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EIB408RFH - 无线热探测器
电源：10 年锂电池（不可拆卸） 互连：最多 12 个 RadioLINK 装置 输入：无电压开关输入 射频频率：926MHz 频段（1% 占空比） 射频功率：+5dBm 电源指示灯：绿色指示灯每 40 秒闪烁一次 低电量指示灯：琥珀色指示灯每 10 秒闪烁一次 温度范围：60 o C 湿度范围：0% 至 95% RH 尺寸：88mm x 88mm x 50mm 重量：180g 保修：5 年（有限）保修 认证：AS/NZS4268 按照 ISO 9001:2000 质量标准制造
采用高效连续 F 类功率放大器设计
第四代 (4G) 无线通信已在许多国家部署。然而，由于无线移动设备和服务的增加，仍然存在一些问题，例如频谱危机。因此，第五代 (5G) 通信系统将采用除 4G 频段以外的一些不同频谱。射频功率放大器 (RFPA) 是 5G 系统的关键部件。在本文中，针对 3.3-4.3 GHz 的 5G 频段设计了一种宽带连续 F 类 (CCF) RFPA。输入和输出匹配网络采用简化实频率技术 (SRFT) 设计。使用 10W GaN CGH40010F Cree 器件，RFPA 的效率在整个频带内达到 70.7% 以上，最大值为 81.5%。输出功率和增益分别超过 40 dBm 和 10 dB。
EEEE 反应离子蚀刻 (RIE) 工艺的优化...
使用 SF 6 和 CHF 3 气体的工艺 Muhammad Hidayat Mohd Noor 1 , Nafarizal Nayan 1,2 * 1 电气和电子工程学院 (FKEE), Universiti Tun Hussein Onn Malaysia, 86400, Batu Pahat, Johor, MALAYSIA 2 微电子和纳米技术 - Shamsuddin 研究中心 (MiNT-SRC), Universiti Tun Hussein Onn Malaysia, 86400, Batu Pahat, Johor, MALAYSIA *通讯作者指定 DOI：https://doi.org/10.30880/eeee.2022.03.02.010 2022 年 6 月 27 日收稿； 2022 年 7 月 24 日接受； 2022 年 10 月 31 日在线提供摘要：反应离子刻蚀 (RIE) 是一种用于微加工的刻蚀技术，也是干法刻蚀的方法之一，与湿法刻蚀相比具有不同的特性。RIE 中的反应等离子体的化学过程用于去除晶圆上沉积的材料。RIE 蚀刻机有几个可变因素，例如射频功率、压力、气体流速和蚀刻时间，这些因素对应于其蚀刻深度和蚀刻速率的输出参数。需要进行大量实验才能找到 RIE 的最佳设置，从而为输出蚀刻速率建立理想的条件。在本研究中，使用供给 RIE 系统的 SF 6 和 CHF 3 工艺气体对 Si 和 SiO 2 晶圆进行蚀刻。使用 Dektak XT Bruker 表面轮廓仪研究了蚀刻深度和蚀刻速率，并使用 3D 映射模式表征了蚀刻后的 Si 和 SiO 2 的表面粗糙度。结果显示了不同射频功率、时间和流速对蚀刻深度和速率的影响，从而可以选择最佳参数。关键词：反应离子蚀刻、RIE、等离子蚀刻、硅、二氧化硅
1 GHz 偏置网络的分析与设计...
由于无线设备的各种应用，无线通信的带宽不断增加。射频功率放大器 (RFPA) 是收发器的关键组件之一。因此，为了满足带宽要求，需要宽带 RFPA。RFPA 不仅需要宽带匹配网络，而且更重要的是偏置网络。对于下一代通信系统，需要宽带偏置网络在宽 GHz 带宽范围内运行。本文使用四分之一波长传输线和蝶形短截线设计了功率放大器的宽带偏置网络，适用于 3.3 GHz 至 4.3 GHz 的频带。Roger 的 RO3006 用作偏置网络设计的基板。设计的网络在所需的频率范围内表现良好。偏置网络的性能显示回波损耗为 9 dB 至 19 dB，射频 (RF) 隔离度超过 35 dB，插入损耗为 0 dB 至 1.5 dB。该宽带偏置网络可用于下一代通信系统。
适用于碰撞等离子体鞘层的无创实时离子能量分布监测系统的开发
摘要：随着基于低温等离子体的离子辅助表面处理的重要性日益增加，对撞击晶圆表面的离子能量的监测也变得十分重要。非侵入式、实时的、包括鞘层中离子碰撞的监测方法受到了广泛的研究关注。然而，尽管如此，大多数研究都是在侵入式、非实时、无碰撞离子鞘层条件下进行的。本文开发了一种基于离子轨迹模拟的非侵入式实时IED监测系统，其中采用蒙特卡洛碰撞方法和电模型来描述鞘层中的碰撞。我们从技术、理论和实验上研究了用所提出的方法对IED的测量，并将其与各种条件下通过四极杆质谱仪测量的IED的结果进行了比较。比较结果表明，随着射频功率的增加，IED没有发生重大变化，随着气压的增加，IED逐渐变宽，这与质谱仪的结果一致。
基于BPF的热传感器电路用于RF电路的芯片测试
摘要：一种新的传感器拓扑结构，旨在提取射频模拟整数电路（RF-IS）的功绩的形式。在标准的0.35 µM组合金属氧化物 - 氧化物 - 氧化型（CMOS）技术中实现，它包含两个块：一个单个金属氧化物 - 氧化物 - 轴导剂（MOS）晶体管，用作温度换能器，将其放置在电路附近的监控和一个活跃的带式填充器上放置。为了验证，将温度传感器与调谐的射频功率放大器（420 MHz）和可作为可控散射装置的MOS晶体管集成。首先，使用MOS耗散设备，表征了构成温度传感器的不同块的性能和局限性。第二，通过使用杂化技术（将两种色调应用于功率放大器（PA），并将传感器输出电压连接到低成本AC电压表，PA的输出功率及其中心频率被监视。结果，该拓扑结构导致了低成本方法，具有高线性和灵敏度，用于RF-IC测试和可变性监测。
利用约瑟夫森参量放大实现硅量子点的快速门读出
硅量子器件中的自旋是大规模量子计算的有希望的候选对象。基于门的自旋量子比特传感提供了具有高保真度的紧凑且可扩展的读出，但是，需要进一步提高灵敏度以满足保真度阈值和实现纠错协议中的快速反馈所需的测量时间尺度。在这里，我们将 622 MHz 的射频门控传感与在 500 – 800 MHz 频段工作的约瑟夫森参数放大器相结合，以减少读取纳米线晶体管中形成的硅双量子点状态所需的积分时间。根据我们实现的信噪比，我们估计平均保真度为 99.7% 的单重态-三重态单次读出可以在 1 μ s 内完成，远低于容错读出的要求，比不使用约瑟夫森参数放大器快 30 倍。此外，约瑟夫森参数放大器允许在较低的射频功率下运行，同时保持相同的信噪比。我们确定噪声温度为 200 mK，其中约瑟夫森参量放大器（25%）、低温放大器（25%）和谐振器（50%）的贡献，显示出进一步提高读出速度的途径。
通过可植入微型设备的无线网络进行模式化脑电刺激
通过电子方式将有意义的信息传输到大脑回路是脑机接口面临的挑战。一个关键目标是找到一种方法，将空间结构化的局部电流刺激注入皮质的各个感觉区域。在这里，我们介绍了一种完全无线的方法，通过空间分布的植入皮层网络对皮层的特定区域进行多点模式化电微刺激。每个亚毫米大小的微芯片从外部射频源收集能量，并将其转换成双相电流，通过一对集成微线局部注入组织。通过实施具有亚毫秒延迟的预调度、无冲突位图无线通信协议，可以控制植入网络中每个芯片注入电流的幅度、周期和重复率。作为体内演示，我们将 30 个无线刺激器组成的网络长期植入自由活动大鼠的皮层运动和感觉区域，持续三个月。我们探索了模式化皮层内电刺激在平均射频功率远低于安全限值的情况下对受训动物行为的影响。21
自动化 RF PA 设备制造以加速 5G...
在5G时代之前，硅基横向双扩散金属氧化物半导体（Si-LDMOS）是4G LTE射频功率放大器市场的主流方案，目前已基本成为主流，技术成熟度较高。传统Si-LDMOS在3.5GHz以下频率表现良好，但无法满足5G应用对更高频率的要求。砷化镓（GaAs）应用工作频率主要在8GHz以内，适用于5G基站的中低功率器件。在高功率射频应用中，氮化镓（GaN）优势明显，是5G宏站的必备材料。GaAs和GaN凭借更优的功率系统效率、性能和成本，有望取代硅成为功率开关技术的支柱。作为宽带隙（WBG）半导体材料，GaAs和GaN器件的效率均高于Si。 GaAs/GaN 器件正在取代 5G 基站、雷达和航空电子设备以及其他宽带应用中的 Si-LDMOS 器件。在未来的网络设计中，由于物理特性的限制，GaAs/GaN 和其他 WBG 材料将取代大多数现有的 Si-LDMOS 器件 [1]。一般来说，5G 基站将采用基于 GaAs/GaN 的 PA 来实现更高的频率，而 Si-LDMOS 仍将只是其中的一部分，用于较低频率
课程大纲 ELEC 5503 RFIC 设计时间表
Behzad Razavi ,“RF微电子学”, Prentice-Hall 1998, ISBN 0-13-887571-5, Thomas H. Lee ,“CMOS射频集成电路设计，第二版”, Cambridge University Press, 2004. Jan Crols, Michiel Steyaert ,“CMOS无线收发器设计”, Kluwer Academic Publisher, 1997. Assad Abidi, Paul R. Gray, Editors,“无线通信集成电路”, IEEE Press 论文集, Steve Cripps ,“无线通信的射频功率放大器”, Artech House 1999. ISBN 0890069891 Stephen A. Maas ,“微波混频器”, 第二版, Artech House 1993. Stephen A. Maas ,“射频和微波电路设计手册”, Artech House 1998. Lawrence E. Larson，“无线通信的射频和微波电路设计”，Artech House，1996 年。James S. Ussailis，“无线通信的射频电路和布局”，McGraw-Hill，1998 年。Gonzalez，“微波晶体管放大器”，第二版，Prentice-Hall 1997 年。Hagen，“射频电子学”，剑桥大学出版社 1996 年。Joseph J. Carr，“射频电路设计的秘密”，McGraw-Hill，（books.com 说是 Tab Books），1996 年。Chris Bowick，“射频电路设计”，Butterworth-Heinemann 1997 年（1982 年书籍的重印版？不确定是否更新）。 Davidse，“模拟电子电路设计”，Prentice-Hall 1991。Pederson，“用于通信的模拟集成电路”Kluwer 1991。Grebene 和 Gray，Meyer，模拟集成电路设计的通用参考资料。Jack Smith 和 Krauss，Bostian，Raab，通信电路设计的通用参考资料。