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World File Search System扩散长度
通过电致发光
在此，提出了一种通过电发光（EL）用于硅太阳能电池进行晚期串联抗性成像的方法。Haunschild等人的著名方法。被重新审视。由于较大的少数荷载载流子扩散长度和更薄的太阳能电池，因此显示扩散长度和EL信号之间线性关系的富崎假设不适用于硅设备。在这里使用Breitenstein得出的一种新关系。与Haunschild的原始方法相比，基于两个EL图像的串联电阻和饱和电流成像的更新方法表明，对比度的分离远远超过60％。使用高级方法，用于样品单元上突出特征的高级方法，由电阻图像中重组引起的不需要信号的对比度从0.89降低到0.44。由于电阻引起的对比度保持在同一水平。深色饱和电流密度图像在重组活动区域显示出20％的峰值，低5％。
研究硅P-i-n光电二极管的电荷载体收集系数†
本文研究了硅P-I-N光二极管中少数荷载载体的收集系数以及某些技术因素对其的影响。已经发现，由于光生荷载体的收集面积随着这些参数的增加而增加，因此少数荷载体的扩散长度和材料的电阻率对收集系数的值有显着影响。还发现，增加光电二极管收集系数的有效方法是确保光电二极管的高阻力区域的厚度等于少数荷载体的扩散长度的总和和空间电荷区域的宽度。研究了掺杂剂浓度对响应性和收集系数的影响。发现，与计算出的数据相反，在实验数据中，收集系数随着磷和硼浓度的浓度而增加，并且杂质的响应率降低，杂质的浓度降低，收集系数的降低是由于杂物的程度降低，而造成较小的范围较小的延伸率，而造成较小的频率延伸的速度延伸，并且频率降低了范围的延伸范围。关键字：硅； photodiode;反应性； tharge tomerclection;屏障容量PAC：61.72。ji，61.72.lk，85.60.dw
高度有序的相超分子材料
高效的长距离能量传输对于光电和光收集设备至关重要。尽管有机分子的自组装纳米纤维表现出较长的激子扩散长度，但将这些纳米纤维排列成具有相似性质的大型有序域的薄膜仍然是一个挑战。本文展示了如何用离散长度的寡二甲基硅氧烷（o DMS）侧链对 C3 对称羰基桥接三芳胺三酰胺 (CBT) 进行功能化，从而形成完全覆盖的表面，其中排列的域最大可达 125 × 70 μ m 2，可在其中进行长距离激子传输。域内的纳米级形貌由高度有序的纳米纤维组成，纳米纤维在柔软的非晶态 o DMS 基质内具有离散的柱间距。o DMS 可防止 CBT 纤维捆绑，从而减少 CBT 柱内的缺陷数量。因此，这些柱具有高度的相干性，导致激子扩散长度为几百纳米，激子扩散率（≈ 0.05 cm 2 s − 1）与结晶四苯并菲相当。这些发现代表了通过使用 o DMS 功能化实现高度对齐的纳米纤维完全覆盖表面的下一步。
钙钛矿太阳能电池的潜力
光生电荷产生范围很宽且可调，[4] 而且载流子迁移率高，扩散长度可达几微米。[5–7] 在任何光收集装置中，合适的接触对于有效收集光生电荷并将其输送到外部电路都至关重要。接触负责提供内在不对称性，以产生提取光生载流子的驱动力；[8] 这种内在不对称性可以通过动力学选择性（扩散控制）或电极之间的能量失配（漂移控制）来建立。一般的薄膜太阳能电池由活性层、夹在空穴提取阳极接触和电子提取阴极接触之间组成。在光照下，活性层内产生的电荷载流子将漂移扩散到接触处，并通过内在不对称性被提取，从而产生净光电流。有机太阳能电池的特点是载流子迁移率低、扩散长度短，因此需要在活性层上建立强大的内建电场以提高电荷提取率并避免复合。[9–11] 该电场由内建电位V bi (或接触电位) 引起，该电位源于阳极和阴极之间的功函数差异，由于有机半导体的介电常数相对较低，因此基本上不受屏蔽。相反，在钙钛矿太阳能电池中，载流子扩散长度为几微米，在没有电场的情况下，光生电荷应该能够毫不费力地穿过 200–500 纳米的活性层而不会复合。因此，只要能确保接触处的动力学选择性[12]，电荷收集预计将由扩散控制[8,13]，人们正在沿着这个思路达成共识。通过在电极和活性层之间采用单独的电荷传输层 (CTL) 来实现动力学选择性，从而形成 n–i–p 或 p–i–n 型器件架构，其中阳极处为空穴传输层 (HTL，p 层)，阴极处为电子传输层 (ETL，n 层)。在理想情况下，这些层能够传导多数载流子，同时防止少数载流子的提取，从而为扩散驱动的电荷收集创建优先方向。在这种电荷提取要求的框架内，对于内置电位的确切作用以及负责电荷提取的驱动力的确切性质仍然存在一些猜测。
具有堆叠量子点吸收器的CMOS图像传感器用于广谱成像
近年来，量子点材料作为光子吸收剂引起了人们的注意。它们的出色特性，包括高吸收系数，长载体扩散长度和低温兼容沉积，使其成为适合在多个光谱频段（例如可见的，近乎红外和X射线）中检测光子的合适候选物。这已被利用以开发宽光谱范围的图像传感器。图1显示了在CMOS芯片顶部沉积的量子点层的概念。CMOS过程的顶部金属用作与堆叠的量子点光子吸收器接触的像素底部电极。公共顶部电极由透明的导电层制成。
在室温下观察石墨烯中电流的漩涡
电子 - 高弹性导体中的电子相互作用会产生类似于经典流体动力学描述的特征的传输特征。使用纳米级扫描磁力计，我们在室温下在单层石墨烯设备中成像了独特的流体动力传输模式 - 固定电流涡流。通过测量具有增加特征大小的设备，我们观察到了当前涡流的消失，因此验证了流体动力学模型的预测。我们进一步观察到，孔和电子主导的运输方式都存在涡流流，但在双极性方面消失了。我们将这种效果归因于涡度扩散长度接近电荷中立性的降低。我们的工作展示了当地成像技术的力量，以揭示异国情调的介绍转运现象。t
重组和本地化：在CS2Agbibr6薄膜中展开电导率损失背后的途径
cs 2 agbibr 6（CABB）被认为是铅卤化物钙钛矿的一种有希望的无毒替代品。但是，低电荷载体收集效率仍然是将该材料纳入光电应用中的障碍。在这项工作中，我们使用稳态和瞬态吸收和反射光谱研究CABB薄膜的光电特性。我们发现，由于薄膜内部多次反射，这种薄膜上的光学测量结果被扭曲。此外，我们使用微秒瞬时吸收光谱和时间分辨的微波电导率测量来讨论这些薄膜电导率损失背后的途径。我们证明，载体损失和定位的综合作用导致CABB薄膜的电导率损失。此外，我们发现电荷载体扩散长度和晶粒尺寸的数量级相同。这表明该材料的表面是电荷载体损失的重要原因。
多晶硅发射极双极晶体管
由于高发射极掺杂的影响，传统发射极双极晶体管的电流增益受到限制。理论上，通过使用非常小的基极宽度和高发射极掺杂密度，传统发射极晶体管可以获得更高的增益。然而，增加发射极掺杂会降低带隙并增加少数载流子复合 [1]。结果是发射极注入效率降低，电流增益没有实际改善 [2]。增加发射极掺杂还会产生有害影响，降低发射极-基极击穿电压 (BVebo) 并增加发射极-基极结电容 [3]。与传统发射极相关的另一个问题是缩放。当发射极结深度低于 0.2 微米时，少数载流子扩散长度变得大于发射极，这进一步降低了电流增益 [4]。使用多晶硅作为发射极是避免这些问题的一种方法。
通过铁磁EUS薄膜中的自旋seebeck效应激发的镁电流
磁绝缘子是通过利用镁电流来传播自旋信息的理想平台。但是，到目前为止，大多数研究都集中在Y 3 Fe 5 O 12（YIG）和其他一些铁磁性绝缘子上，而不是纯铁磁体。在这项研究中，我们证明了镁电流可以在EUS的薄膜中传播磁极。通过使用PT电极进行EUS的18 nm厚胶片中的局部和非局部转运测量，我们检测到由Spin Seebeck效应引起的热产生产生的镁电流。通过比较局部和非局部信号与温度（<30 K）和磁场（<9 t）的依赖性，我们确认了非局部信号的镁传输来源。最后，我们在EUSFIM（〜140 nm）中提取了镁扩散长度，这是与在同一纤维中测得的大吉尔伯特阻尼的良好对应关系。