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World File Search System快速开关
magazine-1120.pdf - 加拿大南方铁路
杰出的轧机工程师。'"jpHE Z Y 导管由坚固的铸铁外壳组成，外壳内装有组合式快速开关和保险丝盒。开关是外部操作的，其手柄与门闩互锁，因此当开关处于“开”的位置时，门闩无法打开。要打开门，必须将开关转到“关”的位置，断开保险丝，这使得保险丝更换完全安全。Z Y 导管可承受最粗暴的使用；不能意外操作，并且设计成水不会渗入其中，也不会在载流部件上积聚棉绒或灰尘。索取 Crouse-Hinds 目录。
irhns9a7064产品数据表
ir Hirel R9技术为空间应用提供了卓越的功率MOSFET。这些设备对单个事件效应的免疫力提高了（请参阅），并以最高90mev/（mg/cm 2）的线性能量转移（LET）的有用性能进行了特征。在当今高速开关应用（例如DC-DC转换器和电机控制器）中，低R DS（ON）和更快的切换时间的组合减少了功率损耗并增加了功率密度。这些设备保留了所有已建立的MOSFET的所有优势，例如电压控制，电气参数的快速开关温度稳定性。
宽带隙器件及其在电力电子中的应用
摘要：电力电子系统对现代社会影响巨大。它们的应用旨在通过最大限度地减少工业化对环境的负面影响（如全球变暖效应和温室气体排放）来实现更可持续的未来。基于宽带隙 (WBG) 材料的功率器件有可能在能源效率和工作方面实现范式转变，而这些转变与基于成熟硅 (Si) 的器件相比毫无二致。氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 被视为最有前途的 WBG 材料之一，它们可以大大超越成熟 Si 开关器件的性能极限。基于 WBG 的功率器件可以在更高的开关频率下实现快速开关，同时降低功率损耗，因此可以开发高功率密度和高效率的功率转换器。本文回顾了流行的 SiC 和 GaN 功率器件，讨论了相关的优点和挑战，最后介绍了它们在电力电子中的应用。
GaN 晶体管电路的布局考虑因素
GaN 高开关速度导致的寄生电感 GaN 的使用频率高于老化功率 MOSFET 所能承受的频率，这使得寄生电感在电源转换电路中的劣化效应成为焦点 [1]。这种电感妨碍了 GaN 超快速开关能力的全部优势的发挥，同时降低了 EMI 产生。对于大约 80% 的电源转换器使用的半桥配置，寄生电感的两个主要来源是：(1) 由两个功率开关器件以及高频总线电容器形成的高频功率环路，以及 (2) 由栅极驱动器、功率器件和高频栅极驱动电容器形成的栅极驱动环路。共源电感 (CSI) 由环路电感中栅极环路和功率环路共有的部分定义。它由图 1 中的箭头指示。
基于 GaN 晶体管的 LLC 转换器变压器的特性和 SPICE 建模
谐振转换器是电动汽车车载充电器和储能应用的理想选择。它能够有效控制能源、电池或高功率负载之间的功率流动。简单的 LLC 转换器可以扩展为双向 CLLLC 转换器，从而实现智能功率控制并提高器件效率 [1]。为了减少开关损耗并减小尺寸，必须使用高频开关器件，例如 GaN 晶体管。与硅或碳化硅等效晶体管相比，GaN 晶体管的 R DS(ON) 参数较低，因此传导损耗较小 [2]。零反向恢复、快速开关速度和较低的死区时间使 GaN 晶体管成为转换设计的理想选择 [3]。此类转换器的设计在 [4、5] 中进行了描述。除了由晶体管制成的 H 桥开关外，变压器对功能和功率效率也具有至关重要的影响。设计中必须考虑变压器的实际参数 - 即自谐振频率，因为它会影响转换器的最大工作频率 [6]。本文介绍了
低功耗软晶体管引发电子革命
自20世纪40年代问世以来，晶体管就不断改变着我们的生活。作为逻辑门和集成电路（芯片）的核心元件，晶体管无疑在推动计算机、智能手机、平板显示器、物联网乃至所有电子或电气系统的发展方面发挥着无与伦比的作用。过去几十年来，主流晶体管通常由硅材料和金属氧化物等无机半导体制成，有利于实现高迁移率、快速开关速度和优异的稳定性。因此，硅晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管被广泛应用于电子应用。然而，尽管这些晶体管的制造规模要小得多以满足摩尔定律的预测，但它们却非常坚硬，并且几乎接近速度和功耗的基本极限。由于未来对具有机械灵活性/坚固性和低功耗的晶体管的需求，功能材料、设备配置和集成处理技术的创新以促进从刚性设备到柔软、耐用和生物相容性的设备的演变势在必行。1
统一、快速、可靠的 CMOS 兼容电阻开关存储器
摘要：电阻开关随机存取存储器（RRAM）被视为下一代存储器的潜在候选者之一。然而，获得具有高保持力和耐久性、低变化以及CMOS兼容性等全面优异性能的RRAM器件仍然是一个悬而未决的问题。在本文中，我们在HfO x 基RRAM中引入插入TaO x 层来优化器件性能。通过成型操作在TaO x 层中形成了坚固的细丝，局域场和热增强效应以及界面调制可以同时实现。因此，RRAM器件具有大窗口（> 10 3 ）、快速开关速度（~ 10 ns）、稳定的保持力（> 72 h）、高耐久性（> 10 8 次循环）以及循环间和器件间优异的一致性。这些结果表明插入TaO x 层可以显著提高HfO x 基器件的性能，为RRAM的实际应用提供了一种建设性的方法。
甚高频直流的设计考虑因素...
摘要 — 本文件介绍了在 VHF 范围（30-300 MHz）频率下工作的直流-直流转换器设计的几个方面。设计考虑是在开关频率为 100 MHz 的直流-直流转换器的背景下进行的。详细探讨了栅极驱动器、整流器和控制设计，并提供了完整转换器的实验测量以验证设计方法。栅极驱动器是一种自振荡多谐振电路，可显著降低门控功率，同时确保半导体开关的快速开关转换。整流器是一种谐振拓扑，可吸收二极管寄生电容，并设计为在开关频率下呈现电阻性。该电路中储能元件（电感器和电容器）的尺寸很小，可实现快速启动和关闭，并具有相应的高控制带宽。这些特性在高带宽滞后控制方案中得到利用，该方案可在高达 200 kHz 的频率下调节转换器的开启和关闭。
辐射和对辐射敏感的晶体管的自发退火，门氧化物厚度为400和1000 nm
我们研究了50 Gy（H 2 O）对辐射敏感的P通道金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 磁性晶体效应晶体管，其栅极（RADFET）具有400和1000 nm的氧化物氧化物厚度（RADFETS），并具有0和5 V的栅极。辐照后（ir），在室温下进行自发退火（SA），而在门口没有电压。我们介绍了由MIDGAP技术确定的固定陷阱和开关陷阱的行为，以及在IR和SA期间由电荷泵送技术确定的快速开关陷阱的行为。剂量晶体管的一个非常重要的特征是褪色，它代表了SA期间辐射辐射的阈值电压的恢复。9100小时后的最大褪色约为15％，除了磁氧化物厚度为1000 nm，栅极电压为5V的RADFET，其含量约为30％。提出了一个用于褪色的拟合方程，它很好地拟合了实验褪色值。