弱辐射

VLF薄膜磁电天线的阵列研究具有Microbridge结构

摘要：最近，磁电（ME）天线已成为非常低频（VLF）频段的天线微型化的热门话题，因为它们的大小可以降低到传统电气天线的千分之一。但是，它们仍然患有狭窄的传输/接收带宽和弱辐射强度。为了解决这些问题，设计了带有Microbridge结构的VLF薄片ME天线，并使用了数组连接的方法。测试结果表明，在23 kHz时，ME天线单位的检测极限为636 pt/√Hz，0.12 m时的辐射磁场强度为0.87 nt（输入功率为10 mW）。通过将三个ME天线单元串联具有相同的共振频率，与单个单元相比，输出响应已增加到1.72倍，EM波辐射强度增加到1.9倍。与单个单元相比，通过平行连接两个具有不同谐振频率的ME天线单元，输出响应带宽已扩展到1.56倍，并且信号辐射带宽已扩展到1.47倍。这项工作为我天线的未来大规模阵列提供了宝贵的参考。