利用分光光度计系统测量吸收光谱。该系统由 OL 740-20D/IR 光源 (Gooch & Housego) 组成,配备 150 瓦石英卤钨灯,可在 250 nm 至 3500 nm 的波长范围内工作,OL 750-MD 双单色仪 (Gooch & Housego),OL 750- 10 镜面成像光学模块 (Gooch & Housego),816C-SF-6 积分球 (Newport) 和 OL 750-HSD-300 硅探测器模块 (Gooch & Housego),可在 200 nm 至 1100 nm 的波长范围内工作。此外,还使用了 OL 750-C 控制器 (Gooch & Housego),以便在设置和计算机之间提供通信,并使用 OL 83A 可编程直流电流源 (Gooch & Housego) 负责控制钨灯的电流输入。利用白色标准进行相对反射率测量。获得的反射光谱范围从 350 nm 到 1100 nm。结果与讨论
摘要。在本文中,我们从理论上研究了内部井组成,大小和杂质在gan/(ga)N/gan n/gan杂质结构中的内部井组成和杂质的位置以及传导带光吸收。基于数值有限的元素方法(FEM),考虑到井及其周围矩阵之间的介电常数和有效的质量不匹配,为有限的潜在屏障求解了杂质相关的schrödinger方程。我们的结果表明,吸收由偶极基矩阵元素以及初始和最终的状态过渡能强烈控制。对于固定的屏障宽度,发现吸收光谱被发现红移(蓝移),井宽度增加(浓度)。还表明,与中心相比,杂质的吸收现象对于中心的情况更为明显。我们得出的结论是,需要正确控制这些参数,以充分理解太阳能电池应用的光吸收。
通过第一性原理方法对等离子体纳米粒子的光谱进行建模需要耗费大量的计算资源,因此需要具有高准确度/计算成本比的方法。本文,我们表明,如果在辅助基组中每个原子仅采用一个 s 型函数,并采用适当优化的指数,则可以大大简化时间相关密度泛函理论 (TDDFT) 方法。这种方法(称为 TDDFT-as,代表辅助 s 型)可以预测不同尺寸和形状的银纳米粒子的激发能量,与参考 TDDFT 计算相比,平均误差仅为 12 meV。TDDFT-as 方法类似于线性响应处理的紧束缚近似方案,但适用于原子跃迁电荷,这里精确计算(即没有来自群体分析的近似)。我们发现,原子跃迁电荷的精确计算大大改善了宽能量范围内的吸收光谱。
摘要。为有机光伏细胞结构提出了半球形壳形状,旨在增强光吸收和角度覆盖。三维有限元分析方法用于研究半球形壳形活性层中的吸收光谱。研究表明,与扁平结构化的设备相比,当传入光是横向电动(TE)和横向磁性(TM)极偏振时,所提出的结构可能会导致66%和36%的吸收改善。与先前报道的半微粒壳结构相比,所提出的半球形壳结构的吸收改善高达13%(TE)和21%(TM)。也提高了所提出的结构的角度覆盖范围,达到81度(TE)和82度(TM),这对于可穿戴的电子应用非常有用,在这些应用中,入射角可以随机变化。这些改进可以归因于更好的光耦合和通过设备半球形外壳形状使活跃层引导。
摘要:以原始形式和含有碳纳米管(CNT)或Fe 2 O 3纳米颗粒(NP)(NPS)的超高分子量聚乙烯(UHMWPE)的薄薄片。CNT和Fe 2 O 3 NP的重量百分比在0.01%至1%之间。通过传输和扫描电子显微镜以及通过能量分散X射线光谱分析(EDS)来确认UHMWPE中CNT和Fe 2 O 3 NP的存在。使用衰减的总反应傅立叶转化红外(ATR-FTIR)光谱和UV-VIS吸收光谱光谱光谱光谱光谱法研究了嵌入式纳米结构对UHMWPE样品的影响。ATR-FTIR光谱显示了UHMWPE,CNTS和Fe 2 O 3的特征。关于光学性能,无论嵌入纳米结构的类型如何,都观察到光吸收的增加。从光吸收光谱中确定允许的直接光能差距值:在这两种情况下,它都随着CNT或Fe 2 O 3 NP浓度的增加而降低。将提出和讨论获得的结果。
摘要:研究了采用低热梯度提拉技术(LTG Cz)生长的 Eu 3 + 掺杂 Bi 12 GeO 20(BGO)硅铅矿块状晶体的光谱特性。测量了室温(300 K)和 10 K 下的吸收光谱和发射特性。观察到由 Eu 3 + 离子直接激发和由 Bi 3 + 和 Eu 3 + 离子之间的能量转移引起的紫外激发下的发光。研究了 Eu 3 +:BGO 掺杂基质中 Bi 3 + → Eu 3 + 的能量转移机制。基于 Judd-Ofelt 形式计算了 Ω λ 参数和辐射寿命。基于获得的实验结果,还确定了分支比和电偶极跃迁概率。已观察到 Eu 3 + 的 5 D 0,1,2 能级发出的发光,其中 5 D 0 能级的发光最强。观察到的最强发光带对应于 578.7 nm 处的 5 D 0 → 7 F 0 跃迁。研究了理论上被禁止的 5 D 0 → 7 F 0 发光强烈存在的原因。
[(DNA)2 - AG 16 Cl 2] Q(q = 10)(图1)。10我们的先前理论工作提供了氯化物配体的证据,并首先了解了聚类的电子结构和光吸收10的特征,以及有关如何在DFT计算中处理这些系统在溶剂溶液中如何处理这些系统的基准,相对于溶剂效应,交换量的水平,交换相互作用的水平以及溶液中的内在电荷。11,我们在参考文献中发现。11,簇电荷对最高占用和最低的未占用分子轨道(HOMO-LUMO GAP)以及计算的UV-VIS吸收光谱之间的能量差距明显影响,然后可以直接与早期发布的实验数据进行比较。一个明确的结论是,电荷Q = 10 E给出了与实验数据和电子基态最大的Homo -Lumo间隙的绝对最佳匹配,反映了
一般方法S2合成芳唑酯的一般程序1 S3程序,用于合成苯胺前体2q和2R S7的一般方法,用于光促进RGO S8 XPS的功能化功能化功能化的1- RGO材料S10 XP的rgo材料与纤维中的靶标S11 XPS的功能性S11 S11 XPS XPS xps apper, molecules S12 XPS of rGO functionalized with bromine-bearing target molecules S13 XPS of rGO functionalized with pyridine and thiophene-bearing target molecules S14 XPS of rGO functionalized with iodine-bearing target molecules S15 XPS characterization of the functionalized 1 - GO S16 Procedure for the Suzuki coupling on functionalized 1m - rGO S18 XPS结合能和C 1S拟合了功能化1A -HOPG S23吸收光谱S25 NMR光谱S33 S33参考S42
摘要 金刚石中的氮空位 (NV) 缺陷中心是量子传感和量子计算应用的关键。它们在金刚石晶格中产生局部电子态,在光激发后具有不同的群体弛豫路径,最终使其具有独特的性能。已知缺陷存在于两种电荷状态:中性和负电荷状态,分别具有一个和两个已知的光学活性电子跃迁。在这里,我们报告了在两种电荷状态下观察到的大量迄今未被发现的激发电子态,这可以通过光谱中红外到紫外部分的明显光学跃迁来证明。通过使用瞬态吸收光谱监测光激发后 NV 中心的电子弛豫来观察这些跃迁,直接探测在飞秒到微秒的时间尺度上发生的瞬态现象。我们还首次探究了从 NV − 的 3 E 态到附近的单取代氮缺陷 (N s ) 的电子转移动力学,这导致了众所周知的 NV 光致发光猝灭效应。
电子束粉末床熔合 (E-PBF) 是一种用于金属零件增材制造的极具吸引力的技术。然而,工艺改进需要精确控制电子束传递给粉末的能量。在这里,我们使用可调谐二极管激光吸收光谱 (TD-LAS) 来测量 E-PBF 期间蒸发的钛原子的速度分布函数。激光二极管发射的窄光谱范围允许对蒸发原子进行高分辨率吸收分布分析,从而准确确定它们在熔化过程中的多普勒展宽、密度和温度。获得的蒸汽温度表明熔池表面相对于钛的低压 (0.1 Pa) 沸点过热,表明蒸发发生在非平衡条件下。我们表征了线性能量密度对钛蒸发的影响,发现它与饱和蒸汽压一致。我们对蒸汽特性的表征为熔池模拟提供了可靠的输入。此外,可进一步利用TD-LAS来防止低浓度合金元素的蒸发,从而防止打印部件出现缺陷。