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World File Search System埃尔门
埃莱姆的事实与奥秘
二十世纪的物理学取得了巨大的进步。二十世纪上半叶的基础物理学以相对论、爱因斯坦引力理论和量子力学理论为主导。二十世纪下半叶，基本粒子物理学兴起。物理学的其他分支也取得了很大进展，但从某种意义上说，超导性的发现和理论等发展是广度上的发展，而不是深度上的发展。它们不会以任何方式影响我们对自然基本定律的理解。从事低温物理学或统计力学研究的人都不会认为这些领域的发展，无论多么重要，都会影响我们对量子力学的理解。通过这一发展，观点发生了微妙的变化。在爱因斯坦的引力理论中，空间和时间起着压倒性的主导作用。物质在空间中的运动是由空间的性质决定的。在这个引力理论中，物质定义了空间，物质在空间中的运动由空间结构决定。这是一个宏伟而壮观的观点，但尽管爱因斯坦拥有巨大的权威，大多数物理学家都不再坚持这一观点。爱因斯坦在生命的后半段试图将电磁学纳入这一图景，从而试图将电场和磁场描述为时空的属性。这被称为他对统一理论的追求。在这方面他确实从未成功过，但他不是一个轻易放弃观点的人。
皮埃尔-路易·巴赞
研究工作 我的研究集中在开发计算建模技术上，以便更好地了解人类行为背后的神经解剖学和功能。我的工作主要集中在高场和超高场的磁共振成像 (MRI)。在方法论和应用工作中，我推进了层状 MRI 和 fMRI 的研究、脑髓鞘和铁的体内成像、小脑皮层和神经血管的映射以及皮层下分区。凭借计算神经解剖学的坚实基础，我最近研究了白质病理对认知和健康的影响、功能连接梯度的解剖学基础以及神经可塑性对 MRI 的影响。我最近的努力更加集中于构建皮层下结构和功能的详细模型，皮层下是人类大脑中一个重要但研究不足的区域，通过从显微镜到系统架构和认知模型的跨越。这些努力不仅体现在国际期刊和会议的出版物中，也体现在开源软件包和开放数据集等开放科学成果中。
乔伊斯·范·埃克
Physalis属包括未充分利用的物种，例如Groundcherry（Physalis Grisea）和Goldenberry（Physalis Peruviana），这些物种因其高度营养丰富的果实而受到重视。但是，农民的广泛采用受到阻碍，因为几乎没有做出任何改进。因此，它们的增长类似于野生物种，使生产管理具有挑战性。为了解决这个问题，我们正在使用基因组编辑来纠正不良特征，例如物种中的野生，不可控制的生长和果实的水果滴，由于脚踏室的关节区域脱落而在所有成熟阶段都发生。用于植物生长修饰，我们使用了三种不同基因的CRISPR/CAS9介导的诱变：自我促进，臂臂和勃起。编辑的线条表现出紧凑的生长习惯，其基因和物种也有所不同。为防止接地果实脱落，我们瞄准了无节型基因，并消除了花梗关节，使果实可以在植物上完全成熟。将对所有编辑的线条的果实糖含量，产量和其他与农业相关的特征进行评估。此外，我们正在使用GroundCherry作为模型探索无组织培养的基因组编辑。迄今为止，我们已经成功编辑了植物去饱和酶基因，并以预期的漂白表型恢复了后代。总的来说，我们的工作是将未充分利用的物种带到农艺可行作物水平的模型。
使用单克隆抗体分析粘液虫（粘菌门：粘孢子门）孢子抗原
摘要：开发了一种采用 Percoll™ 梯度离心法从大西洋鲑 Salmo salar 的体肌组织中纯化 Kudoa thyrsites 孢子的方法。然后用高度纯化的孢子免疫近交系 BALB/c 小鼠，以衍生分泌 Kudoa 特异性单克隆抗体 (mAb) 的杂交瘤。通过免疫荧光显微镜和流式细胞术对 mAb 进行分析表明，几种 mAb 对 K. thyrsites 孢子表面的抗原具有特异性，而其他 mAb 与 K. thyrsites、K. paniformis 和 K. crumena 孢子的极性荚膜或极性细丝发生反应。使用表面结合 mAb 对孢子裂解物进行免疫印迹，结果显示 46 至 >220 kDa 的宽条带，而针对极性荚膜和极性细丝抗原的特异性 mAb 检测到不同分子量的更清晰条带，具体取决于 Kudoa 物种。K. thyrsites 孢子表面抗原的主要表位被证明是碳水化合物，这是由其对无水三氟甲烷磺酸处理的敏感性和对蛋白酶 K 处理的抗性决定的。使用 K. thyrsites 特异性 mAb 对分离的、完整的、透化的疟原虫和含有疟原虫的体细胞肌肉组织薄切片进行免疫荧光显微镜检查，发现在产生孢子的疟原虫和受感染的大西洋鲑鱼肉中都有孢子的强烈标记。通过免疫印迹法检测到的孢子只有 100 个，表明这些 mAb 具有用于开发基于现场的诊断测试的潜力。
三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要在本文中，已经开发了不对称高架源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的隧道连接装置性能。基于设备物理学的分析建模是通过求解2-d poisson方程进行的。表面电势分布，电场变化和带对波段隧道（B2B）的速率已通过此数值建模研究。在我们提出的结构中，来源已升高（不同的2 nm至6 nm）以融合角效应。这可以通过薄隧道屏障进行载体运输，并具有控制的双极传导。这最终为N通道AES-TFET结构产生更好的源通道界面隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。模拟图形表示最终通过AES-TFET的分析建模验证。关键字AES-TFET·表面电势分布·电场变化·B2B隧道·TCAD·数值建模。1介绍纳米科学和纳米技术在纳米级设备中的出现，晶体管的物理大小已被绝对地缩小。通过遵循2022年摩尔的法律预测，微型化已达到其对金属氧化物施加效应晶体管（MOSFET）的极限[1]。在这方面，过去二十年中已经出现了各种扩展问题。短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。 为了克服这些问题，在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。为了克服这些问题，在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。但是，在目前的情况下，在60mv/十年的MOSFET上有限的子阈值摇摆（SS）是研究人员的主要缺点。ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com
三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要已开发了不对称扩展源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的设备性能。已通过求解2-D Poisson的方程来分析并执行所提出的设备模型。表面电势分布，电场变化和带对频带隧道（BTBT）速率已通过此数值建模研究。TFET新颖结构的源区域已扩展（不同的2 nm至6 nm），以结合角效应，从而通过薄薄的隧道屏障进行了BTBT，并具有受控的双极传导。这最终为N通道AES-TFET产生了更好的源通道接口隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。最终通过AES-TFET的分析建模来验证模拟工作。更好的是，我关闭和切换比是从这个新颖的TFET结构中获得的。
商用钢制和铝制分段门
Thermapro™ 隔热分段门厚度为 3 英寸，采用压力注入的无氟聚氨酯泡沫，计算出的 R 值为 25.8。CHT-850 型号采用钢化铝面板，具有 24 号规格的灰泥纹理，内外侧带有 V 型槽。CHT-832 型号采用镀锌钢面板，外侧面为 20 号规格的齐平光滑表面，内侧面为 26 号规格的木纹纹理，带有 V 型槽（内侧面 20 号规格为可选）。CHT-816 型号采用镀锌钢面板，具有 26 号规格的木纹纹理，内外侧带有 V 型槽。分段接头为榫槽接头，可抗风。分段具有 16 号规格钢制端立柱和全垂直钢制背板，可增加强度，并具有坚固的表面硬件连接点。