XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System大磁
LA2/ ... div>中孤立域壁的大磁力
的生成，操纵和磁性域壁的传感是效率旋转器件设计的基石。半金属是为此目的而适合的，因为从自旋纹理处的自旋积累可以预期大型低场磁力信号。在一半金属中，la 1-x Sr x Mno 3（LSMO）锰矿被认为是其坚固的半金属基态的有前途的候选者，居里温度高于室温（t c = 360 K，x = 1/3）和化学稳定性。然而，由于各种磁磁性源的纠缠，即自旋积累，各向异性磁化率和巨大的磁化率，由于报道的值的差异很大，在报告的值中却差异很大，并且在报道的值中存在巨大差异。在这项工作中，在LSMO横形纳米线中测量了域壁磁磁性，其单域壁在整个路径上成核。磁阻的值超过10％，起源于由于传导电子对域壁的自旋纹理的误差效应而引起的自旋积累。从根本上讲，该结果表明了旋转纹理的非绝热过程的重要性，尽管与锰矿的局部t 2g电子相连。这些大的磁化值值足够高，足以编码和读取未来的氧化物自旋传感器中的磁位。
溶液处理的多效薄膜，在室温下与大磁电耦合
摘要：具有明显的室温磁电耦合系数的薄膜实验实现，在没有外部DC磁场的情况下，αMe一直难以捉摸。在这里，在没有外部DC磁场的情况下，据报道多效性聚合物纳米复合材料（MPC）薄膜的大型耦合系数为750±30 mV-1 cm-1。MPC基于PMMA-REDRED的钴有铁纳米颗粒，该纳米粒子均匀分散在压电聚合物聚合物聚（乙烯基氟化物-Co-三氟乙烯，P（VDF-TRFE）。 表明，纳米颗粒聚集起着有害的作用，并显着降低了αMe。 通过原子传递自由基聚合（ATRP）接管一层聚（甲基丙烯酸甲酯）（PMMA）的表面功能化，从而使纳米粒子用P（VDF-Trfe）基质混乱，从而使其在矩阵中均匀地分配在Matrix中，甚至可以在subsicmerter metrix中均匀地分配。 均匀的色散产生了铁磁纳米颗粒与压电聚合物矩阵之间最大化的界面相互作用，从而导致在溶液处理的薄膜中对大αME值进行实验证明，这些薄膜可以在柔性和可打印的多型多型电子设备中利用，以用于敏感和可启用敏感性。 关键字：多效，铁电聚合物，磁性纳米颗粒，纳米复合材料，磁电耦合表明，纳米颗粒聚集起着有害的作用，并显着降低了αMe。通过原子传递自由基聚合（ATRP）接管一层聚（甲基丙烯酸甲酯）（PMMA）的表面功能化，从而使纳米粒子用P（VDF-Trfe）基质混乱，从而使其在矩阵中均匀地分配在Matrix中，甚至可以在subsicmerter metrix中均匀地分配。 均匀的色散产生了铁磁纳米颗粒与压电聚合物矩阵之间最大化的界面相互作用，从而导致在溶液处理的薄膜中对大αME值进行实验证明，这些薄膜可以在柔性和可打印的多型多型电子设备中利用，以用于敏感和可启用敏感性。 关键字：多效，铁电聚合物，磁性纳米颗粒，纳米复合材料，磁电耦合表面功能化，从而使纳米粒子用P（VDF-Trfe）基质混乱，从而使其在矩阵中均匀地分配在Matrix中，甚至可以在subsicmerter metrix中均匀地分配。均匀的色散产生了铁磁纳米颗粒与压电聚合物矩阵之间最大化的界面相互作用，从而导致在溶液处理的薄膜中对大αME值进行实验证明，这些薄膜可以在柔性和可打印的多型多型电子设备中利用，以用于敏感和可启用敏感性。关键字：多效，铁电聚合物，磁性纳米颗粒，纳米复合材料，磁电耦合
分配器印刷铋基磁场传感器，具有非饱和大磁阻，适用于非接触式交互表面
印刷电子是一个充满活力的研究和技术领域，可获得按需功能元件。[1–3] 近年来，已报道了具有半导体、[4] 光电、[5] 储能[6] 和磁性 [7] 特性的印刷电子。特别是印刷磁阻传感器已证明其作为非接触式电磁开关 [8,9] 和非接触式交互式皮肤平台的相关性。[10] 这些磁敏感复合材料是通过将铁磁磁阻 (MR) 颗粒或薄片分散在各种凝胶状或热塑性粘合剂溶液中而制成的（表 1）。[9–17] 虽然这些贡献在过去十年中显著推动了该领域的发展，但由于组成颗粒或薄片的复杂性和高生产成本，这些技术的大规模应用仍未实现。表现出高达 37% 的巨磁电阻效应 (GMR) 的薄片由多层异质结构组成，需要逐层沉积亚纳米厚的薄膜。[9–13] 需要精确调整层的厚度以实现可测量的磁阻变化。这导致表现出 GMR 的粉末的生产成本增加。为了解决 GMR 粉末的可扩展性问题，采用了表现出各向异性磁阻 (AMR) 的商品可用铁磁材料颗粒。[14] 然而，测得的 AMR 效应降低到 0.34%。此外，这些 MR 技术通常在 500 mT 以下的磁场下具有线性响应，并且在此之外几乎不敏感。缺乏一种具有强磁阻信号并在宽磁场范围内工作的可打印商品级材料。使用打印技术瞄准更广泛的磁场可以实现新型低成本技术解决方案，从非接触式开关应用到机械的工业监控。采用传统的印刷方法实现大规模生产和高磁场下的线性响应需要新材料的开发。
室温大磁电在过渡态...
人们越来越关注新型磁电 (ME) 材料，这种材料在室温 (RT) 下表现出强大的 ME 耦合，可用于高级存储器、能源、自旋电子学和其他多功能设备应用，利用通过磁场控制极化和/或通过电场控制磁化的能力。获得具有强 ME 耦合的 ME 材料、了解其起源并操纵其加工和成分以实现室温下的大 ME 系数是多铁性研究的重要一步。为了解决这个问题，我们研究了 Ni 掺杂的 Pb(Zr 0.20 Ti 0.80 )O 3 (PZT) 的多铁性和 ME 特性。我们发现 Ni 掺杂 PZT 的铁电（TC ~ 700 K）和弱铁磁（~ 602 K）相变远高于 RT，导致强 ME 耦合系数（ E,31）为 11.7 mVcm -1 Oe -1（H ac = 1 Oe 和 f = 1 kHz）。虽然 X 射线衍射表明这是一种单相材料，但高分辨率透射电子显微镜揭示了有和没有 Ni 存在的区域；因此两相之间的磁电耦合是可能的。第一性原理计算表明 (Ni Pb ) × 缺陷可能是造成 Ni 掺杂 PZT 中实验观察到的磁性和 ME 耦合的原因。我们进一步证明 Ni 掺杂 PZT 表现出低损耗角正切、低漏电流、大饱和极化和弱