摘要的“设计认知”是指设计所涉及的心理过程和表示,自1960年代设计研究以来一直是一个重要领域。该领域现在面临着重大的挑战,需要重大变化以克服研究主题和方法论的停滞。应对这些挑战需要我们了解设计认知研究的过去和现在,并就其未来进行新的新讨论。这个主题收集旨在通过库存当前的方法,探索新兴的主题和方法论以及确定未来的询问方向来满足这一需求。在本社论中,我们研究了有关我们调查的内容以及如何进行这项研究的关键问题。我们提出了一个由结构化文献综述,作者的作品以及设计认知界的广泛横截面的观点形成的愿景。该愿景在从现在到近未来的路线图中形式化,强调了该领域的关键主题和研究问题。最终,生态测量,人工智能的新应用以及向理论构建和研究成熟的迈进,构成了设计认知界的重要长期挑战。
在汽车和机器人中使用的轴承辊的小型化将需要一个制造系统,该制造系统结合了一种可以在没有缺陷的情况下制造薄夹具和一种可以检测此类夹具裂纹的薄夹具的薄夹具。在这里,我们正在开发一个系统,该系统使用定向能量沉积(DED),该系统是3D打印(添加剂制造,AM)工艺来制造薄夹具,然后使用激光超声(LU)检查夹具。在这里,使用DED制造了具有0.4©0.6 mm 2横截面的沉积层,然后使用LU进行了非破坏性检查。然而,在如此小的面积上使用lu存在三个问题:激发和检测激光束的重叠的影响,在分离由于同时产生而分离多种波浪的困难,以及声学范围的复杂性。因此,首先,使用有限元方法(FEM)检查了声学场,然后使用复杂的离散小波变换来检查沉积层的小面积。结果表明,成功地检测了自发发生的裂纹,从而确定了LU对薄夹具的非破坏性检查的效果。[doi:10.2320 / matertrans.mt-m2020086] < / div>
人类肠道中的念珠菌物种过度生长被认为是侵入性念珠菌病的先决条件,但是我们对促进或限制这种过度生长的肠道细菌的理解仍然受到限制。通过从75名男性和女性癌症患者的粪便中整合横截面的真菌病和shot弹枪元基因组学数据,但没有全身性念珠菌病,高念珠菌样品中的细菌群落显示出比低念珠菌样本中的较高的代谢功能,但具有更高的贡献多样性。我们开发的机器学习模型仅使用细菌分类单元或功能相对丰度来预测外部验证队列中的念珠菌属和物种水平,而AUC为78.6 - 81.1%。我们提出了一种基于产生乳酸细菌的增加的肠道念珠菌过度生长的机制,该机制与调节短链脂肪酸和氧气水平的细菌的降低相吻合。在这些条件下,念珠菌将乳酸作为营养源的能力可能使念珠菌能够在肠道中占据其他真菌。
我们估计了在 Q 2 ¼ − q 2 1 较大和 s ¼ ð q 1 þ q 2 Þ 2 较小时对 γ ð q 1 Þ γ ð q 2 Þ → M ð p 1 Þ ¯ M ð p 2 Þ 振幅的运动学高扭曲(高达扭曲 4)修正,其中 M 是标量或伪标量介子。众所周知,该过程在领先扭曲处分解为可扰动计算的系数函数和广义分布振幅(GDA)。考虑到 Belle 和 Belle II 可获得的运动学,s=Q 2 和 m 2 =Q 2 阶的运动学高扭曲贡献在截面中非常重要。我们利用从 Belle 测量中提取的 ππ GDA 和渐近 ππ GDA 作为输入,对 γ γ → π 0 π 0 的截面进行了数值估计,以研究运动学修正的幅度。为了了解 m 2 =Q 2 量级的目标质量修正如何影响截面,我们还使用模型 ηη GDA 对 γ γ → ηη 进行了计算。在 s > 1 GeV 2 的范围内,运动学高扭曲修正占总截面的 ∼ 15%,这个影响是不可忽略的。由于 ππ GDA 是获取介子能量动量张量 (EMT) 的最佳方式,我们的研究表明,准确评估 EMT 形状因子需要考虑运动学高扭曲贡献。
连接设备在输入和输出电池之间连接。电池的加(+)和负( - )连接必须连接到输入和输出侧的相应端子。请注意极地!调整电位计后,可以连接输出侧的电池。端子描述输入电池的负端子( - )+输出电池的正端子(+)超出端子(+)超出输出电池的负端子( - )无向量EN启用信号,以激活备用备用收键式倒置Pro倒置信号(例如d+信号)用于禁用待机式吊销Pro(可选)连接电缆应具有1mm²至4mm²的电缆横截面(请参阅表1),并且必须根据电缆横截面的规定保护超载(电缆火),例如。保险丝10 A.要永久激活备用范围,可以将跳线从in+连接到en。或者,可以将可切换的12 V控制信号应用于EN终端,以打开待机 - 关节pro。如果应在交流发电机充电时停用待机功能Pro,则可以选择将交流发电机的D+信号连接到DIS端子。
在聚合矩阵中掺入二维纳米结构的复合材料具有多种技术(包括气体分离)的功能成分。前瞻性地,使用金属有机框架(MOF)作为多功能纳米燃料,将显着扩大功能范围。但是,事实证明,以独立纳米片的形式合成MOF是具有挑战性的。我们提出了一种自下而上的合成策略,用于可分散的铜1,4-苯二甲基甲酸MOF MOF薄片,层层层和纳米尺寸。将MOF纳米片掺入聚合物矩阵中赋予所得的复合材料,具有与CO2/CH4气体混合物的出色二氧化碳分离性能,以及与压力分离选择性的异常和高度期望的提高。通过层压板浓缩的离子束扫描电子显微镜揭示,与各向同性晶体相比,MOF纳米片对膜横截面的优越占用源于膜横截面,从而提高了分子歧视的效率,并消除了无可生度的持续性途径。这种方法为各种应用打开了超薄MOF - 聚合物复合材料的门。
2022 - subsec。(e)。Pub。 L. 117–263击中了Subsec。 (e)。 文本如下:‘‘'(a),(b)和(d)中的禁令应在2026年1月1日到期。'' 2021 - subsec。 (e)。 Pub。 L. 116–283用“ Janu-Ary 1,2026”代替了“ 2021年1月1日”。 2018年-Subsec。 (e)。 Pub。 L. 115–232用“ Janu-Ary 1,2021”代替“ 2019年1月1日”。 2016年-Pub。 L. 114–328,§1682(a)(1)(c),增加了截面的关注线,并删除了以前的截面网络,如下所示:‘禁止向俄罗斯联邦提供的导弹辩护信息的禁令'''。 subsec。 (c)。 Pub。 L. 114–328,§1081(a)(1),用“'subsions(a)和(b)''代替“(a)和(b)”'。 subsec。 (d)。 Pub。 L. 114–328,§1682(a)(1)(b),添加了sep- sec。 (d)。 以前的子款。 (d)重新指定(e)。 Pub。 L. 114–328,§1081(a)(1),用“'subsions(a)和(b)''代替“(a)和(b)”'。 subsec。 (e)。 Pub。 L. 114–328,§1682(a)(1)(a),(b),重新设计subsec。 (d)为(e),并一般修改。 在修改之前,文本如下:‘‘(a)和(b)小节中的禁令应于2017年1月1日到期。''Pub。L. 117–263击中了Subsec。(e)。文本如下:‘‘'(a),(b)和(d)中的禁令应在2026年1月1日到期。''2021 - subsec。(e)。Pub。 L. 116–283用“ Janu-Ary 1,2026”代替了“ 2021年1月1日”。 2018年-Subsec。 (e)。 Pub。 L. 115–232用“ Janu-Ary 1,2021”代替“ 2019年1月1日”。 2016年-Pub。 L. 114–328,§1682(a)(1)(c),增加了截面的关注线,并删除了以前的截面网络,如下所示:‘禁止向俄罗斯联邦提供的导弹辩护信息的禁令'''。 subsec。 (c)。 Pub。 L. 114–328,§1081(a)(1),用“'subsions(a)和(b)''代替“(a)和(b)”'。 subsec。 (d)。 Pub。 L. 114–328,§1682(a)(1)(b),添加了sep- sec。 (d)。 以前的子款。 (d)重新指定(e)。 Pub。 L. 114–328,§1081(a)(1),用“'subsions(a)和(b)''代替“(a)和(b)”'。 subsec。 (e)。 Pub。 L. 114–328,§1682(a)(1)(a),(b),重新设计subsec。 (d)为(e),并一般修改。 在修改之前,文本如下:‘‘(a)和(b)小节中的禁令应于2017年1月1日到期。''Pub。L. 116–283用“ Janu-Ary 1,2026”代替了“ 2021年1月1日”。2018年-Subsec。(e)。Pub。 L. 115–232用“ Janu-Ary 1,2021”代替“ 2019年1月1日”。 2016年-Pub。 L. 114–328,§1682(a)(1)(c),增加了截面的关注线,并删除了以前的截面网络,如下所示:‘禁止向俄罗斯联邦提供的导弹辩护信息的禁令'''。 subsec。 (c)。 Pub。 L. 114–328,§1081(a)(1),用“'subsions(a)和(b)''代替“(a)和(b)”'。 subsec。 (d)。 Pub。 L. 114–328,§1682(a)(1)(b),添加了sep- sec。 (d)。 以前的子款。 (d)重新指定(e)。 Pub。 L. 114–328,§1081(a)(1),用“'subsions(a)和(b)''代替“(a)和(b)”'。 subsec。 (e)。 Pub。 L. 114–328,§1682(a)(1)(a),(b),重新设计subsec。 (d)为(e),并一般修改。 在修改之前,文本如下:‘‘(a)和(b)小节中的禁令应于2017年1月1日到期。''Pub。L. 115–232用“ Janu-Ary 1,2021”代替“ 2019年1月1日”。2016年-Pub。L. 114–328,§1682(a)(1)(c),增加了截面的关注线,并删除了以前的截面网络,如下所示:‘禁止向俄罗斯联邦提供的导弹辩护信息的禁令'''。subsec。(c)。Pub。 L. 114–328,§1081(a)(1),用“'subsions(a)和(b)''代替“(a)和(b)”'。 subsec。 (d)。 Pub。 L. 114–328,§1682(a)(1)(b),添加了sep- sec。 (d)。 以前的子款。 (d)重新指定(e)。 Pub。 L. 114–328,§1081(a)(1),用“'subsions(a)和(b)''代替“(a)和(b)”'。 subsec。 (e)。 Pub。 L. 114–328,§1682(a)(1)(a),(b),重新设计subsec。 (d)为(e),并一般修改。 在修改之前,文本如下:‘‘(a)和(b)小节中的禁令应于2017年1月1日到期。''Pub。L. 114–328,§1081(a)(1),用“'subsions(a)和(b)''代替“(a)和(b)”'。subsec。(d)。Pub。 L. 114–328,§1682(a)(1)(b),添加了sep- sec。 (d)。 以前的子款。 (d)重新指定(e)。 Pub。 L. 114–328,§1081(a)(1),用“'subsions(a)和(b)''代替“(a)和(b)”'。 subsec。 (e)。 Pub。 L. 114–328,§1682(a)(1)(a),(b),重新设计subsec。 (d)为(e),并一般修改。 在修改之前,文本如下:‘‘(a)和(b)小节中的禁令应于2017年1月1日到期。''Pub。L. 114–328,§1682(a)(1)(b),添加了sep- sec。(d)。以前的子款。(d)重新指定(e)。Pub。 L. 114–328,§1081(a)(1),用“'subsions(a)和(b)''代替“(a)和(b)”'。 subsec。 (e)。 Pub。 L. 114–328,§1682(a)(1)(a),(b),重新设计subsec。 (d)为(e),并一般修改。 在修改之前,文本如下:‘‘(a)和(b)小节中的禁令应于2017年1月1日到期。''Pub。L. 114–328,§1081(a)(1),用“'subsions(a)和(b)''代替“(a)和(b)”'。subsec。(e)。Pub。 L. 114–328,§1682(a)(1)(a),(b),重新设计subsec。 (d)为(e),并一般修改。 在修改之前,文本如下:‘‘(a)和(b)小节中的禁令应于2017年1月1日到期。''Pub。L. 114–328,§1682(a)(1)(a),(b),重新设计subsec。(d)为(e),并一般修改。在修改之前,文本如下:‘‘(a)和(b)小节中的禁令应于2017年1月1日到期。''
摘要 - 综合技术特征缩水增加了计算系统对单事件效应的敏感性(请参阅)。虽然建模查看故障至关重要,但综合的程序范围使物理上正确的建模在计算上可以棘手。没有有用的模型,对断层耐受性方法的硅前评估是不可能的。要在系统范围内合并精确的晶体管级效应,我们提出了一个多尺度的仿真框架。(i)设备级的电荷收集确定(ii)电路级瞬态持续时间和状态上集的可能性。电路效应反过来效果(III)寄存器 - 转移级体系结构状态腐败在(IV)系统级别上可见。因此,在HPC模拟器上执行的大规模系统中SE的物理准确效应可用于通过设计驱动跨层辐射硬化。我们通过两个案例研究证明了该模型的功能。首先,我们在14NM FinFET技术的晶体管水平上确定了D频率的灵敏度,从而验证了针对已发表的横截面的模型。第二,我们在各向同性太空环境中追踪和估计ADAMS 90%最差环境的MIPS处理器中的故障
摘要:介绍了一种在最终状态下寻找一个顶夸克且横向动量缺失的事件的方法。通过选择具有重建的增强顶夸克拓扑结构的事件(这些事件与较大的横向动量缺失有关),探索顶夸克的完全强子衰变。分析使用了 2015-2018 年大型强子对撞机的 ATLAS 探测器记录的 139 fb − 1 个质子-质子碰撞数据,质心能量为 √ s = 13 TeV。结果是在暗物质粒子产生和单个矢量类 T 夸克产生的简化模型的背景下解释的。在没有明显超出标准模型预期的情况下,获得了相应截面的 95% 置信度上限。对于标量(矢量)介质的质量高达 4 的情况,不包括与单个顶夸克相关的暗物质粒子的产生。 3 (2.3) TeV,假设 m χ = 1 GeV,模型耦合 λ q = 0.6 和 λ χ = 0.4(a = 0.5 和 g χ = 1)。假设与顶夸克的耦合 κ T = 0.5 且 T → Zt 的分支率为 25%,则对于低于 1.8 TeV 的质量,不会产生单个矢量 T 夸克。
摘要 — 微电子热敏电机 (TE) 发电机 (μ TEG) 是一种常见的潜在解决方案功率发电机和单相集成电路 (IC)。由于 µ TEG 电路中的寄生电阻和热阻,因此存在性能限制。寄生效应或曼塞洛斯可能会严重影响使用相对低 TE 性能指标(如硅 (Si))的 TEG 器件。在这种情况下,必须仔细注意整个 TEG 电路,而不仅仅是 TE 材料特性。这里,μ TEG 器件的定量模型包括所有与 I C 兼容的常见的重要电和热寄生器件。该模型提供了有关可再生能源发电和效率的耦合方程组或数值解。考虑到现场的抗裂性和实际性能值,该模型显示了 TE 元件总横截面的横截面积热比(称为“包装分数”)。在整个区域或在其流动区域,可以指定功率或效率,但不能同时实现两者。对于实际的材料和设备参数,优化系数通常为 1 % – 1 0 %,低于许多 µ TEG 设计中使用的值。模型说明了一些 TEG 示例的发电情况,并提供了显着的性能或改善效果的设计。索引术语——能源采集、热电 (TE)、TE 发电机。