XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System基本尺寸
儿童在线用户2023年定量研究
•孩子们可能必须承认他们正在使用这些平台未成年，有些人可能不愿意在调查中做出真实的回答。•他们可能无法准确回忆到某些信息，例如，他们在设置个人资料或已有多长时间使用的年龄。•由于具有自己个人资料的人的基本尺寸低（n <50），我们无法在所有年龄段的Vimeo上报告Vimeo或8-12岁的X/Twitter。•在提供有关使用哪些应用程序/站点的信息时，受访者可以选择“其他”选项。基本尺寸太低，无法在这些其他平台上报告（总体120名受访者），但已包含在用户年龄计算中。•我们排除了回答“不知道”，“不记得”或“不想说”的受访者，请参阅技术报告以获取更多详细信息
为有复杂需求的成年人提供包容、有利环境的设计指南
Archadia 与 Ravenswood Village 的员工、家庭和居民密切合作，了解他们的愿望，并创建新的无障碍住宅和设施，以满足居民的各种需求。新住房由 5 栋新住宅组成，每位居民都有自己的独立公寓，公寓的基本尺寸相同，但布局可以根据他们的居住方式进行调整。环境条件也是人们想要居住的地方的一个因素，例如，地点和方向意味着一些公寓更靠近活动场所，而另一些公寓则更安静，一些公寓有更多的直射阳光，有些人喜欢这种阳光，而另一些人出于感官原因更喜欢较少的光线。这些房屋还提供公共生活空间和共用厨房，旨在为居民、他们的护理人员和家人提供足够的空间一起做饭和社交。
通知 S - Physikalisch-Technische Bundesanstalt
自古以来，为了公平地进行商品贸易，就需要有长度、重量和体积等数量的统一计量单位。我们知道，古代的伟大文化和国家都拥有高度发达的计量系统。一些令人印象深刻的例子包括公元前三千年的尼普尔腕尺，它是在一座古老的美索不达米亚神庙的遗址中发现的，现在保存在伊斯坦布尔的考古博物馆；著名的埃及皇家腕尺，它是建造埃及金字塔的基本尺寸；还有欧洲最古老的日晷，它在希腊的奥罗波斯被发现，可追溯到公元前 350 年左右。然而，随着中世纪封建制度的兴起，高级计量文化消失了，因此，大约 300 年前的德国有 50 多种不同的质量标准和 30 多种不同的长度标准。这使得贸易更加困难，并助长了滥用和欺诈行为，直到大约 300 年前，一项发展开始终结这个计量“巴别塔”。法国引领了这一潮流，甚至在法国大革命的高峰时期，法国科学院也被要求根据理性原则制定稳定的质量和重量标准，并“适用于所有人和所有时代”。有两个选择
NASA 参考出版物 1370 培训手册...
本技术手册是在安全和任务保障办公室持续培训计划下开发的。本手册中包含的结构化信息将使读者能够高效、有效地识别和控制所需的技术细节，以确保飞行系统元件在组装操作（地面和太空）期间正确配合。研究了整个联邦政府用于定义和控制硬件和软件技术接口的技术。实际需要有效定义和控制系统接口基本尺寸和公差的技术信息比例很少超过任何接口控制文档的 50%。此外，当前政府的接口控制流程非常耗费纸张。简化此流程可以改善沟通，节省大量成本，并提高整体任务安全性和保障性。本手册的主要目的是确保设备之间接口的格式、信息和控制清晰易懂，仅包含保证接口兼容性所需的信息。重点在于控制接口的工程设计，而不是系统的功能性能要求或接口设备的内部工作。接口控制应在接口元素处进行，除非有例外。本手册有两个重要部分。第一部分“接口控制原则”讨论了如何定义接口。它描述了要考虑的接口类型，并推荐了充分接口控制所需的文档格式。第二部分“流程：通过设计阶段”为接口定义和控制提供了量身定制的指导。
人工智能芯片入门——它们是什么以及为什么重要
引言和总结 3 芯片创新的规律 7 晶体管缩小：摩尔定律 7 效率和速度改进 8 提高晶体管密度可实现改进的设计，从而提高效率和速度 9 晶体管设计正在达到基本尺寸极限 10 摩尔定律的放缓和通用芯片的衰落 10 通用芯片的规模经济 10 成本增长速度快于半导体市场 11 半导体行业的增长率不太可能增加 14 随着摩尔定律的放缓，芯片得到了改进 15 晶体管的改进仍在继续，但速度正在放缓 16 提高晶体管密度可实现专业化 18 AI 芯片动物园 19 AI 芯片类型 20 AI 芯片基准 22 最先进 AI 芯片的价值 23最先进的人工智能芯片意味着成本效益 23 计算密集型人工智能算法受到芯片成本和速度的瓶颈制约 26 美国和中国的人工智能芯片及其对国家竞争力的影响 27 附录 A：半导体和芯片基础知识 31 附录 B：人工智能芯片的工作原理 33 并行计算 33 低精度计算 34 内存优化 35 领域特定语言 36 附录 C：人工智能芯片基准研究 37 附录 D：芯片经济模型 39 芯片晶体管密度、设计成本和能源成本 40 代工、组装、测试和封装成本 41 致谢 44
实现 BaTiO3 中的超低压开关
用于计算超越互补金属氧化物半导体的铁电体。双极晶体管和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 晶体管的微缩（即减小尺寸或增加总数 1 ）取得了巨大成功，但随着半导体工艺的每一代发展，随着器件接近基本尺寸极限 2 ，微缩变得越来越困难。虽然摩尔微缩定律一直在延续，但工作电压的降低速度要慢得多，因为 Dennard 的微缩方案 3 只持续到 2003 年左右。研究人员目前正在探索其他方法，以继续遵循摩尔定律，使器件具有低工作电压（< 100 mV）和相应的低工作能量（每位 1-10 aJ），同时保持可接受的器件开关延迟（< 0.1 ns）。这推动了一系列替代的、超越 CMOS 的计算途径（例如，基于自旋、极化、应变等的途径）4、5 的研究。铁电体可实现非挥发性和低读/写能量，在存储器（例如铁电随机存取存储器）、逻辑或存储器内逻辑（例如铁电场效应晶体管 (FeFET) 应用 6、7 和负电容场效应晶体管）8、9 中引起了越来越多的关注。尽管引起了人们的关注，但问题在于大多数铁电器件都在高电压 6、7 (> 1 V) 下工作，因此与低功率操作不兼容 5。解决这个问题将标志着向前迈出的重要一步，并可能为铁电材料在超 CMOS 器件的出现中开辟道路。