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利用多层单层图案化石墨烯进行 ZnO 微棒的选择性区域远程外延，用于可转移和灵活的器件制造
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采用一维 MAPbI3 微棒的金属卤化物光电探测器
光电探测器是指能够将入射光转换为电信号的光电子器件，是环境监测、消防和安全、光通信、太空探索和视频成像等多个领域的重要功能元件[1，2]。光电探测器采用了不同类型的半导体材料，例如GaN、InGaAs、Si、ZnO、碳纳米管、共轭聚合物和量子点[3]。基于这些材料的器件需要复杂而昂贵的制造成本和机械刚性。在过去的十年中，金属卤化物钙钛矿材料因其在光伏和光电子器件中的广泛应用而引起了研究人员的极大兴趣[4]。由于其突出的高性能、低成本和溶液可加工性，这类材料已经成为未来大量光伏和光电子器件的潜在候选材料[5]。在众多可用的金属卤化物中，甲基铵碘化铅 (MAPbI 3 ) 已被广泛研究用于光伏和光传感应用 [ 6 ]。事实上，钙钛矿材料在光伏器件中已经实现了显著的效率，但这些太阳能电池
MOF 衍生的 Bi2O3@C 微棒作为先进非对称超级电容器的负极
表现出高比容量（2 A g 1 时 576 C g 1）。Shinde 等人 11 在室温下通过快速化学法生长了 3D Bi 2 O 3，在电流密度为 2 A g 1 时其比容量为 447 C g 1。刘等人 12 设计了缺氧 r-Bi 2 O 3 /石墨烯柔性电极，在 1 mA cm 2 时具有 1137 C g 1 的高比容量。尽管如此，Bi 2 O 3 对于 ASC 仍然存在缺点，例如其本质上较差的电子和离子电导率，充电 - 放电过程中的体积膨胀很大。进一步的研究表明，碳可以作为缓冲层，有效减少形貌变化，保护电极结构。Bi 2 O 3 /C复合材料的简便设计和制备策略仍需继续研究，以调整形貌和电子结构。13 – 16