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World File Search System异质
用于异质集成
i n [1]，已报道了多个芯片在重新分布层（RDL）（RDL）上的设计，材料，过程和组装 - 首先是带有风扇淘汰面板级包装（FOPLP）的第一个基材。RDL-第一个底物[1]在临时玻璃载体上制造，由三个RDL组成，其金属层线宽和间距（L/S）等于2/2、5/5和10/10 m m。由于工艺顺序（2/2 m M金属L/sift，5/5 m m秒和10/10 m m三分之一）在制造RDL-第1个基材时，需要将RDL-FIR-FIRSTRATE转移到另一个临时载体上。然后，将第一个临时玻璃载体拆除，并执行芯片到基底键合，以便可以将芯片直接连接到2/2-M M Metal L/S RDL。然而，由于第二辆载体的粘结和第一个载体的拆卸导致了较大的扭曲，因此焊接质量质量的芯片在RDL底物上的产量非常低。因此，在[1]热压缩键中，一次使用一个芯片。在这项研究中，提出了制造RDL底物的新工艺顺序（10/10 m M Metal L/siftim，第一个，5/5 m m秒和2/2 m m三分之二）。在这种情况下，无需将RDL衬底转移到另一架载体上，然后首先通过小强度的热压缩芯片到rdl-substrate键合，然后立即焊接所有芯片的质量。通过滴测试证明了异质集成包的印刷电路板（PCB）组件的可靠性。讨论了结果和失败分析。
异质SARS-COV-2动力学
引言真菌病真菌（MF）是皮肤T细胞淋巴瘤（CTCL）最常见的亚型，并由转化的皮肤居民记忆CD4 + T细胞的克隆膨胀来表征（1，2）。被诊断出患有早期MF的患者会出现皮肤斑块和斑块，并经历了有利预后的顽固疾病病程（2）。在初始阶段，大多数T细胞都居住在皮肤中，只有少量在外周血和淋巴结中循环。然而，大量患者进入晚期阶段，恶性淋巴细胞扩散到人体其他部位，这可能导致致命的结果（2-4）。MF的惊人特征是对皮肤的淋巴细胞增殖的限制，这意味着恶性细胞取决于其特异性皮肤肿瘤微环境（TME），包括细胞对细胞相互作用，空间分布和分泌因子（5，6）。恶性皮肤浸润淋巴细胞伴随着非恶性T细胞以及其他免疫细胞和基质细胞的真皮浸润（7-9）。所有这些细胞都会产生各种影响皮肤炎症的细胞因子和其他免疫调节剂因子，并且是TME的重要组成部分，促进了增殖，存活以及迁移并抑制肿瘤细胞免疫外生物保护剂。单细胞RNA测序（SCRNA-SEQ）（10）的进步允许从大型异质种群（例如患者活检）中对数千个单个细胞进行转录分析。对细胞异质性的这种分析提供了一个独特的机会，可以在其微环境的背景下评估单个细胞的功能（11，12）。通过MF皮肤病变的SCRNA-SEQ，我们（13）和其他（14，15）表明，MF TME中的T淋巴细胞显示出大量的患者间和患者内基因表达异质性。
异质期望和商业周期
许多中央银行非常规政策工具包的支柱。鉴于中央银行的基于通信工具的频率和强度的增加，一个重要且密切相关的问题是中央银行的信誉及其与ELB商业周期动态的互动。宏观经济文献经常使用理性期望（RE）方法来检查ELB对业务周期的影响。在标准模型中，这种方法假设经济中的代理人完全了解中央银行的目标功能，并相信未来的政策行动将与该目标保持一致。因此，在具有理性期望的模型中，央行信誉的相关性几乎没有空间。在本文中，我们放宽了完整的理性假设，并提出了一个具有有限信息的异质期望模型，在这种情况下，允许代理在两种类型的预测规则之间切换。作为我们的起点，我们使用规范的三方程式混合动力新凯恩斯主义模型，但要受到名义利率的限制。我们向该框架介绍了异质期望，在该框架中，允许代理在锚定的伪理性期望模型和自适应学习模型之间切换，如果满足某些条件，期望可能会降低期望。在模型中，这两种类型的指示之间的开关机制是内源性的，其中相对代理使用每种类型的预测规则共享取决于其过去的预测性能。因此，越来越多的代理放弃了理性期望规则，并转向自适应学习。我们模型的主要新颖性是，当大量的自适应学习者与ELB约束结合使用时，Econmy失去了稳定性。在这些情况下，自适应学习者的份额不断增加，对应于中央银行通过非常规货币政策措施规避ELB约束的能力的丧失。更多自适应学习者的存在从Central Bank所需的利率路径（阴影速率）到置换和输出差距削弱了反馈通道，这会促进静脉压力。与ELB结合使用，这导致了更高的实际利率，并降低了促进的需求。不良冲击会在这种情况下触发静脉螺旋，如果期望在下降
气候变化对发病率的异质影响
本文使用覆盖匈牙利人口的50％的行政数据来研究温度对急诊科（ED）访问的影响，并从2009年到2017年进行了352万次访问。结果表明，当平均温度超过10°C时，ED访问率会增加，这主要是由不导致住院的轻度病例驱动的。更高的湿度会放大热效应，这在连续炎热的日子后也更强。这些发现进一步表明，气候变化的影响 - 当前和未来 - 都是巨大的。在2009年至2017年之间，ED访问的0.66％归因于1950 - 1989年期间的温度变化。此外，到2050年代，与21世纪的前15年相比，根据气候情况，年度ED访问率预计将上升1.24％–1.70％。异质性分析表明，高温和气候变化的未来影响的影响在低收入地区，一般从业者密度较低的地区以及年轻人中的影响不成比例。
异质材料双栅极的建模与仿真
隧道场效应晶体管 (TFET) 被认为是未来低功耗高速逻辑应用中最有前途的器件之一，它将取代传统的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。这是因为随着 MOSFET 尺寸逐年减小，以实现更快的速度和更低的功耗，并且目前正朝着纳米领域迈进，这导致 MOSFET 的性能受到限制。在缩小 MOSFET 尺寸的同时，面临着漏电流增加、短沟道效应 (SCE) 和器件制造复杂性等几个瓶颈。因此，基于隧道现象原理工作的 TFET 已被提议作为替代 MOSFET 的器件之一，后者基于热电子发射原理工作，将器件的亚阈值摆幅限制在 60mV/十倍。 TFET 具有多种特性，例如不受大多数短沟道效应影响、更低的漏电流、低于 60mV/dec 的更低亚阈值摆幅、更低的阈值电压和更高的关断电流与导通电流之比。然而，TFET 也存在一些缺点，例如掺杂 TFET 的制造工艺复杂，会导致各种缺陷。这些问题可以通过使用无掺杂技术来克服。该技术有助于生产缺陷更少、更经济的设备。另一个缺点是 TFET 表现出较低的导通电流。异质材料 TFET 可用于解决低离子问题。为了更好地控制异质材料 TFET 沟道，提出了双栅极。亚阈值摆幅 (SS) 是决定器件性能的重要参数之一。通过降低 SS，器件性能将在更低的漏电流、更好的离子/关断比和更低的能量方面更好。这个项目有 3 个目标：建模和模拟异质材料双栅极无掺杂 TFET (HTDGDL- TFET)。比较 Ge、Si 和 GaAs 作为源区材料的 TFET 性能。将 HTDGDL-TFET 用作数字反相器。将使用 Silvaco TCAD 工具进行模拟。已成功建模单栅极和双栅极 HTDL-TFET。已为该项目进行了 4 个模拟测试用例，以选择所提 TFET 的最佳结构。使用 Vth、SS、Ion、Ioff 和 Ion/Ioff 比等几个重要参数来测量 TFET 的性能。在所有 4 个测试用例中，最佳 TFET 结构以 Ge 为源区材料，源区和漏区载流子浓度为 1 × 10 19 𝑐𝑚 −3，沟道载流子浓度为 1 × 10 17 𝑐𝑚 −3，且无掺杂。这是因为器件的 Vth 值为 0.97V，SS 值为 15mV/dec，Ion/Ioff 比为 7 × 10 11 。设计的 TFET 反相器的传播延迟比 [21] 中的反相器短 75 倍，比市场反相器 [SN74AUC1G14DBVR] 短 29 倍。本文还提出了一些未来的工作。
1个异质催化剂：主...
1生产工程，科学和技术启动奖学金的本科生。坎皮纳格兰德大学（UFCG）。坎皮纳·格兰德（Campina Grande），巴西Paraíba。电子邮件：anakaroliny.feitosa@gmail.com orcid：https：//orcid.org/0009-0000-0000-0777-8905 2 2在机械工程，科学启动奖学金中毕业。坎皮纳格兰德大学（UFCG）。坎皮纳·格兰德（Campina Grande），巴西Paraíba。电子邮件：herbertfernandes21793@gmail.com orcid：https：//orcid.org/0009-0009-0009-1659-8231 3化学工程掌握。坎皮纳格兰德大学（UFCG）。坎皮纳·格兰德（Campina Grande），巴西Paraíba。电子邮件：hld.lcena@gmail.com orcid：https：//orcid.org/0000-0000-0002-4369-7843 4材料科学与工程学的博士学位。 坎皮纳格兰德大学（UFCG）。 坎皮纳·格兰德（Campina Grande），巴西Paraíba。 电子邮件：elvialeal@gmail.com orcid：https：//orcid.org/0000-000-0001-7672-8995 5材料科学与工程学的博士学位。 坎皮纳格兰德大学（UFCG）。 坎皮纳·格兰德（Campina Grande），巴西Paraíba。 电子邮件：luciano.uepb@gmail.com orcid：https：//orcid.org/000000-000-0002-5057-2563 6材料科学中的博士学位。 陶瓷材料合成实验室（LABSMAC），坎皮纳格兰德大学（UFCG）。 大坎皮纳·格兰德（Greater Campina Grande），巴西Paraíba。 电子邮件：ana.figueiredo@professor.ufcg.edu.br orcid：https：//orcid.org/0000-0000-0002-8585-0009 7材料科学与工程博士。 坎皮纳格兰德大学（UFCG）。 坎皮纳·格兰德（Campina Grande），巴西Paraíba。电子邮件：hld.lcena@gmail.com orcid：https：//orcid.org/0000-0000-0002-4369-7843 4材料科学与工程学的博士学位。坎皮纳格兰德大学（UFCG）。坎皮纳·格兰德（Campina Grande），巴西Paraíba。电子邮件：elvialeal@gmail.com orcid：https：//orcid.org/0000-000-0001-7672-8995 5材料科学与工程学的博士学位。 坎皮纳格兰德大学（UFCG）。 坎皮纳·格兰德（Campina Grande），巴西Paraíba。 电子邮件：luciano.uepb@gmail.com orcid：https：//orcid.org/000000-000-0002-5057-2563 6材料科学中的博士学位。 陶瓷材料合成实验室（LABSMAC），坎皮纳格兰德大学（UFCG）。 大坎皮纳·格兰德（Greater Campina Grande），巴西Paraíba。 电子邮件：ana.figueiredo@professor.ufcg.edu.br orcid：https：//orcid.org/0000-0000-0002-8585-0009 7材料科学与工程博士。 坎皮纳格兰德大学（UFCG）。 坎皮纳·格兰德（Campina Grande），巴西Paraíba。电子邮件：elvialeal@gmail.com orcid：https：//orcid.org/0000-000-0001-7672-8995 5材料科学与工程学的博士学位。坎皮纳格兰德大学（UFCG）。坎皮纳·格兰德（Campina Grande），巴西Paraíba。电子邮件：luciano.uepb@gmail.com orcid：https：//orcid.org/000000-000-0002-5057-2563 6材料科学中的博士学位。 陶瓷材料合成实验室（LABSMAC），坎皮纳格兰德大学（UFCG）。 大坎皮纳·格兰德（Greater Campina Grande），巴西Paraíba。 电子邮件：ana.figueiredo@professor.ufcg.edu.br orcid：https：//orcid.org/0000-0000-0002-8585-0009 7材料科学与工程博士。 坎皮纳格兰德大学（UFCG）。 坎皮纳·格兰德（Campina Grande），巴西Paraíba。电子邮件：luciano.uepb@gmail.com orcid：https：//orcid.org/000000-000-0002-5057-2563 6材料科学中的博士学位。陶瓷材料合成实验室（LABSMAC），坎皮纳格兰德大学（UFCG）。大坎皮纳·格兰德（Greater Campina Grande），巴西Paraíba。电子邮件：ana.figueiredo@professor.ufcg.edu.br orcid：https：//orcid.org/0000-0000-0002-8585-0009 7材料科学与工程博士。 坎皮纳格兰德大学（UFCG）。 坎皮纳·格兰德（Campina Grande），巴西Paraíba。电子邮件：ana.figueiredo@professor.ufcg.edu.br orcid：https：//orcid.org/0000-0000-0002-8585-0009 7材料科学与工程博士。坎皮纳格兰德大学（UFCG）。坎皮纳·格兰德（Campina Grande），巴西Paraíba。电子邮件：AdrianolMaskiller电子邮件：AdrianolMaskiller
利用动态异质冗余到...
摘要深度学习（DL）模型的快速发展伴随着各种安全和安全挑战，例如对抗性攻击和后门攻击。通过分析当前有关DL攻击和防御的文献，我们发现攻击和防御之间的持续适应使得无法完全解决这些问题。在本文中，我们建议这种情况是由DL模型固有的AWS引起的，即非泄露性，不识别性和非身份能力。我们将这些问题称为内源性安全和保障（ESS）问题。为了减轻DL中的ESS问题，我们建议使用动态异质冗余（DHR）体系结构。我们认为，引入多样性对于解决ESS问题至关重要。为了验证这种方法的效果，我们跨DL的多个应用领域进行了各种案例研究。我们的实验结果证实，基于DHR体系结构构建DL系统比现有的DL防御策略更有效。
