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World File Search System弹性常数
第一学期和第二学期物理试卷
弹性：胡克定律 - 应力-应变图、弹性模量-弹性常数之间的关系（推导）、泊松比、泊松比的弹性常数表达式。拉伸时所做的功（推导）和扭转金属线时所做的功-圆柱体上的扭转力偶（推导）。扭摆-时间周期表达式（推导）- 刚性模量和惯性矩的确定- 用必要的理论通过 Searle 方法确定 q、η 和 σ。梁的弯曲-弯矩表达式（推导）。单悬臂理论。
研究杨氏石墨烯及其衍生物模量的研究...
1物理系，1 Sam Higginbottom农业，技术与科学大学，Naini，Prayagraj-211007，北方邦，印度摘要 - Young的石墨烯模量及其衍生物及其衍生物的衍生物估计在沿Armchair方向及其沿着Zigzag方向应用时施加载荷。对于杨氏模量，使用弹性常数，取决于样品长度，宽度和厚度。因此，在石墨烯及其衍生物的加载案例中绘制了Young的模量长度图。发现，Young的模量随着恒定宽度而增加，而单层的Young模量大于双层。在扭曲的双层石墨烯的情况下，Young的模量以扭曲角度降低。关键词 - 弹性常数，Young的模量，扭曲的石墨烯和SWNT。简介 - 石墨烯片是在蜂窝结构中组织的二维碳原子。它与六角蜂窝晶格紧密结合。图1个石墨烯片的示意图。通常，六边形结构具有五个独立的弹性常数。这些如下； C 11，C 12，C 13，C 33和C 44。C 11和C 12更负责弹性。so，
Biovia Material Studio组件集合
自动化和部署功能企业范围内许多研究人员需要一遍又一遍地计算相同的属性。形成的热量，带隙，弹性常数，振动光谱和溶解性参数是可以通过材料工作室收集自动化的众多计算类型的。自动化消除了人为错误，并减轻了此类计算的乏味。单击按钮，计算了一长串化合物所需的属性，然后查看可自定义报告中显示的结果。与Biovia Pipeline Pilot Web端口结合使用，您还可以通过简单的基于Web的接口将这些计算部门部署到组织中的其他同事。
外延 Ge/Si(001) 中应变-声子系数的温度依赖性：综合分析
在本文中，我们研究了外延 Ge/Si 层中拉曼模式的应变 - 声子系数的温度依赖性。为此，我们首先从理论上描述 b ( T ) 如何与材料弹性常数和声子波数的温度依赖性相关联。随后，我们分析了双轴应变场与 T 的关系，明确证明 ε ( T ) 可以分解为两个独立的贡献：(a) 外延应变，由于 Si ─ Ge 晶格失配（在特定温度下）引起，(b) 热应变，由 Ge 外延层和相对较厚的 Si 衬底之间的热膨胀系数 (CTE) 差异引起。最后，我们使用这些结果直接提取 150 – 450 K 范围内 Ge/Si 样品中的 b ( T )，通过比较 T 相关的 μ -Raman 测量与 T 相关的高分辨率 X 射线衍射实验 (HR-XRD)，
巴布·巴纳拉西达斯大学，勒克瑙
>s lurncnt，I lnlroJut。：tion，剪切力和D�1h.l i ng剪切力和弯矩的微分方程，静定梁的剪切力和弯矩图。桁架：介绍，简单桁架和简单桁架的解决方案，截面法；接头法；如何确定构件是处于拉伸还是压缩状态；简单桁架；零力构件质心和惯性矩：介绍，平面，曲线，面积，体积和复合体的质心，平面面积的惯性矩，平行轴定理和垂直轴定理，复合体的惯性矩。运动学和动力学：线性运动、瞬时中心、达朗贝尔原理、刚体旋转、冲量和动量原理、功和能量原理。简单应力和应变：应力的定义、应力张量、轴向载荷构件的法向应力和剪应力、应力-应变关系、延性和脆性材料单轴载荷的应力-应变图、胡克定律、泊松比、剪应力、剪应变、刚度模量、弹性常数之间的关系。不同横截面构件的一维载荷、温度应力、应变能。
瓦拉纳西的喀什维迪亚皮特
试卷 I - 力学与波动 第一单元 惯性参考系、牛顿运动定律、直线和圆周运动中粒子的动力学、保守力和非保守力、能量守恒、线性动量和角动量、一维和二维碰撞、横截面。 第二单元 简单物体的转动能量和转动惯量、刚体在水平和倾斜平面上的平动、转动和运动的综合、陀螺运动的简单处理。弹性常数之间的关系、梁的弯曲和圆柱体的扭转。 第三单元 中心力、两粒子中心力问题、减小质量、相对和质心运动、万有引力定律、开普勒定律、行星和卫星的运动、地球静止卫星。 第四单元 简谐运动、SHM 的微分方程及其解、复数符号的使用、阻尼和强迫振动、简谐运动的合成。波动的微分方程、流体介质中的平面行进波、波的反射、反射时的相变、叠加、驻波、压力和能量分布、相速度和群速度。
HfN2 单层：一种具有……的新型直接带隙半导体
寻找具有直接带隙和高载流子迁移率的二维 (2D) 稳定材料因其在电子设备中的应用而受到广泛关注。利用第一性原理计算和粒子群优化 (PSO) 方法，我们预测了一种具有二维空间全局最小值的新型 2D 稳定材料 (HfN 2 单层)。HfN 2 单层具有直接带隙 (∼ 1.46 eV)，根据变形势理论预测其具有高载流子迁移率 (∼ 10 3 cm 2 · V − 1 · s − 1)。在应变条件下，通过施加简单的外部应变可以很好地保持和灵活调节直接带隙。此外，新预测的 HfN 2 单层具有良好的热稳定性、动力学稳定性和机械稳定性，这通过从头算分子动力学模拟、声子色散和弹性常数得到了验证。这些结果表明 HfN 2 单层是未来微电子器件中很有前途的候选材料。