差异是由 RuAl 6 中发现的明显更强的电子-声子耦合引起的，这是反键相互作用明显更强的结果。另一种由铝团簇组成的化合物中超导性的出现可能扩大了临界温度与 Ga 团簇所示结构的相关性。■ 简介
量化全无机卤化物钙钛矿太阳能电池的效率限制
铅卤化物钙钛矿表现出一系列对光电应用尤其是光伏应用具有吸引力的性质。这些性质包括易于制造钙钛矿薄膜，该薄膜具有极长的载流子寿命和陡峭的吸收起始点，导致吸收系数 > 10 4 cm − 1 ，仅比带隙高出几个 meV。[1] 在铅卤化物钙钛矿家族中，最佳光电性能出现在约 1.5 至 1.8 eV 的带隙范围内，这对于用作串联或三结太阳能电池中的高带隙吸收剂来说是一个非常有用的范围。[2] 在这个带隙范围内，钙钛矿只有 III − V 半导体可以与之竞争，[3] 但其优势是制造成本明显较低。虽然有许多直接半导体具有良好的吸收率和适合光伏应用的带隙 [4]，但很少有半导体像铅卤化物钙钛矿一样具有如此低的非辐射复合损失和如此高的发光量子效率。 [5–7] 这不仅可以在单晶中实现，而且也可以在多晶薄膜中实现。 [8] 这些多晶材料性能良好的一个具体原因是铅卤化物钙钛矿的反键价带会导致浅的本征缺陷 [9]，并使铅卤化物钙钛矿家族获得了“缺陷容忍半导体”的称号。 [10,11] 目前该技术有两个主要缺点阻碍其商业化：[12] 一是材料的长期稳定性，二是使用有毒元素铅，但铅对于理解优越的光电特性至关重要 [11] 因此很难替代。目前有各种策略可以替代铅、减少铅或将其安全地包含在薄膜内。[13] 在提高稳定性方面，业界越来越重要的一种主要方法是用无机元素（如铯）取代迄今为止通常使用的有机阳离子甲铵或甲脒。[14] 这里的关键挑战是如图 1a 所示的钙钛矿结构（ABX 3 ）必须包含适当大小的 A 位阳离子，以稳定钙钛矿结构核心的 BX 6 八聚体。鉴于 Pb 和 I 或（在较小程度上）Br 的尺寸相对较大，A 位阳离子必须足够大。
InP 纳米线中 InAsP 双量子点间隧道耦合的磁调谐
嵌入纳米线波导的外延量子点 (QDs) 是单个光子和纠缠光子的理想来源，因为这些设备可以实现高收集效率和发射线纯度 1 – 4 。此外，这种架构有可能通过在纳米线内串联耦合量子点来形成量子信息处理器的构建块。具有清晰分子键合和反键合状态特征的量子点分子已被证明，其中可利用量子限制斯塔克效应 5、6 调整载流子群。这些光学活性量子点也是量子网络单元非常有希望的候选者，因为它们可以将光子量子比特中编码的量子信息传输到固态量子比特并在耦合的量子点电路中处理该信息 7 – 9 。控制点之间的隧道耦合是适当调整和执行量子比特之间量子门所需的关键特性。例如，在静电定义的量子点中，可通过为此目的设计的电门实现点间隧道耦合，并且已实现多达 9 个量子比特的线性阵列 10 。在外延量子点中，隧道耦合由量子点之间的距离决定，该距离在生长过程之后无法改变 7 、 11 – 13 。由于原子级外延生长的不确定性，这会产生可重复性问题。克服这些问题的尝试包括旨在引入受控结构变化的措施，例如激光诱导混合 14 、将发射器放置在光子腔中 13 或调整点附近的应变场 15 。这些过程可提高量子点发射器的均匀性，但是它们无法实现时间相关的调整和可寻址性。为了实现这一点，通过金属栅极将外部电场施加到量子点上，从而控制电荷状态 16 、通过斯塔克位移 5 进行光谱调谐以及通过四极场 17 控制激子精细结构。此外，最近在外延量子点中进行的电子传输实验已经证明了隧道耦合的电调谐 18 – 20 。然而，这些方法需要复杂的设备设计和工程。在本信中，我们通过施加垂直于点堆叠方向的磁场来演示点间耦合的可调谐性。我们首先对 InP 纳米线中的 InAsP 双量子点 (DQD) 进行光学磁谱分析，并确定了逆幂律，该定律控制每个点的 s 壳层发射之间的能量差，该能量差是点间距离的函数。发射能量受点成分和应变差异的影响，而点之间的耦合则在生长阶段由分隔它们的屏障厚度决定。但是，我们将证明我们可以调整对于特定状态，通过施加平行于量子点平面的磁场（即 Voigt 几何），发射能量差可在约 1 meV 的范围内按需变化。正如我们将要展示的，如果没有点之间的量子力学耦合，这种能量转移就不可能实现，我们将此结果解释为点间隧道耦合的磁场调谐是由于经典洛伦兹力的量子类似物而发生的。