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World File Search System居里温度
缺陷驱动的 Dzyaloshinskii–Moriya 相互作用中厚度可调的二维铁磁体中的磁性 Skyrmions
其中，磁性 skyrmion 正被考虑用作信息载体，它是具有手性边界的纳米级自旋结构。[2] 自 2009 年首次在 MnSi 单晶中实验观察到 skyrmion 以来 [3]，skyrmion 已在多种薄膜系统 [4–8] 以及其他单晶中被发现。[3,9–12] 在同一时期，随着石墨烯单层剥离的成功演示，二维层状材料家族引起了广泛关注。[13] 磁性范德华 (vdW) 晶体的加入为自旋电子学应用打开了大门。几种二维层状磁性材料块体晶体，包括 Cr 2 Ge 2 Te 6、[14] CrI 3、[15] 和 Fe 3 GeTe 2、[16]，已被证明在厚度仅为一个或几个单层时就表现出磁性。前两种材料是绝缘的，而 Fe 3 GeTe 2（FGT）是金属的，因此提供了通过自旋流操纵自旋纹理的可能性。由于表现出强的垂直磁各向异性，并且可以通过改变其化学成分或离子门控来调整其居里温度（T c ），FGT 是一种非常适合自旋电子应用的材料。[16–19]
通过光激发调节的EUO/CO BiLayer的瞬时磁化调制
磁性接近效应提供了一种有希望的方法，可以将欧洲一氧化碳（EUO）的低居里温度（T c）降低到室温，同时保持其化学计量和绝缘性能。这项工作使用静态和时间分辨的磁光kerr效应测量来研究EUO/CO Bilayers，并探讨了磁接近对T C和EUO的自旋动力学的影响。激发会导致EUO磁化的超快增强，然后在纳米秒内进行脱氧化。在放置在平面外磁场中的EUO/CO BiLayer中选择性激发CO时也可以看到这种行为，这归因于从CO进入EUO的SuperDi效率旋转电流的传播。由于CO的自旋动力学显示了瞬时热电器化，因此双层提供了一个系统，可以通过改变样品温度或泵液等外部参数（例如样品温度或泵）来调整瞬态磁光信号并符号。此外，在强烈的激发方案中，可以测量基础EUO的磁性磁滞，该磁性磁滞至今，该磁滞至今已呈现到室温到室温 - 提供了实验性证据，证明了CO和EUO之间存在可调的磁性接近性耦合。
探索铬掺杂对电子的影响......
Cr% Δ E (meV) 稳定相 M Tot ( μB ) M Al ( μB ) M Cr ( μB ) M Sb ( μB ) 4 0.00026 铁 0.11671 0.00163 3.13973 -0.02824 8 0.00146 铁 0.23694 0.00338 3.1305 -0.05262 12 0.00313 铁 0.35691 0.00504 3.12125 -0.07593 16 0.00517 铁 0.47674 0.00663 3.11375 -0.09868 20 0.00753 铁0.59647 0.00817 3.10763 -0.12114 24 0.00095 铁磁 0.71616 0.00969 3.10249 -0.14348 此外，图3显示了Cr掺杂AlSb的配置，其表现出正的ΔE，表明其在铁磁状态下比在反铁磁状态下更稳定。图3中的分析表明，不仅杂质的3d态，而且Sb的4p态也对费米能级有显着贡献。AlSb和Cr的共掺杂表明铁磁稳定基于具有强pd杂化的双交换机制。此外，图3显示了计算出的Cr掺杂闪锌矿AlSb的居里温度（TC）。结果表明，这两种过渡金属在室温以上都有较高的TC值。值得注意的是，钒的TC高于钛，达到750K。而且，图上显示TC随掺杂浓度的增加而增加。
LA2/ ... div>中孤立域壁的大磁力
的生成，操纵和磁性域壁的传感是效率旋转器件设计的基石。半金属是为此目的而适合的，因为从自旋纹理处的自旋积累可以预期大型低场磁力信号。在一半金属中，la 1-x Sr x Mno 3（LSMO）锰矿被认为是其坚固的半金属基态的有前途的候选者，居里温度高于室温（t c = 360 K，x = 1/3）和化学稳定性。然而，由于各种磁磁性源的纠缠，即自旋积累，各向异性磁化率和巨大的磁化率，由于报道的值的差异很大，在报告的值中却差异很大，并且在报道的值中存在巨大差异。在这项工作中，在LSMO横形纳米线中测量了域壁磁磁性，其单域壁在整个路径上成核。磁阻的值超过10％，起源于由于传导电子对域壁的自旋纹理的误差效应而引起的自旋积累。从根本上讲，该结果表明了旋转纹理的非绝热过程的重要性，尽管与锰矿的局部t 2g电子相连。这些大的磁化值值足够高，足以编码和读取未来的氧化物自旋传感器中的磁位。
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的生成，操纵和磁性域壁的传感是效率旋转器件设计的基石。半金属是为此目的而适合的，因为从自旋纹理处的自旋积累可以预期大型低场磁力信号。在一半金属中，la 1-x Sr x Mno 3（LSMO）锰矿被认为是其坚固的半金属基态的有前途的候选者，居里温度高于室温（t c = 360 K，x = 1/3）和化学稳定性。然而，由于各种磁磁性源的纠缠，即自旋积累，各向异性磁化率和巨大的磁化率，由于报道的值的差异很大，在报告的值中却差异很大，并且在报道的值中存在巨大差异。在这项工作中，在LSMO横形纳米线中测量了域壁磁磁性，其单域壁在整个路径上成核。磁阻的值超过10％，起源于由于传导电子对域壁的自旋纹理的误差效应而引起的自旋积累。从根本上讲，该结果表明了旋转纹理的非绝热过程的重要性，尽管与锰矿的局部t 2g电子相连。这些大的磁化值值足够高，足以编码和读取未来的氧化物自旋传感器中的磁位。
超细纳米域工程释放初期铁电的铁电性
摘要：初期的铁电特性已经成为一种有吸引力的功能材料，因为它们的潜力是为外来的铁电行为而设计的，因此具有巨大的希望，可以扩大铁电家族。然而，到目前为止，他们的人工设计的铁电性远远远远没有与经典的铁电抗衡。在这项研究中，我们通过制定超细纳米域工程策略来应对这一挑战。通过将这种方法应用于基于SRTIO 3的膜的代表性初期铁电膜，我们实现了前所未有的强大铁电性，不仅超过了先前的初期铁电磁记录，而且还可以与经典的铁电极相媲美。，薄膜的不分极化可达到17.0μccm-2，超高的居里温度为973 K.原子尺度研究阐明了这种强大的高密度超细性纳米域在跨越3-10个单位细胞中这种强大的高密度超细性纳米域中这种强大的铁电性的起源。将实验结果与理论评估相结合，我们揭示了潜在的机制，在这种机制中，有意稀释的外国FE元素可以很好地产生更深的Landau能量，并促进了极化的短期排序。我们开发的策略显着简化了非常规铁电的设计，为探索新的和上级铁电材料提供了多功能途径。
基于BaTiO3多元掺杂提高介电陶瓷铁电材料储能密度及效率的研究
摘要：在环境污染日益严重的情况下，为推动绿色能源的研究，介电陶瓷储能材料正受到广泛研究，其具有充放电循环极快、耐用性高的优点，在新能源汽车、脉冲电源等方面有广阔的用途。但普通介电陶瓷铁电材料储能密度较低，因此，本文以BaTiO 3 (BT)为基础，划分出8个组分，通过传统固相烧结法，将AB位置替换为不同比例的各类元素，以提高其储能密度，提高BT基铁电材料的储能效率。本文研究了掺杂样品的XRD、Raman、铁电、介电、阻抗测试结果，确定了最佳组分。通过Bi3+、Mg2+、Zn2+、Ta5+、Nb5+五种元素掺入制备了(1-x)BT-xBi(Mg1/3Zn1/3Ta1/6Nb1/6)O3系列陶瓷。随着掺杂量x的增加，电滞回线变细，饱和极化强度与剩余极化强度下降，储能密度先上升后下降。x=0.08以后的介电特性呈现平缓的介电峰，说明已经形成了铁电弛豫。最佳组分x=0.12的储能密度和效率分别达到了1.75J/cm3和75%，居里温度约为-20◦C，具有在室温下使用的潜力。
特刊“环境中的多种耐药细菌，它们的抵抗和转移机制”
摘要：随着民用和军事领域的通信技术的快速发展，电磁波引起的电磁辐射污染问题变得特别突出，并带来了巨大的伤害。迫切需要探索有效的电磁波吸收材料来解决电磁辐射污染的问题。因此，各种吸收材料已经迅速发展。中，具有出色磁性特性的铁（Fe）磁吸收颗粒材料，高Snoek的截止频率，饱和磁化和居里温度，表现出极好的电磁波损失能力，是吸收吸收材料的一种承诺。然而，铁磁颗粒的阻抗匹配，易于氧化，高密度和强烈的皮肤作用的缺点。通常，形态结构设计和多组分材料复合材料的两种策略用于改善基于Fe的磁吸收剂的微波吸收性能。因此，在微波吸收中已广泛研究了基于Fe的微波吸收材料。在这篇综述中，通过近年来对基于Fe的电磁吸收材料的报告摘要进行了审查，从详细讨论了基于Fe和Fe的复合吸收器的不同方面的详细讨论基于Fe的吸收材料的研究进度，并进行了基于Fe的吸收材料的研究进度，并进行了制备方法，吸收培养基和基于铁的吸收材料的吸收机制。同时，还阐述了基于Fe的吸收材料的未来开发方向，为有效的电磁波吸收材料的研究和开发提供了参考，具有较强的吸收性能，频率带宽，轻质重量和较薄的厚度。
fe3gate2/wse2/fe3gate2 van der wa der waals异质结构
磁性隧道连接点（MTJ）是非挥发性随机访问记忆（MRAM）技术的领先存储成分。1,2它由夹在两个磁层层之间的薄隧道屏障层组成，提供快速开关速度，高耐力和低功耗。3，随着大数据和物联网的不断增长，优化了MTJ的运营，以实现较低的能源消耗以获得高密度记忆，并且更快的数据处理变得至关重要。4一种有效且易于访问的方法来操纵MTJ，正在使用电场，该电场在铁磁/铁电力多性异质结构中实现。5 MTJ Spintronic设备的行为和性能受到异质结构之间的界面的显着影响。4因此，实现MTJ的高质量接口对于充分利用其功能并增强数据处理速度至关重要。二维（2D）范德华（VDW）磁铁的出现为结构VDW异质结构提供了有前途的途径，与原子尖锐的互相互相互相互相耦合，6 - 14，这使得它使IT可以探索MTJ Pertronic设备的新颖电子控制。4,15近年来，在全VDW MTJ中，在带有隧道屏障HBN，MOS 2和INSE的全VDW MTJ中，在自旋阀设备中进行了显着的前进。16 - 21个最近的研究在低温下通过VDW异质结构中的电子均值报道了TMR。23 - 2516然而，在室温下实现TMR操作的电气控制仍然是一个持续的挑战，迄今为止，VDW异质结构尚未实现室温可调TMR。永远，发现2D VDW铁磁（FM）金属Fe 3 Gate 2，22，其在室温高于室温（居里温度≈350 - 380 K）上表现出强烈的铁磁作用，并稳健的大型垂直磁性各向异性，可以打开VDW旋转器件中房间温度旋转操作的可能性。
菌株诱导的拓扑相变于铁磁性Janus单层MNSBBIS2TE2
大型垂直压电性，5–7可调节带隙，8,9和大型Dzyaloshinskii – Moriya互动（DMI）。10,11因此，近年来，2d Janus材料在纳米科学和纳米技术方面受到了广泛关注。迄今为止，已经在实验中发现了几种磁性janus材料或从理论上预测。例如，他等人。预测，基于CR的Janus Mxene Monolayers CR 2 CXX 0（x，x，x 0 = h，f，cl，br，oh）的NE´EL温度最高为400K。12同样，Akgenc等人。预测基于CR的Janus MXENE的单层CRSCC中的居里温度为1120 K，这表明对未来的Spintronic应用提出了承诺的候选者。13 Jiao等。 提出了新的2d Janus Cr 2 O 2 Xy（X = Cl，Y = Br/I）单层，并研究了使用菌株从铁磁到抗铁磁状态的相过渡，提出Cr 2 O 2 XY作为旋转型应用的潜在材料。 14此外，Zhang等人。 预测具有较大山谷极化的高度稳定的室温磁磁性janus vsse单层，在Valleytronics V（S，SE）2中具有潜在的应用。 15研究13 Jiao等。提出了新的2d Janus Cr 2 O 2 Xy（X = Cl，Y = Br/I）单层，并研究了使用菌株从铁磁到抗铁磁状态的相过渡，提出Cr 2 O 2 XY作为旋转型应用的潜在材料。14此外，Zhang等人。 预测具有较大山谷极化的高度稳定的室温磁磁性janus vsse单层，在Valleytronics V（S，SE）2中具有潜在的应用。 15研究14此外，Zhang等人。预测具有较大山谷极化的高度稳定的室温磁磁性janus vsse单层，在Valleytronics V（S，SE）2中具有潜在的应用。15研究