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用于空间通信的通用数据链路 (CDL)：
摘要：CDL（通用数据链）是美国军方在机载平台上进行情报监视与侦察 (ISR) 的标准通信波形。为支持这一标准，军方拥有众多空中、海上和地面 CDL 系统用于战区连接。当前 CONOPS 缺少的是可以将其战术 ISR 数据直接带入战区的太空资产，以便进行响应式任务分配和收集。随着太空 CDL 设计的出现，我们可以将实时战术数据带入现有的战区地面站。将太空图像从直接任务中带入战区是一项壮举，即使是大型卫星也从未做到过。战区内卫星图像概念将在 2005 年底使用经过修改的机载合格 CDL 通信系统，通过小型卫星演示进行测试，实现 CDL 波形。太空合格 CDL 设计最大程度地利用了 L-3 机载设计，但 L-3 设计的几个方面必须针对太空应用和操作进行更改。零件选择本身就是我们设计方法的重要驱动因素。将最先进的高数据速率通信机载设计迁移到太空并非易事，因为批准的零件清单非常有限。L-3 还利用 CTX-886 空间发射器进行所有非基带设计部分。L-3 设计的成功与我们现有的机载设计相比，大大节省了功耗、重量和体积；功耗降低 58%，重量减少 45%，体积减少 73%。硬件的其他设计增强功能包括： • 无需软件控制即可运行 • 上行链路和下行链路的独立电源 • 由机载处理器或地面站控制 • 耐辐射组件 本文还将讨论性能、硬件和特性。
传输和接收FM，SSB和DSD-AM，QPSK ...
摘要本研究包括使用Softrock Ensemble RXTX SDR收发器和频率ShıftKeyng（FSK）传输和接收FM信号。FM signals are generated and plotted using MATLABalong with two input frequencies and a modulation index as inputs for the developed system, the DSB-SC modulated signals as well as DSB-WC signals are generated by multiplying the message with a carrier, while the SSB ones are generated by filtering out the lower sidebands of the DSB-SC modulated signal.此外，通过载波波的离散频率变化传输数字信息的频率调制方案。高级调制和解调是通过计算机图像的基本程序，这些图像变成了传输通道质量完美的波形； QPSK允许信号使用相同的带宽携带的信息是普通PSK的两倍。关键字：FM，RXTX SDR，FSK，SSB，QPSK 1。简介线绝缘子振幅调制（AM）技术的主要两种类型是单个边带（SSB）和双侧带（DSB）。SSB被认为是一种仅具有一个边带的AM，而没有载波波抑制[1]。另一方面，DSB也被视为具有两个边带的AM；上层和下部，波载体被抑制。实际上，DSB与SSB接收器一致，其中接收器仅拒绝冗余或不需要的边带[2]。考虑到FM，技术，优势，劣势和应用程序的操作范围，基于最先进的研究进行了研究。FM信号频率的工作范围为88-108 MHz [3]，在其中，这些信号不太容易受到人类的方向和存在和尺寸较小的对象[1]，[4]。此外，FM信号主要比Wi-Fi信号强，因为它们可以简单地覆盖有效的室内渗透率[5]。FSK利用两种不同的复发率达到了0和1 [6]的信息估计。较低的复发性可能与1说话，较高的复发可能与0。符号的复发由基带信号控制。通过以前的修正案，您可以到达4PSK
UTRA-TDD 中的低码片速率文档：考虑
以及宏蜂窝网等； 3. 3G TDD 系统应尽可能支持智能天线、上行同步、接力切换、联合检测等先进技术； 4. chip rate 应易于部署用于基带数据处理的软件无线电； 5. 低成本解决方案； 6. 3G TDD 系统应尽可能考虑与现有的 2G 移动系统和未来的 3G FDD 系统的兼容性。基于以上考虑，建议为 TD-SCDMA 采用一种低 chip rate（为 UTRA-TDD 也提供一种低 chip rate 选项），其准确值为 1.3542Mcps。 1.3 性能 对于 IMT2000 RTT，应满足 ITU 的最低要求，该要求在文档 M.1225 中提出。关键是要提供IMT2000所要求的业务，即在不同环境下提供从1.2kbps到2Mbps速率的数据业务，并且提供高频谱效率、低成本、全球漫游等性能。众所周知，在提供同样的数据传输速率下，更窄的带宽或更低的码片速率意味着更高的频谱效率和更低的成本。那么问题就变成了如何选择最小码片速率才能满足IMT2000的最低要求。根据我们的研究，最小码片速率主要取决于RTT中采用的技术。仿真结果表明，TD-SCDMA(UTRA-TDD低码片速率模式)RTT方案在1.3542Mcps码片速率下可以满足IMT2000的最低要求。1.4 技术在1.3542Mcps码片速率下满足IMT2000的最低要求，主要归功于TD-SCDMA RTT中采用的先进技术。也就是说，当RTT采用智能天线、上行同步、联合检测等先进技术时，可以在相同的码片速率下达到更高的数据传输速率和容量，但遗憾的是，基于目前的微电子技术水平，这些技术限制了系统的码片速率。
GR THz 004-V1.1.1
5 收发器构建模块建模 ................................................................................................................................ 20 5.1 信号路径组件 .............................................................................................................................................. 20 5.1.1 接收器噪声系数和非线性 ...................................................................................................................... 20 5.1.1.1 高级建模 ...................................................................................................................................... 20 5.1.1.2 THz 频段接收器非线性模型 ...................................................................................................... 21 5.1.1.3 三阶截点 IIP3dBm 和 SNDR ............................................................................................. 22 5.1.2 发射器输出功率 ................................................................................................................................ 22 5.1.2.1 输出功率的作用 ................................................................................................................................ 22 5.1.2.2 功率放大器输出功率和效率 ............................................................................................................. 23 5.1.3 功率放大器非线性建模................................................................................................... 24 5.2 时钟组件 ...................................................................................................................................... 25 5.2.1 锁相环和倍频器的相位噪声分布 ................................................................................................ 25 5.2.2 时间域相位噪声样本的生成 ............................................................................................................. 28 5.2.2.1 离散时间相位噪声模型 ............................................................................................................. 28 5.2.2.2 相位噪声功率谱密度采样 ............................................................................................................. 29 5.2.2.3 离散 PSD 缩放 ............................................................................................................................. 30 5.2.2.4 相位噪声样本生成 ............................................................................................................................. 30 5.2.2.4.1 随机性包含 ............................................................................................................................. 30 5.2.2.4.2 相位样本生成 ............................................................................................................................. 30 5.2.2.4.3 相位噪声样本生成................................................................................................................ 30 5.2.2.5 单次长生成................................................................................................................................................ 30 5.2.2.6 建议............................................................................................................................................... 31 5.3 数据转换器和基带滤波器........................................................................................................................ 31 5.3.0 简介....................................................................................................................................................... 31 5.3.1 数据转换器....................................................................................................................................... 31 5.3.1.0 简介................................................................................................................................................. 31 5.3.1.1 数据转换器性能指标.................................................................................................................... 32 5.3.1.2 性能趋势.................................................................................................................................... 42 5.4 光束斜视.................................................................................................................................................... 43 5.4.1 THz 波段的光束斜视效应............................................................................................................. 43 5.4.2 光束斜视的理论分析................................................................................................... 44 5.4.3 波束斜视处理 ................................................................................................................................ 48 5.5 射频损伤对 THz 链路的影响 ................................................................................................................ 5031 5.3.1.1 数据转换器性能指标 ...................................................................................................................... 32 5.3.1.2 性能趋势 ...................................................................................................................................... 42 5.4 光束斜视 ......................................................................................................................................................... 43 5.4.1 THz 频段的光束斜视效应 ......................................................................................................................... 43 5.4.2 光束斜视的理论分析 ............................................................................................................................. 44 5.4.3 光束斜视处理 ...................................................................................................................................... 48 5.5 RF 损伤对 THz 链路的影响 ............................................................................................................................. 5031 5.3.1.1 数据转换器性能指标 ...................................................................................................................... 32 5.3.1.2 性能趋势 ...................................................................................................................................... 42 5.4 光束斜视 ......................................................................................................................................................... 43 5.4.1 THz 频段的光束斜视效应 ......................................................................................................................... 43 5.4.2 光束斜视的理论分析 ............................................................................................................................. 44 5.4.3 光束斜视处理 ...................................................................................................................................... 48 5.5 RF 损伤对 THz 链路的影响 ............................................................................................................................. 50
针对 SARS-CoV-2 的进入步骤
当前，由 SARS-CoV-2 引起的 COVID-19 正在人类中迅速传播，构成全球卫生紧急情况（https://www.who.int/）；截至 2020 年 4 月 29 日，全球确诊病例 3,018,681 例，死亡 207,973 例。了解冠状病毒的受体识别机制，从而调整其致病机制、传播速度和宿主范围，是战胜这一流行病的关键。1,2 冠状病毒的 S 蛋白是病毒入侵细胞所必需的。此外，进入需要细胞蛋白酶来引发 S 蛋白；它们在 S1/S2 和 S2' 位点裂解 S 蛋白，从而促进由 S2 亚基介导的病毒和靶细胞膜的融合。众所周知，SARS-CoV以血管紧张素转换酶2（ACE2）作为进入受体，并利用细胞丝氨酸蛋白酶TMPRSS2来启动S蛋白。3,4 SARS-2-S与SARS-S之间的氨基酸同源性约为76％，1但SARS-CoV-2如何进入仍有待充分探索。SARS-2-S与SARS之间的氨基酸同源性为了进一步了解病毒进入的机制，Hoffmann等人首先寻找SARS-2-S有效蛋白水解的证据。带有C端抗原标签的293T细胞表达的SARS-2-S蛋白的免疫印迹分析显示一条S2亚基带，表明SARS-2-S可以被有效水解，这与其S1 / S2裂解位点存在几个精氨酸残基相一致。有趣的是，冠状病毒的人畜共患潜力是由 S 蛋白的裂解位点序列决定的。1 因此，还需要进一步研究以了解 SARS-CoV-2 入侵人细胞是否也需要多碱基裂解位点，并详细描述这些裂解位点。接下来，作者使用携带 SARS-2-S 和 SARS-S 的 VSV 病毒感染一系列人和动物细胞系，并观察到它们侵入相同的细胞谱系。与这一发现一致的是，ACE2 和 SARS-S 结合所必需的大多数氨基酸在 SARS-2-S 中是保守的，并且定向表达 ACE2，而不是人 DPP4 或人氨基肽酶 N（MERS-CoV 和 HCoV-229E 的进入受体），使得 SARS-CoV-2 和 SARS-CoV 能够成功感染不敏感的 BHK-21 细胞。此外，针对人 ACE2 产生的抗血清可以保护 BHK-21 细胞免受 SARS-CoV-2 和 SARS-CoV 的侵袭。总而言之，这些研究强烈暗示 ACE2 是 SARS-CoV-2 的细胞受体。在
遥测系统的测试方法和子系统第 1 卷...
图 6-3a。用于验证 IRIG 时间码准确性的基于 PC 的测试设置。...................................... 6-12 图 7-1。单个 CAIS 总线配置。......................................................................... 7-2 图 7-2。分离 CAIS 总线配置。......................................................................... 7-2 图 7-3。配置检查流程图 (1/2)。............................................................. 7-4 图 7-4。配置检查流程图 (2 / 2)。......................................................... 7-5 图 B-1。热瞬态测试设备。............................................................................. B-2 图 B-2。底座。................................................................................................................ B-3 图 B-3。传感器固定装置支架。................................................................................ B-4 图 B-4。传感器固定装置（黄铜）。................................................................................ B-5 图 B-5。玻璃固定环。............................................................................................. B-6 图 B-6。传感器安装插头。............................................................................................. B-7 图 B-7。闪光灯滑块。............................................................................................. B-8 图 B-8。灯架（大）。......................................................................................... B-9 图 B-9。灯架（小）。.................................................................................... B-10 图 B-10。使用开槽旋转盘和相当于测量应用的热源对传感器进行瞬态热冲击测试的测试设置。.................... B-15 图 C-1。发射器 RF 包络。................................................................................. C-1 图 C-2。晶体探测器输出。.................................................................................... C-1 图 C-3。幅度调制。......................................................................................... C-2 图 D-1。测量值和计算值。...................................................................... D-2 图 E-1。GUI 控制窗口。......................................................................................... E-6 图 E-2。文件浏览器窗口。...................................................................................... E-6 图 E-3。对话框：载波跟踪滤波器。.................................................................... E-7 图 E-4。对话框：符号跟踪滤波器。.................................................................. E-8 图 E-5。外部/接收器/眼图。外部、离散时间散点图。................................................................ E-10 图 E-6。................................................................. E-10 图 E-7。循环同步进度。......................................................................... E-10 图 E-8。表格分析摘要。............................................................................. E-11 图 E-9。图形分析控制窗口。......................................................................... E-11 图 E-10。假锁定眼图。.................................................................................... E-13 图 E-11。假锁定星座。................................................................................. E-13 图 E-12。数据采集设备。................................................................................ E-16 图 F-1。分析仪结构。.............................................................................................. F-3 图 F-2。参考功率谱。......................................................................................... F-4 图 F-3。星座图。............................................................................................. F-5 图 F-4。检测滤波器。......................................................................................... F-6 图 F-5。发射机测试设备。.......................... F-13 图 F-7。................................................................................ F-6 图 F-6。参考信号的比特间隔载波相位轨迹。发射机性能摘要。................................................................ F-15 图 F-8。使用差分编码预测的检测性能。.......................... F-15 图 F-9。基带频谱。................................................................................ F-16 图 F-10。在发射机 RF 端口测量的 OQPSK 星座。................................. F-16 图 F-11。决策样本直方图。................................................................................ F-17 图 F-12。在发射机 RF 端口测量的 OQPSK 星座。................................. F-17 图 F-13。箱间隔相位轨迹。......................................................................... F-18 图 F-14。轨迹偏差频谱。.............................................................................. F-19
Flash 架构
以及信息科学与应用国际会议 (ICISA) ⋅ 工程学院模拟与混合信号设计与测试中心委员会成员 ⋅ IEEE 微波理论与技术学报、IEEE 电子器件学报和 IEEE 固态电路杂志的技术审稿人 精选出版物 ⋅ S. Hamedi-Hagh、MY Siddiqui、M. Singh 和 S. Ardalan，“具有恒定回波损耗的低压数字控制 4GHz 可变增益放大器，”微电子选定领域杂志，2012 年。 ⋅ S. Hamedi-Hagh 和 D.-H. Park，“纳米线晶体管在驱动纳米线 LED 中的应用，”电气电子材料学报，第 13 卷，第 2 期，第 73-77 页，2012 年。 ⋅ S. Hamedi-Hagh、M. Tabesh、S. Oh、NJ Park 和 D.-H. Park，“用于近场通信的 UHF CMOS 前端设计”，电气工程与技术杂志，KIEE，第 6 卷，第 6 期，第 817-823 页，2011 年。⋅ Bindal, D. Wickramaratne 和 S. Hamedi-Hagh，“利用硅纳米线技术实现直接序列扩频基带发射器”，纳米电子学和光电子学杂志，第 5 卷，第 1 期，第 1-12 页，2010 年。⋅ Bindal, T. Ogura、N. Ogura 和 S. Hamedi-Hagh，“用于实现带扫描链的现场可编程门阵列架构的硅纳米线晶体管”，纳米电子学和光电子学杂志，第 5 卷，第 1 期，第 1-12 页，2010 年。 4，第 342-352 页，2009 年。⋅ S. Hamedi-Hagh、JC Chung、S. Oh、NJ Park 和 DH Park，“用于 GPS 通信系统的高性能贴片天线的设计”，电气工程与技术杂志，KIEE，第 342-352 卷。 4，第 2 期，282-286 页，2009 年。⋅ S. Hamedi-Hagh 和 A. Bindal，“下一代纳米线放大器的设计和特性”，《VLSI 设计杂志》，文章 ID 190315，2008 年。⋅ JC Chung 和 S. Hamedi-Hagh，“单芯片通信系统的 PCB 匹配电感器和天线的设计”，《国际微波科学与技术杂志》，文章 ID 287627，2008 年。⋅ Hamedi-Hagh 和 A. Bindal，“使用完全耗尽周围栅极晶体管的纳米线 CMOS 放大器的特性”，《纳米电子学与光电子学杂志》，第 4 卷，第 2 期，第 282-286 页，2009 年。 ⋅ S. Hamedi-Hagh、S. Oh、A. Bindal 和 DH Park，“使用纳米线 FET 设计下一代放大器”，电气工程与技术杂志，KIEE，第 3 卷，第 4 期，第 566-570 页，2008 年。⋅ S. Hamedi-Hagh 和 A. Bindal，“用于高速模拟集成电路的硅纳米线场效应晶体管的 SPICE 建模”，IEEE Transactions on Sotoudeh Hamedi-Hagh 第 3/6 页纳米技术，第 7 卷，第 766-775 页，2008 年。⋅ Bindal、S. Hamedi-Hagh 和 T. Ogura，“用于现场可编程门阵列架构应用的硅纳米线技术”，纳米电子学与光电子学杂志，第 3 卷，第 4 期，第 566-570 页，2008 年。 3，第 2 期，第 1-9 页，2008 年。 ⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“硅纳米线晶体管及其在未来 VLSI 中的应用：16×16 SRAM 的探索性设计研究”，纳米电子学和光电子学杂志，第 2 卷，第 294-303 页，2007 年。⋅ Bindal、A. Naresh、P. Yuan、KK Nguyen 和 S. Hamedi-Hagh，“利用硅纳米线技术设计双功函数 CMOS 晶体管和电路”，IEEE 纳米技术学报，第 6 卷，第 291-302 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“利用硅纳米线技术设计新型脉冲神经元”，纳米技术杂志（物理研究所），第 2 卷，第 301-302 页，2007 年。 18，第 1-12 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“关于节能硅纳米线动态 NMOSFET/PMESFET 逻辑的探索性研究”，IEE 科学、测量和技术会议录，第 1 卷，第 121-130 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“使用硅纳米线技术实现交叉开关架构的静态 NMOS 电路”，半导体、科学和技术杂志（物理研究所），第 22 卷，第 54-64 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“硅纳米线技术对单功函数 CMOS 晶体管和电路设计的影响”，纳米技术杂志（物理研究所），第 17 卷，第 4340-4351 页，2006 年。
ISSCC 2024 - 量子技术集成电路
2 Google Quantum AI，加利福尼亚州戈利塔 超导量子处理器是最先进的量子计算技术之一。基于这些设备的系统已经实现了后经典计算 [1] 和量子纠错协议的概念验证执行 [2]。虽然其他量子比特技术采用自然产生的量子力学自由度来编码信息，但超导量子比特使用的自由度是在电路级定义的。当今最先进的超导量子处理器使用 transmon 量子比特，但这些只是丰富的超导量子比特之一；在考虑大规模量子计算机的系统级优化时，替代量子比特拓扑可能会证明是有利的。在这里，我们考虑对 Fluxonium 量子比特进行低温 CMOS 控制，这是最有前途的新兴超导量子比特之一。图 29.1.1 比较了 transmon 和 Fluxonium 量子比特。 transmon 是通过电容分流约瑟夫森结 (JJ) 实现的，是一种非线性 LC 谐振器，其谐振频率为 f 01，非谐性分别在 4-8GHz 和 200-300MHz 范围内。transmon 有限的非谐性约为 5%，限制了用于驱动量子比特 f 01 跃迁的 XY 信号的频谱内容，因为激发 f 12 跃迁会导致错误。以前的低温 CMOS 量子控制器通过直接 [3,4] 或 SSB 上变频 [5,6] 复杂基带或 IF 包络（例如，实施 DRAG 协议）生成光谱形状的控制脉冲；这些设备中高分辨率 DAC 的功耗和面积使用限制了它们的可扩展性。fluxonium 采用额外的约瑟夫森结堆栈作为大型分流电感。这样就可以实现 f 01 频率为 ~1GHz 或更低的量子比特，而其他所有跃迁频率都保持在高得多的频率（>3GHz，见图 29.1.1）[7]。与 transmon 相比，fluxonium 的频率较低且非谐性较高，因此可以直接生成低 GHz 频率控制信号，并放宽对其频谱内容的规范（但需要更先进的制造工艺）。在这里，我们利用这一点，展示了一种低功耗低温 CMOS 量子控制器，该控制器针对 Fluxonium 量子比特上的高保真门进行了优化。图 29.1.2 显示了 IC 的架构。它产生 1 至 255ns 的微波脉冲，具有带宽受限的矩形包络和 1GHz 范围内的载波频率。选择规格和架构是为了实现优于 0.5° 和 0.55% 的相位和积分振幅分辨率，将这些贡献限制在平均单量子比特门错误率的 0.005%。它以 f 01 的时钟运行，相位分辨率由 DLL 和相位插值器 (PI) 实现，而包络精度则由脉冲整形电路实现，该电路提供粗调振幅和微调脉冲持续时间（与传统控制器不同，使用固定持续时间和精细幅度控制）。数字控制器和序列器可播放多达 1024 步的门序列。图 29.1.2 还显示了相位生成电路的示意图。DLL 将这些信号通过等延迟反相器缓冲器 (EDIB) 后，比较来自电压控制延迟线 (VCDL) 的第一个和第 31 个抽头的信号。这会将 CLK[0] 和 CLK[30] 锁定在 180°，并生成 33 个极性交替的等延迟时钟信号。使用 CLK[30] 而不是 CLK[32] 来确保在 PFD 或 EDIB 不匹配的情况下实现全相位覆盖，这可能导致锁定角低于 180°。一对 32b 解复用器用于选择相邻的时钟信号（即 CLK[n] 和 CLK[n+1]），开关和 EDIB 网络用于驱动具有可选极性的 PI。 PI 单元由多路复用器和限流反相器组成。32 个单元并联组合，所选相位之间的权重由驱动多路复用器阵列的温度计编码的 31b 值设置（第 32 个反相器始终由 CLK[n] 驱动）。相位生成电路具有 11b 控制，可提供实现 0.5° 精度的裕度。图 29.1.3 显示了脉冲整形器原理图。它接收相移时钟并应用可编程幅度和持续时间的矩形包络。SW1 用于门控数字 CW 信号。然后，门控信号由一个电路缓冲和衰减，该电路由可变电阻器 R 0（16 个值，从 10 到 170kΩ）组成，通过 2:1 双调谐变压器连接到 50Ω 负载。该电路将可用功率降低了约 17 至 29dB，同时提供 50Ω 输出匹配并过滤脉冲频谱，为信号包络引入几纳秒的指数上升和下降时间，适用于大量子比特非谐性。R 0 、CP 和 CS 通过 SPI 总线进行编程，以进行静态预调谐。但是，提供了一个 0 至 18dB 衰减器电路，步长为 6dB，用于实时粗调幅度。输出端集成了 SW2，以提供额外的开-关隔离。PI 单元由多路复用器和限流反相器组成。32 个单元并联组合，所选相位之间的权重由驱动多路复用器阵列的温度计编码的 31b 值设置（第 32 个反相器始终由 CLK[n] 驱动）。相位生成电路具有 11b 控制，可提供实现 0.5° 精度的裕度。图 29.1.3 显示了脉冲整形器原理图。它接收相移时钟并应用可编程幅度和持续时间的矩形包络。SW1 用于门控数字 CW 信号。然后，门控信号由一个电路缓冲和衰减，该电路由可变电阻器 R 0（16 个值，从 10 到 170kΩ）组成，通过 2:1 双调谐变压器连接到 50Ω 负载。该电路将可用功率降低了约 17 至 29dB，同时提供 50Ω 输出匹配并过滤脉冲频谱，为信号包络引入几纳秒的指数上升和下降时间，适用于大量子比特非谐性。R 0 、CP 和 CS 通过 SPI 总线进行编程，以进行静态预调谐。但是，提供了一个 0 至 18dB 衰减器电路，步长为 6dB，用于实时粗调幅度。输出端集成了 SW2，以提供额外的开-关隔离。PI 单元由多路复用器和限流反相器组成。32 个单元并联组合，所选相位之间的权重由驱动多路复用器阵列的温度计编码的 31b 值设置（第 32 个反相器始终由 CLK[n] 驱动）。相位生成电路具有 11b 控制，可提供实现 0.5° 精度的裕度。图 29.1.3 显示了脉冲整形器原理图。它接收相移时钟并应用可编程幅度和持续时间的矩形包络。SW1 用于门控数字 CW 信号。然后，门控信号由一个电路缓冲和衰减，该电路由可变电阻器 R 0（16 个值，从 10 到 170kΩ）组成，通过 2:1 双调谐变压器连接到 50Ω 负载。该电路将可用功率降低了约 17 至 29dB，同时提供 50Ω 输出匹配并过滤脉冲频谱，为信号包络引入几纳秒的指数上升和下降时间，适用于大量子比特非谐性。R 0 、CP 和 CS 通过 SPI 总线进行编程，以进行静态预调谐。但是，提供了一个 0 至 18dB 衰减器电路，步长为 6dB，用于实时粗调幅度。输出端集成了 SW2，以提供额外的开-关隔离。