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World File Search System发射过程
简单量子系统中绝热不变量的Ehrenfest方法及进入能量发射过程的时间间隔的计算
第一步，将有关角轨道动量绝热不变性的埃伦费斯特推理应用于氢原子中的电子运动。结果表明，从氢原子中考察的轨道角动量可以推导出从量子能级 1 n + 到能级 n 的能量发射时间。发现这个时间恰好等于焦耳-楞次定律规定的电子在能级 1 n + 和 n 之间跃迁的时间间隔。下一步，将输入量子系统的机械参数应用于计算电子跃迁特征时间间隔。这涉及氢原子中的相邻能级以及受恒定磁场作用的电子气中的朗道能级。
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•该项目的预期市场影响包括向汽车，建筑，能源，包装和航空航天等部门中更可持续和节能的材料的转变。•通过提供碳基材料的高性能替代品，该项目将有助于降低环境影响和生产成本。•这些高级聚合物纳米复合材料的开发有望满足行业对轻质，耐用材料的日益增长的需求，同时还解决了与有毒气体发射过程中生产过程中与有毒气体排放相关的安全问题。
体现碳和道路基础设施简介
●建立基础设施并释放到大气中的碳排放，过程是不可逆的。本质上，体现的碳与资本投资相似。现在，通过建立基础设施，我们正在从预算的GHG排放量中获得巨大的前期贷款，我们被允许散发到大气中。这与运营碳相反，在该碳中，排放量将逐渐释放到气氛中，这使我们有更多时间通过依靠未来的技术进步来投资较低的发射过程。因此，到2050年，预计体现碳的份额将增加。●支持工业脱碳和减少碳的技术发展，可能仅仅是仅关注尾管排放的（即道路运营碳）。
通过声音辅助激发
半导体量子点中的旋转是有希望的局部量子记忆，可以产生偏振化编码的光子簇状态，如开创性的Lindner和Rudolph方案[1]。然而，利用光学转变的极化程度受到共鸣激发方案的阻碍，这些方案被广泛用于获得高光子不明显。在这里我们表明，声子辅助激发（一种保持高度可区分性的方案）也允许完全利用极化的选择性光学转变来初始化并测量单个自旋状态。我们在低横向磁场中访问孔自旋系统的相干性，并在激发态的辐射发射过程或量子点基态下直接监测自旋倾向。我们报告的旋转状态检测功能为94。7±0。由光学选择规则和25±5 ns孔旋转相干时间授予的2％，证明了该方案和系统具有以十二个光子为单位的线性簇状态的潜力。
j.physletb.2022.137112.pdf
人们普遍认为，广义相对论中的黑洞在霍金蒸发作用下会逐渐失去角动量和电荷，从而演化为史瓦西态。然而，当 Kim 和 Wen 将量子信息论应用于霍金蒸发，并认为具有最大互信息的霍金粒子可以主导发射过程时，他们发现带电黑洞趋向于极端状态。鉴于一些证据表明极端黑洞实际上是奇异的，这将违反宇宙审查猜想。然而，由于 Kim-Wen 模型过于简单（例如，它假设粒子谱连续，具有任意的电荷质量比），人们可能希望更现实的模型可以避免这个问题。在这项工作中，我们表明，只有有限种类的带电粒子实际上会使情况恶化，一些最终状态会变成裸奇点。以此模型为例，我们强调需要研究在给定的霍金蒸发模型下带电黑洞是否能够违反宇宙审查制度。
单层WSE2带有双轴应变调谐的上传感器的光致发光
摘要：机械应变可用于调整单层过渡金属二核苷（1L-TMD）的光学特性。在这里，从1l-wse 2薄片的上转换光致发光（UPL）用通过十字形弯曲和压痕法诱导的双轴应变调节。发现，随着施加的双轴应变从0％增加到0.51％，UPL的峰位置被大约24 nm红移。同时，对于在-157 MeV至-37 MeV之间的宽范围内的上转换能量差，UPL强度指数增加。在三种不同的激发波长为784 nm，800 nm和820 nm处的1L-WSE 2中，UPL发射在1L-WSE 2中观察到的线性和肌功率依赖性表示多音辅助的一photon photon UpConversion发射过程。1L-TMDS的应变依赖性UPL发射的结果铺平了光子上转换应用和光电设备进步的独特途径。
4。材料的光学特性
通过替换h = 6.626 x 10 -34 js，c = 3 x10 8 ms -2和λmax= 0.7 x 10 -6 m e g（min）= 2.84 x 10 -19 j（or）1.8 eV的结果表明，所有可见光都被那些具有频带隙能量的半径差异少于1.8 ev所吸收的。因此，这些半导体是不透明的。在外部半导体中，受体和供体杂质的存在会产生新的能级受体水平（E A）（P型半导体）和供体水平（E D）（N型半导体），如图所示。这些杂质水平位于材料的带隙内。特定波长的光辐射可能是由于带间隙内的电子杂质水平或到这些杂质水平的结果所吸收的。4.6。电荷注入和辐射重组电子和孔可以以多种方式注入传导和价带中。光入射在材料上和光子的吸收上会产生电子孔对。我们还在P-N二极管中使用外部电池偏置也注入电子和孔。电子和孔将彼此重新组合，而导带中的电子将返回到价带。可以在两个过程中进行此重组过程。它们是（i）辐射过程和（ii）非辐射过程。在辐射过程中，E-H对重组和光子发出。这是光子吸收过程的倒数。电子孔对也可以重组而不会发光。相反，它们可能会发出（i）热量或（ii）光子或（iii）长波长光子与光子一起发出。这样的过程是非辐射过程。当电子和孔被泵入半导体中时，它们通过自发发射过程重组。此过程不需要光子来进行光子发射过程。自发重组率对于电子和光电设备都非常重要。载体注射的类型（i）少数载体注射，如果N >> P和样品大量掺杂的N型重组率与孔密度成正比。因此，重组率与少数载体密度成正比（孔中的孔）（ii）强注射
使用多层电驱动等离子体光栅实现均匀发光
通过金属-绝缘体-金属隧道结的非弹性隧穿 (LEIT) 发光是一种超快发射过程。它是在集成电路上实现从电信号到光信号的超快转换的有前途的平台。然而，现有的 LEIT 器件制造程序通常涉及自上而下和自下而上的技术，这降低了它与现代微加工流程的兼容性并限制了其在工业扩大规模中的潜在应用。在这项工作中，我们通过使用原子层沉积生长的多层绝缘体作为隧道屏障来解除这些限制。我们首次完全通过微加工技术制造 LEIT 器件，并在环境条件下表现出稳定的性能。在整个有源区域上观察到均匀的电致发光，发射光谱由金属光栅等离子体形成。在 LEIT 中引入多层绝缘体可以为设计隧道屏障的能带景观提供额外的自由度。所提出的制备稳定的超薄隧道势垒的方案也可能在广泛的集成光电器件中找到一些应用。
![arXiv:2212.11202v2 [quant-ph] 2024 年 2 月 2 日](/simg/g:\will\search\icon\source\4\4799938a2e34e43e1a115ef9f15f2222a0dae639.webp)
arXiv:2212.11202v2 [quant-ph] 2024 年 2 月 2 日
物质量子比特到行进光子量子比特的转换是众多量子技术（如分布式量子计算）以及多种量子互联网和网络协议的基石。我们制定了一种受激拉曼发射理论，该理论适用于广泛的物理系统，包括量子点、固态缺陷和捕获离子，以及各种参数范围。我们找到了不完美发射器的任意物质量子比特状态的光子脉冲发射效率的上限，并展示了优化保真度的前进道路。基于这些结果，我们提出了一种范式转变，从优化驱动器到直接使用闭式表达式优化飞行量子比特的时间模式。提出了产生时间箱编码和自旋光子纠缠的协议。此外，使用脉冲输入输出理论将主要发射过程吸收到相干动力学中的数学思想，然后采用非厄米薛定谔方程方法，在研究其他物理系统方面具有巨大潜力。