其中,我们计算形成量子阱的平面数 ( n qw ) 并乘以 d qw 。因此,厚度测量的预期不确定性在于是否考虑了阱的初始平面和最后一个平面,即标准偏差由 σ = 2 d qw 给出。考虑到这一点,对于异质结构 B,其中 x = 0.31,在量子阱的不同区域 n qw = 33(3 次)和 34 进行了四次不同的测量,计数(002)平面。在平均实验 δ 为 -1.6±0.2 % 的情况下,我们得到 d qw = 2.704±0.007 Å,从而得到平均厚度 t qw = 9.0±0.5 nm。对于异质结构 C,x = 0. 31 并进行了两次计数 (002) 面的测量,n qw = 19 和 20。根据平均实验 δ -1.7±0.5 %,我们获得 d qw = 2 . 701 ± 0 . 014 Å,从而得出平均厚度 t qw = 5 . 3 ± 0 . 5 nm。
图1:反射终止模式,来自Wiki.aapg.org,改编自Vail 1987,用于创建详细模型的原理遵循Plint和Nummedal(2000)中设置的过程,该过程使用了默认的基础级别曲线和每层或周期的固定沉积物。与Plint-nummedal模型不同,而不是仅超过21个周期),而是使用更高的层计数(> 500)来创建沉积概况。在模型中创建了,假设岩石圈倾斜与构造断层相结合,则创建了该模型。 eustenacy变化用于生成地层表面的序列。 每一层的平均厚度在1-2米之间,每个轮廓导致超过1000多个Isopach层。 为每个二阶要的循环创建至少200层,并具有嵌入式三阶和四阶周期。 第五阶拼印件是的一部分。,假设岩石圈倾斜与构造断层相结合,则创建了该模型。eustenacy变化用于生成地层表面的序列。每一层的平均厚度在1-2米之间,每个轮廓导致超过1000多个Isopach层。为每个二阶要的循环创建至少200层,并具有嵌入式三阶和四阶周期。第五阶拼印件是
在这项工作中,验证了底物退火温度对LA 2 Ti 2 O 7薄膜的厚度和粗糙度的影响。通过脉冲激光沉积技术(PLD)在各种退火温度下成功地在Si(100)底物上生长了一组LTO薄膜,每脉冲的脉冲和能量恒定。扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)用于研究沉积的La 2 Ti 2 O 7薄膜的厚度和粗糙度。由于线性退火温度的升高,薄膜的平均厚度降低。当LTO薄膜在500°C下沉积时,发现最大厚度(231 nm)。均方根粗糙度随着底物温度的升高而线性增加。在LTO以(500°C)沉积时,发现最小粗糙度(0.254 nm)。从获得的结果中,其清晰的证据表明退火温度对LTO薄膜的厚度和粗糙度有影响。关键字
将开发露天采石场,并逐步每年对旧采石场进行复垦。采石场的平均面积约为 5 公顷 (ha),采石场内的覆盖层厚度从 2.2 米到 9 米不等(平均 7.3 米),LBI 砂厚度从 9.1 米到 12.4 米不等(APEX 2021),根据钻孔日志数据,平均厚度为 10.5 米。每个采石场单元的采矿完成后,将每年进行复垦。该项目的使用寿命为 35 年,预计在前五 (5) 年内,每年将剥离平均 350,000 吨 (t) 的覆盖层,每年将开采超过 550,000 吨的沙子,预计年产量为 300,000 吨纯硅砂。覆盖层将堆放在采石场附近或用于填海。
m ethods。成年人≥70岁,具有正常视网膜老化,早期AMD或中级AMD,每年与年龄相关的眼病研究(AREDS)九步分级的颜色基础photog-raphy在一项横断面研究中招募了。光学相干断层扫描(OCT)体积经过了11线的分割,并通过训练有素的操作员进行了调整。评估厚度反映了视网膜神经元和两个血管流域的垂直组织:NFL,神经节细胞层 - 内膜丛状层复合物(GCL-ipl),内视网膜,视网膜外视网膜(包括视网膜上皮上皮上皮 - 布鲁克的膜)和总视网膜。厚度的加权厚度以达到6毫米直径的糖尿病性视网膜病变研究(ETDRS)网格的平均厚度。认知状况由美国国立卫生研究院工具箱认知电池评估,用于流体和结晶的认知。相关性估计认知与厚实之间的关联,调整了年龄。
摘要大约10%的出生是早产[PTB; ,37周的妊娠年龄(GA)],这构成了认知,视野和心理健康挑战的风险。使用大型和相对多样化的(即,为反映美国人口中的社会图形变异而设计)青少年脑认知发展研究(ABCD研究),我们表征了PTB对中乳酸儿童脑结构的影响(9-10年)。ABCD样品涵盖了GA频谱,较大的样本量(; 11,500)允许考虑PTB与大脑结构之间的关联如何受到GA,性别,出生体重和分析选择(例如控制总脑大小)的影响。与出生的孩子(37周GA)相比,我们发现了颞叶和背前区域和背侧前额叶区域的相对皮质稀疏模式,以及PTB中内侧前额叶和枕骨内侧的增厚。在控制平均厚度和考虑中等时,此模式是属于父母的(。32和37周GA)和非常PTB(32周GA)分别相对于完整的出生。表面积(SA)和皮层下体积显示在控制脑大小时大大减弱的PTB儿童的减少。对皮质厚度(CT)和表面区域的影响部分由出生体重介导。尽管男孩在PTB之后患不良后果的风险增加,但有限的证据表明PTB效应的性别差异。最后,在“发现”样本(n = 7528)中估计的皮质厚度效应预测了“复制”样本中的GA(n = 2139)。我们的发现有助于阐明PTB对整个GA频谱中儿童晚期的影响。
摘要:密集的核-壳纳米线阵列具有作为超吸收介质用于制造高效太阳能电池的巨大潜力。通过对室温光反射 (PR) 光谱的详细线形分析,采用 GaAs 复介电函数的一阶导数高斯和洛伦兹模型,我们报告了具有不同壳厚度的独立 GaAs-AlGaAs 核-壳纳米线的 GaAs 近带边吸收特性。纳米线 PR 光谱的线形分析返回了能量在 1.410 和 1.422 eV 之间的双重共振线,这归因于 GaAs 纳米线芯中的应变分裂重空穴和轻空穴激子吸收跃迁。通过对 PR 特征的 Lorentzian 分析评估的激子共振光振荡器强度表明,与参考平面结构相比,纳米线中的 GaAs 带边光吸收显著增强(高达 30 倍)。此外,将积分 Lorentzian 模量的值归一化为每个纳米线集合内的总 GaAs 核体积填充率(相对于相同高度的平面层估计在 0.5-7.0% 范围内),从而首次实现了 GaAs-AlGaAs 核-壳纳米线的 GaAs 近带边吸收增强因子的实验估计,该因子在 22-190 范围内,具体取决于纳米线内核-壳结构。如此强的吸收增强归因于周围的 AlGaAs 壳(在目前的纳米结构中,其平均厚度估计在 ∼ 14 到 100 纳米之间)对入射光进入 GaAs 核的波导改善。关键词:III-V 化合物、GaAs-AlGaAs 核-壳纳米线、光反射光谱、近带边跃迁、增强光吸收、纳米线太阳能电池■简介