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World File Search System开关元件
具有多路复用伪确定性光子源......
可靠、确定性地生产值得信赖的高质量单光子是离散变量光学量子技术的关键组成部分。对于基于单光子的完全纠错量子计算系统，估计需要光子源以超过 1 GHz 的速率产生可靠的光子流 (Vigliar 等人，2021)。光子复用是一种潜在的解决方案，其中低概率源与交换网络相结合，将成功的生产事件路由到输出，但需要极快的单光子切换和超低的损耗率。在本文中，我们研究了开关元件的具体属性，并提出了一种新设计，该设计利用了常见开关元件（例如导热垫）的一般单向属性。通过将多个开关引入基本的时间复用设备，我们可以在以更快的速率泵送的多路复用源中使用慢速开关元件。我们在多个错误通道下对这种设计进行建模，并表明预期性能现在受到集成光子芯片组内光波导的固有损耗率的限制。虽然开发的设计没有达到必要的 1 GHz 光子速率，但我们展示了当底层技术改进时可能变得有用的设计元素。
MB3759 Fujitsu | Alldatasheet
切换调节器可以达到高效率。本节以斩波器调节器为例描述了操作的基本原理。如图所示，二极管D在Q关闭时通过电感L提供了电流的电流路径。晶体管Q执行切换，并以提供稳定输出的频率进行操作。由于Q打开并在Q关闭时截止时，开关元件已饱和，因此开关元件中的损耗远小于通行晶体管始终处于活动状态的串联调节器。在进行Q时，输入电压V输入到LC电路中，当Q关闭时，将存储在L中的能量通过二极管D提供给负载D。LC电路使输入光滑以提供输出电压。
低压开关设备和控制设备-第5-1部分
国家前言 该印度标准草案（第三次修订）与国际电工委员会（IEC）颁布的 IEC 60947-5-1:2024“低压开关设备和控制设备 - 第 5-1 部分：控制电路设备和开关元件 - 机电控制电路设备”相同，将由印度标准局根据低压开关设备和控制设备分会的建议和电工部门理事会的批准予以采纳。
欧盟第十二轮制裁方案
用于切换电路或连接电路或在电路中工作的电压不超过 1000 V 的电气设备（不包括保险丝、自动断路器和其他保护电路的装置、继电器和其他开关、灯座、插头和插座） 8541.10 二极管，除光敏或发光二极管（LED）之外 8541.21 晶体管，除耗散率小于 1 W 的光敏晶体管之外 8541.29 除光敏晶体管之外的其他晶体管 8541.30 晶闸管、双向二极管和三端双向可控硅开关元件（不包括光敏半导体器件） 8541.49 光敏半导体器件（不包括光伏发电机和电池） 8541.51 其他半导体器件：基于半导体的换能器 8541.59 其他半导体器件 8541.60 已装配的压电晶体
FBS-GAM02-P-R50
EPC Space FBS-GAM02-P-R50 系列抗辐射多功能电源模块采用 eGaN ® 开关功率 HEMT，设计用于商业卫星空间环境。这些模块包括两个输出功率开关、两个高速栅极驱动电路（完全由 eGaN ® 开关元件组成）、两个带防直通逻辑的功率肖特基二极管钳位元件（用于半桥连接）和一个 +5 V DC 栅极驱动偏置“电源良好”监控电路，采用创新、节省空间的 18 针 SMT 模塑环氧封装。数据表参数保证“辐射后效应”，采用 EPC Space 100% 逐晶圆 eGaN ® 元件抗辐射强度保证验证材料。电路设计符合美国专利 #10,122,274 B2。商业评级 9A515.x 设备。
开关频率对声学特性影响的分析...
摘要 — 电动机广泛应用于各个行业，根据其应用，电动机需遵守特定的噪声标准。尽管无刷电动机的性能优于有刷电动机，但由于其机械、电气和电子元件，无刷电动机会产生噪声。本研究调查了通过驱动器改变开关频率对外转子无刷直流电动机噪声的影响。对具有不同开关频率的表面贴装磁性无刷电动机进行了测试，并提供了有关控制无刷电动机的控制板的详细信息。在消声静室中使用 dB 计进行了声音强度和谐波测量。改变开关频率也会影响电动机速度，因此在研究期间进行了两次不同的测量。在一次测试中，BLDC 电动机速度保持恒定，而在另一次测试中，占空比保持恒定以进行测量。观察到开关频率的增加以降低电动机噪声。然而，这种增加也会导致开关元件损耗，从而导致温度升高。通过调整占空比并改变开关频率，外转子无刷直流电动机的速度保持恒定。在 12-28 kHz 范围内增加开关频率可降低测量到的噪声，同时导致不同频率范围内的温度升高。研究结果表明，现有的 BLDC 电机和驱动器系统在 16-18 kHz 范围内的噪声和温度方面具有最佳性能。
可扩展快速光路交换的电路设计
2.1 (a) 垂直 MEMS 耦合器的 (a) 关闭状态和 (b) 开启状态示意图 - 图片取自 [14] (c) MEMS 开关单元的 SEM - 图片取自 [22] . . 7 2.2 MEMS 开关元件的代表性传递函数。 . . . . . . . . . . . . . 8 2.3 (a) 128x128 SiPh MEMS 纵横开关 (b) 4x4 CMOS 高压驱动芯片倒装芯片接合到 SiPh MEMS 芯片的 GDS 屏幕截图。 . . . . . . . . . . . . 9 2.4 (a) SuperSwitch 1 高压驱动芯片的显微照片 (b) 驱动芯片的卡通布局图。 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 2.5 假设采用单个 CMOS 芯片，则激活 128 行中的 1 行的简单原理图。 . 11 2.6 假设采用 4x4 CMOS 芯片阵列，则控制 128x128 开关的原理图。 12 2.7 (a) N c = 1 时第 0 列和第 1 列的逻辑 (b) N c = 2 时第 0 列和第 1 列的逻辑。 13 2.8 (a) 带有用于调试的环回多路复用器的 SuperSwitch1 控制芯片扫描架构的最终原理图。 (b) SuperSwitch1 控制器芯片的最终参数。 . . . . . 14 2.9 (a) SuperSwitch1 高压驱动电路原理图。 (b) 所有电源及其标称值的列表。 . . . . . . ... 19 2.13 (a) HVDD = 70 V、HVSS = 65 V 时所有角的 VSS 电阻 shmoo 图。 (b) 相同图，但 HVDD = 70 V、HVSS = 66 V。 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 2.16 (a) 凸块 CMOS 焊盘的显微照片。(b) Au UBM 和 Au 微凸块的横截面。(c) 使用不同厚度的 UBM 在 SiPh 芯片上补偿 CMOS 焊盘高度差异的键合工艺说明。. . . . . . . . . 22