当 HV 脚施加大于 40V 的电压时,内部高压电流源 对 V CC 脚外接的电容充电。为防止 V CC 在启动过程中短 路引起的功率损耗而使 IC 过热损坏,当 V CC 电压低于 1V 时,高压电流源的充电电流被限制为 I HV1 ( 1mA )。 当 V CC 大于 1V 后,高压电流源的充电电流变为 4mA_min , V CC 电压会迅速上升。当 V CC 超过启动水平 V CC_ON 时,高压启动电流源关闭。同时, UVLO 置高有 效, IC 内部电路开始工作。
将打靶特定人源基因的 Cas9 和 sgRNA 转染到 HEK293 细胞。转染所用的质粒 DNA 上含有 表达带双端核定位序列 ( NLS )的 Cas9 及 sgRNA 的表达框,通过 TransIT-X2 (Mirus) 转染 试剂进行转染。转染所用的 Cas9 mRNA 进行了假尿苷和 5- 甲基胞嘧啶修饰且带有双端 核定位序列,使用 transIT-mRNA 转染试剂将 sgRNA 和 mRNA 共转染。 Cas9 RNPs 使用脂质 体 RNAiMAX ( Life Technologies ) 进行反向转染, RNP 的终浓度为 10 nmol 。 Cas9 蛋白上不含 核定位序列。 EnGen Cas9 含有双端核定位序列。编辑效率通过 T7E1 实验进行分析,结果 以修饰百分比进行统计。
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从长远来看,一个国家可以生产的商品和服务数量取决于经济的生产能力,后者由诸如劳动力规模,固定资本的库存以及这些资源的有效程度。这种能力量度称为经济的潜在产出。实际上,由于业务活动的波动,给定年份中的实际产出与其潜在产出很少相同。实际输出和潜在输出之间的差异称为输出差距,被认为是商业周期的度量。积极的产出差距表明经济暂时运作超出能力,通常导致通货膨胀增加,而负产出差距则表明经济下滑,通常与高失业率有关。从理论上讲,校准政策组合以最大程度地减少产出差距,因此避免过度失业和通货膨胀是政策以可持续方式提高生活水平的最有效方法之一。实际上,众所周知,实时估算输出差距是困难的。例如,有一系列指标(或负输出差距),例如失业率非常低,信用增长高,经常账户赤字或通货膨胀率。更正式地,数学模型可用于直接估计潜在的输出,因此可以使用输出差距。这个积极的产出差距主要由劳动力市场条件驱动,失业率接近纪录的低水平。该部门具有一系列估计方法,主要关注国内部门,以避免与MNC相关的扭曲 - 并纳入与商业周期有关的指标数据,例如失业率,通货膨胀和信贷增长。下面的基线系列(图14a)代表了方法范围的中点,这表明,国内爱尔兰经济的潜在产出增长平均每年超过2%,但较小但始终如一的积极的产出差距表示过度加热的某些要素。
将打靶特定人源基因的 Cas9 和 sgRNA 转染到 HEK293 细胞。转染所用的质粒 DNA 上含有 表达带双端核定位序列 ( NLS )的 Cas9 及 sgRNA 的表达框,通过 TransIT-X2 (Mirus) 转染 试剂进行转染。转染所用的 Cas9 mRNA 进行了假尿苷和 5- 甲基胞嘧啶修饰且带有双端 核定位序列,使用 transIT-mRNA 转染试剂将 sgRNA 和 mRNA 共转染。 Cas9 RNPs 使用脂质 体 RNAiMAX ( Life Technologies ) 进行反向转染, RNP 的终浓度为 10 nmol 。 Cas9 蛋白上不含 核定位序列。 EnGen Cas9 含有双端核定位序列。编辑效率通过 T7E1 实验进行分析,结果 以修饰百分比进行统计。
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