可插入的

IMB-CNM

3D硅检测器[1，2]在高能物理应用中确立了自己的关键技术。与平面探测器相反，在硅的批量而非表面实现了3D检测器中的电极（连接和欧姆接触）（见图1）。这种独特的几何形状使这些探测器可以结合高辐射硬度和低功耗。高辐射硬度源于电极之间的短距离，因此限制了载流子被辐射引起的缺陷捕获，而信号则由粒子的较大轨道通过硅晶圆晶粒厚度定义。低耗尽电压可以保证即使在改善收费收集所需的过度电压下，也可以保证低功耗。这两个方面在高能物理实验的内部跟踪探测器中至关重要。3D硅探测器被用作最接近相互作用点或光束的像素探测器。他们于2014年成功安装在Atlas检测器的可插入的B层中（IBL-ATLAS）[3]，2016年在Atlas Forward Proton（AFP）探测器[4]中，在2017年，在CMS-Totem Precision Procion Spectreprmeter（CT-PPPS）[5]和较高的for for for for for for for p. ppps（ct-ppps）[5]，并且对高度lumc（均为aTC）（hlc）（hlc）（hlc）（和CMS探测器[6，7]。它们的组合辐射硬度和时机特性也使它们成为平面探测器的有前途的替代方案，该探测器限于〜10 15 cm-2 [8]的功能，并且可以在恶劣环境中确立自己的固态定时探测器[9]。在IBL 中证明了3D检测器的生产性在IBL这些吸引人的特征以不均匀的信号，大传感器电容为代价，这是由于电极间间距较小和较长的电极深度以及制造的复杂性提高。实际上，IBL技术设计报告指出，“主要关注3D传感器的主要问题是生产运行的制造性和均匀性” [10]。3D技术是一项相对复杂的技术：制造运行由〜120-140步，具有8个掩码水平，而标准平面像素（根据IMB-CNM定义）为〜40步和5个掩码水平。