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将超薄芯片嵌入高柔韧性、感光性阻焊剂中
摘要：本文介绍了一种将超薄硅芯片嵌入机械柔性阻焊层中并通过喷墨打印实现电接触的方法。将感光阻焊层通过保形喷涂涂覆到具有菊花链布局的环氧粘合超薄芯片上。使用紫外线直接曝光的光刻技术打开接触垫。实现了直径为 90 µ m 和边长为 130 µ m 的圆形和矩形开口。喷墨打印含有纳米银和金的商用油墨，以在菊花链结构之间形成导电轨道。应用了不同数量的油墨层。通过针探测来表征轨道电阻。银油墨仅在多层和 90 µ m 开口时才显示低电阻，而金油墨在至少两层印刷层时表现出个位数 Ω 范围内的低电阻。
适用于高频应用的具有感光性的低 Df 聚酰亚胺 Hitoshi Araki *、Yohei Kiuchi、Akira Shimada、Hisashi Ogasawara、Masaya Juke
用于高频应用的具有光敏性的低 Df 聚酰亚胺 Hitoshi Araki *、Yohei Kiuchi、Akira Shimada、Hisashi Ogasawara、Masaya Jukei 和 Masao Tomikawa 东丽工业公司电子与成像材料研究实验室，3-1-2 Sonoyama，大津，滋贺 520-0842，日本 *hitoshi.araki.u8@mail.toray 我们研究了聚酰亚胺链的分子运动和极性，开发出了新型低介电常数 (Dk) 和耗散因数 (Df) 聚酰亚胺。我们发现 10-100 GHz 时的 Df 对应于 -150 至 -50 ℃ 时的分子迁移率。为了降低高频时的介电损耗 (=Df)，限制低温下的分子运动非常重要。此外，减少聚酰亚胺链中的极性和柔性单元对于获得低 Dk 和 Df 的聚酰亚胺也很重要。我们利用这些知识开发了用于 RDL 的低介电损耗聚酰亚胺。结果，我们获得了新型聚酰亚胺的损耗角正切为 0.002 和介电常数为 2.7。这些聚酰亚胺可以通过正性光刻胶显影的碱性湿法蚀刻和紫外激光烧蚀法进行图案化。我们还通过混合光活性剂开发了光可定义的低损耗角正切聚酰亚胺。与传统的感光聚酰亚胺相比，新型低 Df 聚酰亚胺的微带线插入损耗更低。这些低介电损耗聚酰亚胺适用于 FO-WLP 绝缘体、中介层和其他微电子射频应用。 关键词：聚酰亚胺，低 Dk 和 Df，高频，图案化，低插入损耗 1. 简介 近年来，使用更高频率的 5G 通信技术正在不断推进，以实现高速大容量通信 [1]。此外，用于汽车防撞系统的毫米波雷达将使用超过 60 GHz 的频率 [2]。扇出型晶圆级封装 (FO- WLP) 因其封装尺寸小、制造成本低而备受半导体封装关注。高频 FO-WLP 中的再分布层 (RDL) 需要具有低介电常数 (Dk) 和耗散因数 (Df) 的绝缘体材料 [3]。特别是，采用扇出技术的封装天线 (AiP) 是 5G 时代的关键技术之一。聚四氟乙烯和液晶聚合物被称为低介电常数、低介电损耗材料。然而，这些材料在粘附性和精细图案的图案化性方面存在困难。用于 FO-WLP 再分布层的光电 BCB 介电常数低
感光性聚酰亚胺的新进展
感光聚酰亚胺 (PSPI) 作为微电子工业中的绝缘材料引起了广泛关注，并且可以直接进行图案化以简化加工步骤。本文回顾了最近关于 PSPI 的开发工作。在简要介绍之后，描述了典型的 PSPI 配方并与传统方法进行了比较，然后介绍了图案化的主要策略。然后将最近关于 PSPI 的许多报告分为两个主要术语：正性工作和负性工作，并重点介绍了它们的化学性质直至图案形成。除了本综述中提到的 PSPI 的光敏性之外，还讨论了其他重要主题，例如低温酰亚胺化和低介电常数。关键词：感光聚酰亚胺 / 聚酰胺酸 / 感光化合物 / 重氮萘醌 / 光化学放大 / 光酸发生器 / 光碱发生器 / 低温酰亚胺化 /