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标准许可计划审查清单
本文档旨在简化预筛选和计划审查过程。申请人为满足这些要求的高级准备将提高效率。屏幕前的审查确保您已上传了必要的文件以在审查过程中前进。请注意，列表中的特定项目可能不普遍适用，并且每个项目可能都有其他要求。本文档为您的许可申请提供了最小的要求，并提供了促进平稳审核过程的指南。
夹式粘合 CCPAK-1212：设计下一代 GaN 产品 Serge Karboyan、Ding Yandoc、Barr Licup、Manikant、Sara Martin Horcajo、Stefano
夹片键合 CCPAK-1212：设计下一代 GaN 产品 Serge Karboyan、Ding Yandoc、Barr Licup、Manikant、Sara Martin Horcajo、Stefano Dalcanale、John Denman、Zainul Fiteri、Hagop Tawidian、Manfred Rowe、Sven Zastrau、Adam Brown 和 Bas Verheijen Nexperia，Bramhall Moor Ln，斯托克波特，大曼彻斯特，英国 关键词：GaN、AlGaN、CCPAK1212、夹片键合、封装、产品可靠性。 引言 Nexperia 的商业化 GaN 基功率晶体管在功率器件市场表现出巨大优势，在 650 V 时提供低导通电阻。为了在不同应用（如车载充电器、DC-DC 转换器、牵引逆变器）[1、2] 中实现这种出色性能，Nexperia 推出了一种新型夹片键合封装 HEMT，在高工作电压下具有低关断态漏电。虽然这是 GaN 行业中第一个推出完全夹片键合解决方案而不需要任何引线键合连接的解决方案，但该解决方案的电感比引线封装低 5 倍（2.37 nH 对比近 14 nH），并且封装电阻超低，热阻小于 0.5 K/W [3]。要保持这种性能，需要高水平的器件工程设计，包括 HEMT 设计、MOSFET 设计以及紧凑型 CCPAK 中的共源共栅配置，从而形成具有行业领先性能的创新封装。夹片键合配置用于优化热性能和电气性能，简化的共源共栅可避免使用栅极驱动器。结果与讨论图 1 显示了共源共栅配置中的无引线键合 GaN HEMT 和 Si MOSFET。这些器件位于
使用完整或碎片的铝热剂弹丸调整撞击碎片的分散
使用高速撞击点火测试系统研究脆性铝热剂弹丸以 850 和 1200 米/秒的速度撞击惰性钢靶时的动态响应。弹丸包括固结的铝和三氧化二铋，由推进剂驱动的枪发射到配备高速成像诊断装置的捕集室中。弹丸穿过捕集室入口处的防爆屏，在穿透防爆屏时碎裂或在撞击钢靶之前保持完整。在所有情况下，弹丸在撞击时都会粉碎，反应碎片云会扩散到捕集室中。在较低的撞击速度下，碎裂弹丸和完整弹丸产生的火焰蔓延速度相似，均为 217 – 255 米/秒。在较高的撞击速度下，完整的射弹产生最慢的平均火焰蔓延速度，为 179 米/秒，因为碎片的反弹受到射弹长度的限制，并且由此产生的碎片场在径向高度集中。相比之下，破碎的射弹反弹成分散良好的碎片云，其火焰蔓延速度最高，为 353 米/秒。提出使用动能通量阈值来描述观察到的碎片分散和火焰蔓延速度的变化。使用计算流体力学代码开发了一种基于粒子燃烧时间的反应性模型，该模型结合了多相环境中的传热和粒子燃烧，以了解粒径如何影响火焰蔓延。模型结果显示，对于较小颗粒碎片，更快的反应性和增加的阻力抑制运动之间存在权衡。
ELAN 2021年收益报告
近两年，受惠于微软最新操作系统 Windows 11 以及商用笔电需求增加，笔电产业成长动能已由量产转为规格升级，触控板/触控屏/指纹识别等增值功能将为业务带来更高的内容价值。同时义隆电子持续投入车用 AI 视觉处理与识别、可折叠手机、生物识别卡、miniLED 等各方面，并与多家商业伙伴合作，拓展成长空间。
选择沉浸空间的显示技术时要考虑什么
拍摄曼达洛人时，使用弯曲的LED屏幕，而不是传统的绿屏。演员在巨大的270°LED屏幕中表演，该屏幕可以互动地播放数字3D环境。环境被渲染和点亮，好像从虚幻引擎中真实摄像机的角度来看。基本上，这意味着他们可以创建出色的场景而无需进行现场拍摄。和超亮LED屏幕可以打击环境舞台的照明。它甚至有助于照亮电影主题本身。
非对称的有效栅极长度模型...
亲爱的编辑，随着 VLSI 技术的发展，环栅 (GAA) 硅纳米线晶体管 (SNWT) 已成为技术路线图末端最终缩放 CMOS 器件最有潜力的候选者之一。一些先驱研究已经证明了 GAA SNWT 的超可扩展性和高性能 [1-3]。然而，在实际制作结果中 [1,2]，由于纳米线对蚀刻工艺的阴影效应，环栅栅极电极通常不是关于纳米线中心轴理想对称的，而是沿纳米线轴向呈梯形横截面。栅极电极的这种不对称性会使性能评估不正确，并导致用于电路仿真的器件紧凑模型不准确。然而，对非对称 GAA 硅纳米线 MOSFET 建模的研究仍然不足 [4,5]。本研究建立了非对称栅极GAA SNWT的有效栅极长度模型，并用技术计算机辅助设计（TCAD）仿真对其进行了验证。利用所提出的模型，可以将非对称GAA SNWT视为等效对称器件，从而可以在电路仿真中简化建模参数。仿真与方法。图1（a）沿沟道方向描绘了非对称栅极GAA SNWT的横截面。在
储能杂志
电化学储能是可再生能源发电系统的重要组成部分，有助于建设低碳社会。铅炭电池是一种改进的铅酸电池，将碳加入负极板。它弥补了铅酸电池无法处理瞬间大电流充电的缺陷，具有安全性高、性价比高、可持续发展等优点。铅炭电池的回收效率为98%，回收过程符合所有环境和其他标准。储能用铅炭电池还需要具备深度放电能力，尽管放电深度对铅炭电池正极板的失效有显著影响。本研究优化和增强了铅炭电池的正极板，使其能够同时执行大电流充电（340.255 A）和深度放电（70% DOD）操作。选择合适的铅合金、改善正极板栅的结构以及调节板栅的固化和干燥过程都是优化和改进过程的一部分。升级后的铅碳电池循环寿命为7680次，在相同条件下比未升级的铅碳电池寿命延长93.5%。本文制造的大容量（200 Ah）工业铅碳电池是一种可靠且经济高效的储能选择。
1.2-V 2.18-ppm/C 曲率补偿 CMOS...
带隙基准源是模拟、数字或混合信号电路（如模数转换器、数模转换器、低压差稳压器、锁相环和许多其他电子设备）的关键组件[1、2、3、4、5、6、7]。带隙基准源提供的电压具有明确而稳定的特性，并且对电源电压和温度变化不敏感。基准源的准确性和稳定性对后续电路的性能起着重要作用[8、9]。因此，已经提出了许多高阶温度补偿技术来降低 TC。[10、11、12] 中讨论了依赖于温度的电阻比补偿技术。其曲率补偿效果主要由两个温度系数电阻之比决定，该比值将根据工艺角和失配而发生剧烈漂移。文献 [13, 14, 15, 16] 进一步讨论了温度补偿法，利用工作在亚阈值区的 MOS 管栅源电压进行补偿，但亚阈值 MOS 管由于补偿面积较大，因此 TC 受工艺影响较大。文献 [17] 则采用了非线性补偿项 T ln T 的方法，T ln T 是由工作在亚阈值区的 MOS 管栅源电压扩散产生的，
用于智能门驱动板的双向通信电源电路
摘要 - 在电源电路中，栅极驱动器需要提供功率半导体器件的最佳和安全切换。如今，栅极驱动器板包含越来越多的功能，例如短路检测、软关断、温度感应、通态电压监控……正在研究集成在线监控功能以实现预测性维护。栅极驱动系统的仪表假定集成了通信系统来传输监控数据。在高功率设计中，栅极驱动器板上必须进行电流隔离。隔离栅上的寄生电容在这些设计中至关重要，因为它可能导致切换期间共模电流的循环。因此，由于电磁干扰 (EMI) 的限制，在隔离栅上添加额外的光耦合器或变压器是有风险的。本文提出了一种用于驱动 1.2kV SiC 功率 MOSFET 的栅极驱动器的新型双向数据传输方法。所提出的方法可以在单个电源变压器上实现能量传输和双向数据交换。实验结果表明 TxD 为 1Mb/s，RxD 为 16kb/s。目标应用是使用栅极驱动器板对 SiC 功率 MOSFET 进行健康监测。