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World File Search System发光效率
tcs230 可编程彩色光频转换器
注释：3.光学测量是使用发光二极管 (LED) 光源的小角度入射辐射进行的。4.470 nm 输入辐照度由具有以下特性的 I nGaN 发光二极管提供：峰值波长 λ p = 470 nm、光谱半宽 ∆λ ½ = 35 nm，发光效率 = 75 lm/W。5.524 nm 输入辐照度由具有以下特性的 I nGaN 发光二极管提供：峰值波长 λ p = 524 nm、光谱半宽 ∆λ ½ = 47 nm，发光效率 = 520 lm/W。6.565 nm 输入辐照度由具有以下特性的 GaP 发光二极管提供：峰值波长 λ p = 565 nm、光谱半宽 ∆λ ½ = 28 nm、发光效率 = 595 lm/W。7.635 nm 输入辐照度由具有以下特性的 Al I nGaP 发光二极管提供：峰值波长 λ p = 635 nm、光谱半宽 ∆λ ½ = 17 nm、发光效率 = 150 lm/W。8.辐照度响应度 R e 的特征范围为 0 至 5 kHz。9.饱和辐照度 = (满量程频率)/(辐照度响应度)。10.照度响应度 Rv 是使用注释 4、5 和 6 中所述的 LED 发光效率值并使用 1 lx = 1 lm/m 2 ，根据辐照度响应度计算得出的。11.非线性定义为 f O 与零点和满量程之间的直线的偏差，以满量程的百分比表示。
tcs3404、tcs3414 数字色彩传感器 - Seeed Studio
备注：1.显示的百分比表示红、绿或蓝通道值与清晰通道值的比率。2.光学测量是使用发光二极管 (LED) 光源的小角度入射辐射进行的。3.470 nm 输入辐照度由具有以下特性的 I nGaN 发光二极管提供：峰值波长 λ p = 470 nm、光谱半宽 Δλ ½ = 35 nm、发光效率 = 75 lm/W。4.524 nm 输入辐照度由具有以下特性的 I nGaN 发光二极管提供：峰值波长 λ p = 524 nm、光谱半宽 Δλ ½ = 47 nm、发光效率 = 520 lm/W。5.640 nm 输入辐照度由具有以下特性的 Al I nGaP 发光二极管提供：峰值波长 λ p = 640 nm、光谱半宽 Δλ ½ = 17 nm、发光效率 = 155 lm/W。6.照度响应度 R v 是使用注释 3、4 和 5 中所述的 LED 发光效率值并采用 1 lx = 1 lm/m 2 ，根据辐照度响应度 R e 计算得出的。
新方法将量子点与增强发光的元时间集成在一起
嵌入量子点，提高其发光效率。团队包括机械工程系，化学工程系和电气工程系的Junsuk Rho教授，博士学位。机械工程部的候选人明苏王，拜恩格苏（Byoungsu Ko）和Jaekyung Kim，以及博士学位的Chunghwan Jung。候选人，来自化学工程系。
引文：Peng RS、Xu SR、Fan XM、Tao HC、Su HK、Gao Y、Zhang JC 和 Hao Y，自组装 Ni 制备纳米图案化 InGaN 的应用
自 1993 年 Shuji Nakamura 制成第一只 GaN 基蓝光发光二极管 (LED) 以来 [1]，基于 III 族氮化物材料的 LED 发展迅速并得到了广泛的应用。然而，导致绿光 LED 效率低下的“绿光隙”一直未能得到解决，而蓝光和红光 LED 却实现了较高的发光效率 [2,3]。造成上述问题的原因之一是 InxGa1-xN/GaN 多量子阱 (MQW) 中铟组分的增加，而这是为了使 InGaN 基 LED 能够发出更长的波长的光。由于 InGaN 与 GaN 之间的晶格常数和热膨胀系数不匹配 [4,5]，以及 InN 在 GaN 中的低混溶性 [6]，高铟组分 InGaN QW 的绿光 LED 会遭受晶体质量劣化。同时，还会产生大量的位错，它们充当非辐射复合中心[7]，对发光是不利的。另一方面，有源区产生的光很难从高折射率半导体（n GaN = 2.5）逸出到空气中（n air = 1）。内部光的临界角（θ c ）或逸出锥仅为~23.6°[θ c = sin −1（n air /n GaN ）]，超过此角度发射的光子会发生全内反射，因此只有一小部分光可以逸出到周围的空气中[8]。绿光是三原色之一，提高绿光LED的发光效率是实现高效率、高亮度RGB（红、绿、蓝）LED的关键。
通过纳米材料和纳米结构的微型领导性能的进步：评论
摘要：微光发射二极管（µ LED）具有高响应速度，寿命长，高亮度和可靠性的优势，被广泛视为下一代展示技术的核心。但是，由于诸如高生产成本和低量子效率（EQE）之类的问题，µ LED尚未真正商业化。此外，量子点（QD）的颜色转换效率（CCE） - µ LED也是其在展示行业中实际应用的主要障碍。在这篇综述中，我们系统地总结了纳米材料和纳米结构在µ LED中的最新应用，并讨论了这些方法对提高µ LED的发光效率以及QD-µLED的颜色转换效率的实际效果。最后，提出了µ LED商业化的挑战和未来前景。
钙钛矿发光二极管迈向商业化全...
金属卤化物钙钛矿发光二极管 (PeLED) 具有宽色域、高发光效率和低成本合成等特点，是下一代显示应用的有前途的光子源。自 2014 年首次展示室温发射的 PeLED 以来，其性能在几年内迅速提高，引起了学术界和工业界的广泛关注。在这篇综述中，我们讨论了 PeLED 在商业显示应用中的主要技术瓶颈，包括大面积 PeLED 制备、图案化策略和柔性 PeLED 设备。我们回顾了实现这些目标的技术方法，并强调了当前的挑战，同时对这些钙钛矿材料和 PeLED 设备进行了展望，以满足下一代高色纯度全彩显示器市场的需求。
STAGESCAN - Clay Paks
高功率 OSRAM HMI 1200 是专业应用中最受好评的灯具，因为它具有出色的发光效率（110,000 流明）以及能够更长时间地保持原始色温（平均灯泡寿命为 750 小时）。STAGE SCAN 将这款出色的灯具与一系列创新功能（包括热启动）集成在一起，因此设计师无需等待即可开启，即使在意外断电或雷暴等导致停电后也是如此。热启动功能还使得集成自动灯泡关闭功能成为可能，该功能可以在零控制信号 5 分钟后激活。或者，可以通过专用通道上的控制台直接打开和关闭 STAGE SCAN。这种对灯泡操作的控制级别可以节省功耗并更好地利用宝贵的灯泡时间。
使用直接CO 2激光结构制造聚合物光导板（LGP）
光导板（LGP）是一个不可或缺的组件，可帮助从各种应用中从光源中分发照明。因此，LGP中微观结构模式的设计和质量在实现高发光效率和光均匀性方面起着重要作用。这项研究调查了使用CO 2直接激光结构在PMMA上使用CO 2直接激光结构，激光功率与激光扫描速度与微点形成之间的关系。此外，还使用亮度计评估了不同微点音高对亮度的影响。我们的发现表明激光功率的增加和激光扫描速度的降低导致较大的微点直径和更深的微点。结果还表明，音高越小，亮度读数越高。总体而言，研究中证明的低成本CO 2直接激光结构能够产生一致的微点模式直径和高度，这适用于质量产生中LGP的制造。
速率常数的定量预测及其在有机发射器中的应用
自然界中的许多现象由多个基本过程组成。如果我们可以定量地预测各个过程的所有速率常数，我们可以全面预测和理解各种现象。在这里，我们报告说，可以使用多共振热激活的延迟荧光（MR - TADF）定量预测所有相关的速率常数和量子收率，而无需进行实验。MR - TADF是出色的发射器，因为它的发射狭窄，高发光效率和化学稳定性，但它们具有一个缺点：慢速逆向间间交叉（RISC），从而导致效率滚动和降低设备寿命。在这里，我们显示了一种用于定量获得所有速率常数和量子收率的量子化学计算方法。这项研究揭示了一种改善RISC的策略，而不会损害其他重要因素：辐射衰减率常数，光致发光量子产量和发射宽度。我们的方法可以在广泛的研究场中应用，从而对包括激子的时间演变提供了全面的理解。
OKI技术评论，第242期，利用QST x CFB实现垂直GaN器件社会化应用的新技术
随着实现碳中和目标的加速，为提高社会能源效率，对更高性能半导体器件的需求日益增长。2006年，OKI在全球首次通过独特的CFB（晶体薄膜粘合）*1）技术1）成功量产集成不同材料LED和IC的器件。从那时起，集成LED元件的出货数量已超过1000亿点，已成为具有高量产可靠性的核心技术。上述案例将LED集成到具有反射结构的IC上，从而提高了发光效率，并改善了器件的能源效率。使用CFB开发的新结构将进一步为半导体器件创造附加值。“CFB解决方案”（图1）是一项举措，它不仅将CFB技术应用于LED，而且还将其应用扩展到其他各种晶体材料和器件，以创造具有附加值的新半导体器件。 CFB基板是通过将具有不同功能（晶体层膜）的高性能材料和器件从种子基板上剥离并将它们粘合到不同的基板上而制成的。