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World File Search System埋入的
设计，模拟和优化硅基板上增强的垂直GAN纳米线晶体管用于电力电子应用
在高能量物理中使用的大探测器系统中相互作用点附近的像素阵列的发展需要像素及其读数的高辐射硬度。基于量子井的像素设备，称为dotpix使用带有控制门的传感N通道MOS设备。埋入的GE层充当当前的调制门，该栅极定位通过撞击颗粒而产生的孔。通过si上GE的低温外延生长获得了Dotpix埋入的GE门。我们已经开始研究实现这些先决条件的不同方法：需要低温预算来减少GE和SI相互混合，这可能对DotPix操作有害。使用Si热氧化物与沉积的氧化物（例如氧化物）一起研究，这与二氧化硅不同。在这项研究中，二氧化硅和沉积的氧化物结合的可能性为另一种可能性。
耦合 - ridge波导量子级联激光阵列在λ〜5μm
摘要：在这项工作中，我们通过采用了一个操作的耦合 - ridge波导（CRW）结构，证明了以λ〜5μm的激光为λ〜5μm的高功率量子级联激光（QCL）阵列。五元素QCL阵列进行了模拟和制造，以将CRW结构扩展到中波红外状态。通过正确设计山脊和空间的几何形状，可以观察到约10°的衍射限制强度曲线附近的主峰的侧面远场。通过引入埋入的2阶分布式反馈（DFB）光栅，在25°C下以高于1 W的辐射功率的底物发射。单个纵向模式的操作是通过更改良好的细胞波长调音系数为–0.2 cm –1 /k的温度来获得的。
葡萄园葡萄球菌的室温操作单...
图2 |横截面示意图，SEM图像和I-V特征的特征。a，示意图。B植入物用于在GE中创建P接触区域（最深的蓝色），P植入物用于在Si中创建N-Contact区域。SI中的其他B植入物形成GE以下的两个区域，一个作为电荷层（较轻的蓝色），一个作为筛选层（较深的蓝色）。Si中的其他P植入物形成了埋入的SIO 2上方的深N孔区域，以及N-Contact区域和深N-Well区域之间的N-链接区域。b，SEM图像。图像被捕获，对应于图中的黄色虚线包围的黄色区域2（a）。请注意，PT，即白色的共形层，在设备上沉积以避免使用SEM充电。c，d，光电流（实心曲线）和暗电流（虚线曲线）及其相应的增益，绘制为S1（蓝色）和S2（红色）的施加电压的函数。由参考PD的照片电流确定，图。2（c）和图中的统一增益点2（d）分别通过蓝色和红色点缀的圆圈标记和标记。
第4个Sicomb通讯
SIC是（Opto）电子应用的发展场中的关键组成部分，尤其是SIC-ON-ON-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-On-on-On-on-On-on-On-On-on-On-On-on-On-On-on-On-On-on-On-On-On-On-On-On-On-On-On-siC底物可以开发创新的光子应用和电气开关的新设备。因此，SICOI的制造引起了极大的关注，并且已经在1200°C以上的温度下进行了证明。为了维持互补的金属 - 氧化物 - 氧化型兼容性并避免埋入的SiO2层的扩散，需要低于1200°C的工艺温度。在项目的最后几个月中，FAU在1120°C在SI和SOI底物上通过CVD制造3C-SIC的FAU取得了显着结果。使用带有非水冷却的内部设置的水平冷壁CVD反应器实现了3C-SIC的外延生长。硅烷和丙烷在氢气中稀释，用作硅和碳源的前体气体。对SI底物进行了各种测试后，与高于1200°C的温度相比，由于较低温度下的碳种类分裂的降低，因此选择了6.8的C/Si比为6.8。底物之间的唯一区别是扩展冷倒入周期，这对于防止外延层从SOI底物中分层是必要的。
Bloch状态的逐层拆卸
摘要：按层材料工程产生了有趣的量子现象，例如界面超导性和量子异常效应。但是，探测41个电子状态逐层仍然具有挑战性。这是42理解磁性拓扑绝缘子中拓扑电子状态的层起源的难度来体现的。43在这里，我们报告了磁性44拓扑绝缘子（MNBI 2 TE 4）（BI 2 TE 3）上的层编码频域光发射实验，该实验表征了其电子状态的起源。45红外激光激发启动连贯的晶格振动，其层索引由46个振动频率编码。然后，光发射光谱谱图跟踪电子动力学，其中47层信息在频域中携带。这种层频面的对应关系揭示了拓扑表面状态从顶部磁性层从顶部磁性层转移到埋入的49二层中的48波函数重新分配，从而核对了在50（MNBI 2 TE 4）中消失的破碎对称能量间隙（BI 2 TE 4）（BI 2 TE 3）及其相关化合物。可以将层频率对应关系51在一类宽类的范德华52个超级晶格中划分为逐层划分的电子状态。53
通过电感耦合的质量质等质子状态和食谱的目录对单晶钻石的反应离子蚀刻
在过去的十年中，单晶钻石（SCD）生长的显着技术进步导致了高质量SCD底物的商业产品，通常以尺寸的几个平方毫米的良好特定板的形式获得[1]。同时，此类板的成本已大大降低[2]，这引发了重要的研发工作，旨在利用SCD的特性[3]，热[4]和机械性能[5] [5]用于电子学中的各种应用[6]，光（光（光环）[7-10]，光学和光学技术[11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11]）[11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11] [11]。高质量的SCD板是通过化学蒸气沉积（CVD）[13，14]或高压高温（HPHT）[15]技术生长的。记录示范最近产生的SCD底物直径为10 cm [16]，但如今更典型的尺寸为1 mm – 10 mm，厚度为50μm -1 mm。基板以不同的“等级”类别提供（例如电子[6，17]，光学[18]或机械[19]）根据其杂质的程度，这表明底物性质已被遗忘，特别适合特定的应用区域。SCD的精确成型主要是使用激光切割和烧蚀技术以毫米尺度的目标维度进行的，具有几微米的精确性要求，例如切片钻石板或制造切割工具，用于转弯，敷料或铣削。微丝[41-47]和光栅[48，49]）和光子学（例如用于耦合器[50-54]和谐振器[52，55-59]）。激光处理也用于千分尺尺度的结构，例如复合折射率[20-23]，埋入的波导[24-26]和微通道[27，28]。离子束蚀刻（IBE）可以有效地平滑并抛光SCD板[29，30]，而聚焦的离子束（FIB）铣削已用于制造悬浮的结构[31-33]，砧[34，35]和固体膜片[36-38]。尽管这些图案技术对于一组特定形状和设备最有效，但基于反应性离子蚀刻（RIE）制造方法是最常用的方法，用于广泛的应用，需要亚微米精度[39，40]，例如微观典型（例如，与Rie相比