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脉冲功率、Z 箍缩及其应用
• 2000 年夏天，我是 SULI/NUF 的学生。 • 那个夏天，我的研究项目是麻省理工学院的磁约束聚变（MCF）托卡马克装置。--低密度，长时间尺度 • 我还在劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）度过了两个夏天，研究间接驱动惯性约束聚变（ICF）。--高密度，短时间尺度 • 被聚变“虫”咬了之后，我去了普林斯顿大学读研究生，并在 PPPL 有一间办公室。 • 我的论文研究方向是 ICF 的一个子领域，称为重离子聚变（用强带电粒子束取代激光）。 • 我研究生涯的总体目标是提高等离子体科学模拟代码的预测能力。我认为自己是一名进行数值实验的计算物理学家。
j.physletb.2024.138963.pdf
在拓扑孤子范围内，涡流已经出现了显着且通用的解决方案。他们在物理学的各个领域中发现了应用，例如超导性[1]或超导性[2]中的凝结物或粒子物理模型中的应用[3,4]。Abelian-Higgs模型是支持相对论测量涡旋的典型模型（请参阅[5,6]和其中的参考文献）。该模型描述了在过去几十年中彻底研究了量规对称性的阶段，在量规对称性被自发折断的阶段中，uð1的量规场与带电标量场之间的最小耦合，从而更深入地研究了与这类与此类别的拓扑独奏相关联的现象。研究揭示了涡流的基本方面[3,7,8]，它们在散射过程中的行为[9-11]或集体坐标的应用以降低
DNA对高能量的电子激发响应...
摘要：缺乏针对DNA对带电颗粒辐射的电子激发反应的分子级别的理解，例如高能质子，仍然是推进质子和其他离子束癌疗法的基本科学瓶颈。尤其是，不同类型的DNA损伤对高能质子的依赖性代表着重要的知识空隙。在这里，我们使用大量平行的超级计算机采用第一原理实时依赖时间依赖性密度函数理论模拟，以揭示从高能质子到水中DNA的能量传递的量子力学细节。计算表明，质子在DNA糖 - 磷酸侧链上的沉积能量明显多于核仁酶，并且预期在DNA侧链上的能量转移大于水。由于这种电子停止过程，在DNA侧链上产生了高能孔，作为氧化损伤的来源。
石墨烯量子点中激光诱导高次谐波产生和高阶波混频
我们展示了高阶波混频/高次谐波产生（HWM/HHG）的数值研究结果，其中考虑了石墨烯量子点（GQD）中双频圆形强激光场引起的多粒子相互作用过程。显示了这种激光场的相对相位对 GCT 中产生的高阶谐波光谱的影响。这可以控制产生的谐波的极化。 GCT 由紧密耦合的最近邻 (TN) 模型描述。扩展哈伯德近似考虑了多粒子相互作用。我们利用已经应用的方法来解决带电载流子局部表示中的量子动力学方程，并获得了 GQD 中 SVV/SHG 过程的一般公式。对所得结果的分析证实了在双频圆形激光场的某些相位下，具有锯齿状边缘的三角形和六边形GCT中SHG具有足够的效率。
VASP的机器学会的力场准备分子...
引言Mackinawite（FES）既可以作为地热管道的缩放剂，又是工业应用中的催化剂，具有环境修复的潜力。研究不同的{fe 2+}下的FES形成：{S 2-}比率对于理解其在自然和工程系统中的行为至关重要。但是，该比率对FES成核的影响仍然未知。我们的研究旨在使用具有元动力学的分子动力学模拟（MD）来表征最小的FES簇，以通过第一原理计算和机器学习来开发合适的力场。我们专注于训练并创建精确的机器学习力场（MLFF）。成熟的MLFF使元动力学MD能够构建带电三离子簇（CTIC）的关联的自由能表面（FES），从而揭示了{fe 2+}的影响：{s 2-}比率对成核的影响（图。1）。
超级电容器及其革命性能源存储和电力输送的潜力
传统电容器是双端无源电气元件，以电场的形式静电存储能量。它们由两个导电表面（也称为电极）组成，由电介质或绝缘体隔开。当在电容器上施加电压时，电子会向其中一个极板迁移，在其上产生净正电荷，并排斥另一个极板上的电子。由于相反电荷之间的静电吸引力，正电荷和负电荷保留在极板上。极板之间的绝缘体可防止因电位差而导致的任何电荷迁移，因此没有电流流过电容器。这在两个极板之间产生了电场，该电场一直持续到外部端子带电、短路或施加在电容器上的电压极性发生变化为止。这一特性是电容器储能能力的本质，即使电容器与电压源断开连接，电压仍会保持。
碳化物中固有缺陷的理论研究...
图。2。示意图说明了对带电缺陷的DFT超级电池计算的远程筛选能量的评估。（a）带电荷Q的批量缺陷具有介电筛选，该筛选有限地扩展，刻有正方形，表明计算超级电池的范围。（b）DFT Supercell在超级电池并行教的全净电荷Q中汇总，通过从超级电池边缘绘制电子来筛选近场的区域，从而降低边缘区域。（c）等效体积球，半径为R Vol，需要评估远程筛选能量。（d）R皮肤减少了此半径以解释未经筛选的细胞体积，从而导致R JOST定义的JOST经典介电筛选。
粒子通道精细结构的观察...
利用 Mainz Microtron MAMI 新开发的 530 MeV 正电子束和弯曲硅晶体，我们首次成功通过平面通道和体积反射高效操纵正电子轨迹。这揭示了带电粒子在弯曲晶体平面之间通道时，其角分布中存在精细结构。我们的实验结果与模拟结果的一致不仅表明对带电粒子束和弯曲晶体之间相互作用的理解更加深刻，而且标志着在 GeV 范围内运行的圆形加速器中慢速提取创新方法开发的新阶段，对全球加速器都有影响。我们的研究结果还标志着通过周期性弯曲晶体中的通道过程生成先进 x 射线源的重大进展，这源于对正电子束和此类晶体之间相互作用的全面理解。