大规模:eDNA 采样适用于地理上相距遥远的大面积区域,是监测广阔海洋环境的理想选择。强大的技术:与传统的生物监测方法相比,eDNA 灵敏度高,可快速提供结果。可持续性:这是一种非侵入性方法,可减少监测过程对环境的影响。成本效益高且用途广泛:该方法相对便宜,能够检测稀有、短暂或入侵物种,例如伯利兹的入侵狮子鱼。
在反演对称性无关条件下发现三阶非线性霍尔效应; 发展了一种用于 Mxene 带隙工程的表面基团修饰方法; 展示了 Mxene 电极有机晶体管并研究了其接触性能; 发展了一种在二维晶体管中形成高质量沟道/电介质界面的方法; 发展了一种用于大面积 CVD 石墨烯的缺陷检测方法; 发展了一种用于 CVD MoS 2 的无损转移方法。
“C95 已找到徕卡测量系统现实捕捉解决方案,这是其 BIM 工作流程的完美工具。Pegasus:Two 可以在短时间内生成大面积数据。P40 因其扫描精度和速度而用于室内设计、修复、恢复、翻新、工程和建筑。它与 BLK360 一起使用,以生成场地不同地标的数据,并获得竣工模型。此外,点云还用于任何类型的数字调查、模拟数据收集、报告、VR 和 AR,”Pascual 说。
摘要:金属纳米图案在利用纳米级电传导的应用中无处不在,包括互连、电纳米接触和金属垫之间的小间隙。这些金属纳米图案可以设计成显示其他物理特性(光学透明性、等离子体效应、铁磁性、超导性、散热等)。出于这些原因,深入研究使用简单工艺的新型光刻方法是实现高分辨率和高吞吐量金属纳米图案的关键持续问题。在本文中,我们介绍了一种简单的方法,通过聚焦的 Ga + 束有效分解 Pd 3 (OAc) 6 旋涂薄膜,从而得到富含金属的 Pd 纳米结构。值得注意的是,使用低至 30 μ C/cm 2 的电荷剂量就足以制造金属 Pd 含量高于 50% (at.) 且具有低电阻率 (70 μ Ω · cm) 的结构。二元碰撞近似模拟为这一实验发现提供了理论支持。这种显著的行为用于提供三种概念验证应用:(i) 创建与纳米线的电接触,(ii) 在大型金属接触垫之间制造小 (40 纳米) 间隙,以及 (iii) 制造大面积金属网格。讨论了聚焦离子束直接分解旋涂有机金属薄膜对多个领域的影响。关键词:聚焦离子束、旋涂有机金属薄膜、电接触、纳米间隙电极、大面积网格■ 简介
硅互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术的缩放已达到 10 纳米以下技术节点,但进一步缩放越来越具有挑战性,因为器件的栅极静电要求大幅减少沟道厚度以保持所需的性能 1 。场效应晶体管 (FET) 的最终沟道厚度可能在 1 纳米以下范围内。但是,任何三维 (3D) 半导体晶体都无法轻易实现这一点,因为在沟道到电介质界面处电荷载流子的散射增加,导致迁移率严重下降 2 。二维 (2D) 半导体材料单层厚度约为 0.6 纳米,可以提供解决方案。这类材料包括过渡金属二硫属化物 (TMD),其通式为 MX 2 ,其中 M 是过渡金属(例如,Mo 或 W),X 是硫属元素(例如,S、Se 或 Te)3 – 8。材料中没有悬空键也提供了实现更好的通道到电介质界面的潜力。基于机械剥离的单晶 2D 薄片的早期研究,以及基于大面积生长的合成 2D 单层的最新发展,都表明了 2D 晶体管的良好特性。然而,仍有许多挑战有待解决,这使得 2D FET 在未来超大规模集成 (VLSI) 技术中的应用潜力尚不明确。在本篇评论中,我们探讨了 2D FET 在未来集成电路中的发展。我们首先考虑大面积生长
二维(2D)材料具有非凡的特性,使它们在下一代电子,光学,能量和传感器相关的应用中具有吸引力的纳米材料。要实现2D材料(例如过渡金属二核苷)(TMDC)的技术潜力,需要高度可控和可扩展的途径。尽管已经为TMDC开发了多种合成材料,但生产大规模的高质量晶体层仍然具有挑战性。与自上而下的方法相比,合成2D材料的自下而上的方法具有更大的应用范围。化学蒸气沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)途径表现出巨大的希望,因为它们能够构成大面积,产生出色的均匀性,无与伦比的保融性和原子尺度的可控性,除了行业兼容。对于TMDC的CVD和ALD,前体对形成的层的性质起着关键作用。在本演讲中,将突出显示代表性TMDC(MOS 2和WS 2)的金属有机前体,沉积条件和物质特性之间的相互作用。将讨论与经典CVD过程相关的高温的措施。对不同底物上层成核和生长的研究揭示了不同的生长模式和成核密度。新的前体组合为TMDC在中等至低温下的大面积结晶生长的直接生长铺平了道路,这对于广泛的应用是一个重要的优势。
由于外部刺激而产生的特性,旨在测量生物电势[6–8]、温度[9]、压力[10]或应变等运动、[11]汗液含量[12–14]或能量收集(热电[15,16]摩擦电[17]和生物燃料电池[18])和存储平台。[19,20]织物具有灵活、舒适和透气的特性,成为开发与人体直接接触的大面积可穿戴设备的理想选择。尽管迄今为止已经实现了大量不同的纺织传感器,但尚未提出纺织电离辐射探测器,主要是因为传统辐射传感材料与织物基材不兼容。近年来,由于从医疗应用到民用安全,现代社会许多方面对电离辐射的使用相对增加,开发创新功能材料和低成本电离辐射检测技术已成为迫切需要。特别是在危险环境中,例如,用于医疗人员和患者以及太空任务的机组人员,对柔性和可穿戴的创新剂量计的需求很高。基于无机材料的商用个人剂量计和诊断探测器(例如,用于剂量计的硅基固态设备、用于大面积平板的 a-Si、a-Se 或聚镉锌碲化物)笨重、笨重、僵硬,佩戴不舒适。此外,它们很难通过低成本和低技术制造技术在大型像素化矩阵中实现。近年来,人们探索了新一代 X 射线探测器,它们基于有机半导体 [21–23] 和钙钛矿 [24–26],这两类材料允许液相沉积方法,使设备易于扩展到大面积,并可在非常规柔性基板(如薄塑料箔 [27,28] 甚至织物)上实现。 [29–31] 铅卤化物钙钛矿是一种新兴的、很有前途的 X 射线探测材料,这得益于它们极好的电传输特性(即高载流子迁移率和长载流子寿命)、优异的光学特性,以及由于分子结构中存在重原子(如 Br、Pb 或 I)而具有的高电离辐射阻止本领。所有这些特性的结合使得铅卤化物钙钛矿器件在直接探测 X 射线和伽马射线方面表现出色,无论是薄膜 [31] 还是单晶形式。[32–34] 然而,尽管单晶性能优异,但它们仍具有机械刚度,阻碍了其实现
“解释JWST星系和对宽场调查望远镜的预测” - 贡献了“在未解决的政权中的大面积,HST分辨率银河系调查的收益率” - 罗马分裂会议 - “为下一个伟大的观察者建立'科学差距'计划,以构建“科学差距”,以实现“明星和星际”的smigs sim and sim and sim and sim and sim sigs and sigs sigs and poving sigs and poving sigs and poving'' HyperWall展览会谈话“ Galaxies Science Group(Galaxies Sig)” - 宇宙起源计划Splinter Session
[1] Akinwande,Deji等。“石墨烯和硅技术的二维材料”。自然573,507-518(2019)[2] Novoselov,Kostya S.等。“原子薄膜中的电场效应”。Science 306,666-669(2004)[3] Pham,Phuong V.等。 “无处不在电子和光电学的2D异质结构:原理,机遇和挑战。” 化学评论。 122,6514-6613(2022)[4] Liang,Shi-Jun等。 “用于高性能设备应用程序的范德华异质结构:挑战和机遇。” 高级材料32,27(2020)[5] Kwon,Oh Seok等。 “使用天然受体进行纳米材料传感器”。 化学评论119,36-93(2018)[6] Li,Xuesong等。 “铜箔上高品质和均匀石墨烯膜的大面积合成。” Science 324,1312-1314(2009)[7] Lee,Jae-Hyun等。 “单晶单层石墨烯在可重复使用的氢末端锗上的晶圆尺度生长。” Science 344,286-289(2014)[8] Moon,Ji-Yun等。 “石墨烯的层工程大区块去角质。” 科学进步6,4(2020)[9] Moon,Ji-Yun等。 “层工程的原子尺度散布2D范德华晶体。” 物质5,3935-3946(2022)[10] Moon,Ji-Yun等。 “通过原子剥落制备层工程范德华材料的方案。” 星形方案4,2(2023)[11] Kim,Sein等。 “非金属介导的大面积单层过渡金属二北核化物的原子剥落”。Science 306,666-669(2004)[3] Pham,Phuong V.等。“无处不在电子和光电学的2D异质结构:原理,机遇和挑战。”化学评论。122,6514-6613(2022)[4] Liang,Shi-Jun等。“用于高性能设备应用程序的范德华异质结构:挑战和机遇。”高级材料32,27(2020)[5] Kwon,Oh Seok等。“使用天然受体进行纳米材料传感器”。化学评论119,36-93(2018)[6] Li,Xuesong等。“铜箔上高品质和均匀石墨烯膜的大面积合成。”Science 324,1312-1314(2009)[7] Lee,Jae-Hyun等。 “单晶单层石墨烯在可重复使用的氢末端锗上的晶圆尺度生长。” Science 344,286-289(2014)[8] Moon,Ji-Yun等。 “石墨烯的层工程大区块去角质。” 科学进步6,4(2020)[9] Moon,Ji-Yun等。 “层工程的原子尺度散布2D范德华晶体。” 物质5,3935-3946(2022)[10] Moon,Ji-Yun等。 “通过原子剥落制备层工程范德华材料的方案。” 星形方案4,2(2023)[11] Kim,Sein等。 “非金属介导的大面积单层过渡金属二北核化物的原子剥落”。Science 324,1312-1314(2009)[7] Lee,Jae-Hyun等。“单晶单层石墨烯在可重复使用的氢末端锗上的晶圆尺度生长。”Science 344,286-289(2014)[8] Moon,Ji-Yun等。 “石墨烯的层工程大区块去角质。” 科学进步6,4(2020)[9] Moon,Ji-Yun等。 “层工程的原子尺度散布2D范德华晶体。” 物质5,3935-3946(2022)[10] Moon,Ji-Yun等。 “通过原子剥落制备层工程范德华材料的方案。” 星形方案4,2(2023)[11] Kim,Sein等。 “非金属介导的大面积单层过渡金属二北核化物的原子剥落”。Science 344,286-289(2014)[8] Moon,Ji-Yun等。“石墨烯的层工程大区块去角质。”科学进步6,4(2020)[9] Moon,Ji-Yun等。“层工程的原子尺度散布2D范德华晶体。”物质5,3935-3946(2022)[10] Moon,Ji-Yun等。“通过原子剥落制备层工程范德华材料的方案。”星形方案4,2(2023)[11] Kim,Sein等。“非金属介导的大面积单层过渡金属二北核化物的原子剥落”。小科学3,9(2023)[12] Shim,Jaewoo等。“用于原子精度处理晶片尺度二维材料的控制裂纹繁殖。”Science 362,665-670(2018)[13] Lee,Yong Hwan等。“通过受控的剥落者的si-50μm-thick-thick-thick-thick-thick-thick-thick-thick si wafers的原子层 - 沉积(ALD)AL2O3-papsivected(ALD)。电子材料信件14,363-369(2018)[14] J.和Hutchison和T. Wu。 “应用机制的进步。 卷。 27。 学术出版社,1990年。 [15] Bedell,Stephen W.等。 “通过受控的剥落来转移层。” 物理学杂志D:应用物理学46,15(2013)[16] Li,Ning等。 “通过3D剥落启用的单晶柔性电子设备。” 高级材料29,18(2017)和Hutchison和T. Wu。“应用机制的进步。卷。27。学术出版社,1990年。[15] Bedell,Stephen W.等。“通过受控的剥落来转移层。”物理学杂志D:应用物理学46,15(2013)[16] Li,Ning等。“通过3D剥落启用的单晶柔性电子设备。”高级材料29,18(2017)