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World File Search System发射强度
La3+离子掺杂浓度对晶体的影响...
采用振动磨法将La 3+ 离子掺杂的Y 0.998 Pr 0.002 InGe 2 O 7 荧光粉原料混合,采用固相反应在空气中1200 ℃煅烧10 h。无论La 3+ 离子掺杂浓度如何,La 3+ 离子都不会改变晶体结构,但会改变荧光粉的激发和发射强度等发光性能。当La 3+ 离子掺杂含量为10 mol%时,荧光粉在深紫外光激发下的饱和发射强度有所提高。由于在Y 0.998 Pr 0.002 InGe 2 O 7 体系中引入半径较大的La 3+ 离子替代半径较小的Y 3+ 离子，压应变的增加导致氧空位浓度的降低，从而改变了Pr 3+ 离子4f–4f 跃迁的1 D 2 →3 H 4 和3 P 0 →3 H 4 辐射的发射强度。La 3+ 离子掺杂的Y 0.998 Pr 0.002 InGe 2 O 7 荧光粉的CIE色坐标略有偏移，但在不同的La 3+ 离子掺杂含量下均处于白光区域。这为改善白光LED用Y 0.998 Pr0.002 InGe 2 O 7 单相白光荧光粉的发光性能提供了一种智能方法。此外，1 D 2 → 3 H 4 和 3 P 0 → 3 H 4 辐射的各种发射强度比使荧光粉可应用于氧气传感器。
太空探索的放射发光核电电池技术开发
抽象的放射发光核电电池是核电池中间接转换的重要代表性类型。已详细研究了此类电池的设计，制造和性能优化。包括荧光层材料参数，荧光层结构设计，放射发光光谱调节以及放射性发光发射强度增强的特定研究内容。在β颗粒和X射线激发下测试了具有不同荧光层的核电池的电特性。随着荧光层的质量厚度增加，电性能参数首先增加然后减小，并且具有最佳的质量厚度。通过胶带粘附方法制备具有不同结构几何参数的CU磷光层。当磷光层的厚度接近放射性颗粒范围时，可以实现良好的输出性能。此外，还引入了纳米荧光材料的效果机制，以提高电池性能。CSPBBR 3钙钛矿量子点薄膜材料及其在放射发光核电池中的应用。CSPBBR 3可以有效地增强光谱响应耦合度，并大大提高电池的输出功率。此外，制备了使用CDSE/ZnS核心壳量子点与Au纳米颗粒相结合的新型放射发光材料。结果表明，纳米耦合系统确实可以改善发光发射强度和电池输出性能。这项研究工作可以为未来的空间电池技术提供新的方向。
国际温室气体控制杂志
碳捕获，运输和存储（CCT）使工业发射器的脱碳化。CCTS在达到零净排放目标方面被认为至关重要，但目前远远落后于所需的量表。CCTS部署点源可能会由CCT链依靠当前可用的技术（称为开拓供应链）加速。特别是，可以在没有新的运输基础设施的情况下实施标准容器中的CO 2。开创性的CCT连锁店不得引起更多的排放，而不是成功地避免CO 2排放。使用生命周期评估，我们表明，开创性的CCT链发出的CO 2比永久存储的CO 2少，这表明CCT今天已经可以避免50％至70％的点源温室气体排放。该证据证明了基于CCT中稀缺的运营经验的不确定性证明了强大的证据。我们的环境评估表明，将捕获率提高到假定的90％以上是增加CCT链排放量以上80％以上的主要杠杆。捕获和运输CO 2会导致该连锁店依靠化石燃料的全球变暖影响。与开拓性的CCT链相比，降低能源供应的温室气体发射强度并改用基于管道的运输可以减少全球变暖和其他环境影响。 我们的分析表明，开拓性链可以加速基础架构扩展，同时从点源成功存储CO 2。降低能源供应的温室气体发射强度并改用基于管道的运输可以减少全球变暖和其他环境影响。我们的分析表明，开拓性链可以加速基础架构扩展，同时从点源成功存储CO 2。
马来西亚的绿色技术
•《联合国气候变化框架公约》（UNFCCC）2016年的巴黎协定：马来西亚已承诺将温室气体（GHG）排放量减少到2030年，以减少45％的排放量。在从发达国家获得气候融资，技术转移和能力建设后，无条件地设定了35％的目标，有条件地设定了10％。2014年，仅考虑土地使用，土地利用变化和林业（LuluCF）排放，每单位GDP的温室气体排放强度与2005年水平相比，大约27％。温室气体发射强度在2014年提高了33％（包括lulucf的去除）。马来西亚还承诺保持最低森林和树木保护水平50％。该国的主要温室气体排放贡献者来自能源行业，运输，制造业和工业流程，废物以及农业部门
b'在室温下，已证实 GaN 半导体中 1.5 \xce\xbc m 电信波长的稀土激光作用。我们已报道了在上述带隙激发下，通过金属有机化学气相沉积制备的 Er 掺杂 GaN 外延层产生的受激发射。使用可变条纹技术，已通过发射强度阈值行为作为泵浦强度、激发长度和光谱线宽变窄的函数的特征特征，证实了受激发射的观察。使用可变条纹设置，在 GaN：Er 外延层中已获得高达 75 cm 1 的光增益。GaN 半导体的近红外激光为光电器件的扩展功能和集成能力开辟了新的可能性。'
b'在室温下，已证实 GaN 半导体中 1.5 \xce\xbc m 电信波长的稀土激光作用。我们已报道了在上述带隙激发下，通过金属有机化学气相沉积制备的 Er 掺杂 GaN 外延层产生的受激发射。使用可变条纹技术，已通过发射强度阈值行为作为泵浦强度、激发长度和光谱线宽变窄的函数的特征特征，证实了受激发射的观察。使用可变条纹设置，在 GaN：Er 外延层中已获得高达 75 cm 1 的光增益。GaN 半导体的近红外激光为光电器件的扩展功能和集成能力开辟了新的可能性。'
还原计划
Zentiva Group在年度报告中报告了非财务问题，其中首次发布于2021年。以下陈述与我们的2022年报告有关；我们目前正在研究2023年可持续性报告的最终确定。在2022年，Zentiva组扩大了我们的范围3排放计算，这导致工业现场范围3的增加3个排放量从2021年的44 607 T CO 2 E到2022年的53 615 T CO 2E。我们将生产量增加到636 485 454 SMU，而2021年的628 677 134 SMU。从2021年开始，范围1和2的绝对减小至28 541 TCO 2 E，我们将GHG发射强度降低至0,045 G CO 2每SMU，降低了7,715％。包含偏移，我们的温室气体排放强度下降到每SMU的0,036 kgco 2 E，降低了25.5％。
Purcell 增强确定性耦合......
通过腔量子电动力学增强单光子源发射是实现许多量子光学技术中适用发射器的关键。在这项工作中，我们提出了一种灵活方便的腔体制造工艺，该工艺将 SU-8 微带确定性地写入光子晶体波导，其中 InGaAs/GaAs 量子点作为发射器。条带腔在具有选定发射波长的量子点位置处进行激光图案化。进行了微光致发光研究，结果表明，在与单个量子点弱耦合的情况下，发射强度增强了 2.1 倍，时间分辨光致发光进一步显示 Purcell 增强因子为 2.16。因此，该制造工艺被证实是一种将确定性腔耦合引入选定量子点的可靠方法。