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World File Search System扼流圈
900MHz 网络信号增强器的仿真与设计
A. 偏置电路设计 电源电压标准化为 12 VDC。通过正确设计偏置电阻，可实现所需的工作电压和电流 (Vce = 10Vdc 和 Ic =100mA DC)。在图 2 中，电阻 R1 和 R2 的值分别为 20 Ω 和 12.09K Ω。直流阻断电容器 (C2 和 C4) 确保没有任何直流电流从 RF 路径中的晶体管流出。C7 是一个滤波电容器，可将来自直流电源 (VCC) 的任何高频纹波接地。C2、C4 和 C7 的值分别为 10uF、10uF 和 18pF。RF 扼流圈 (L1 和 L2) 确保没有 RF 信号流入直流偏置电路。RF 扼流圈的设计应将我们的中心频率与直流偏置网络隔离开来。射频扼流圈的值通过以下公式计算：XL = 2πf( L ) (1) 根据此公式，射频扼流圈的值为 45nH；然而，在模拟过程中观察到，可以同时调整所有电抗元件以获得最大增益。
Delta SmartRack 用户手册 v.1.0.pdf - ETC
etcconnect.com › 文章 › 旧版 PDF 1994 年 8 月 15 日 — 1994 年 8 月 15 日 可靠性 - 使用更少的电子元件，数字调光器实际上……电源组件，空气在扼流圈和电源上非常有效地被吸入。62 页
操作说明书 变频驱动器 8230
1.2 基本操作 链路电压由主电源通过主电源整流器产生。连接到主电源的三相扼流圈可减少谐波电流，并将设备与同一供电网络上的其他转换器（消费者）分离。8230 变频器标准连接到接地网络。链路电压由高质量电解电容器平滑。通过电机转换器，这些电容器可提供电机所需的磁化无功功率，并将主电源侧的转换器与电机侧的逆变器分离。
变频器驱动器 8230 操作说明
1.2 基本操作 链路电压由主电源通过主电源整流器产生。连接到主电源的三相扼流圈可减少谐波电流，并将设备与同一供电网络上的其他转换器（消费者）分离。8230 变频器标准连接到接地网络。链路电压由高质量电解电容器平滑。通过电机转换器，它们提供电机所需的磁化无功功率，并将主电源侧的转换器与电机侧的逆变器分离。
RFI免疫的最佳实践在振动发射机上...
1。扭曲传感器引导在一起（每英尺至少10个曲折）。2。将扭曲的引线滑过铁氧体芯，两次将其定位为接近传感器的实用性。请参阅图1和2。3。，如果可能的话，将导线缩小并使用屏蔽的扭曲对。也遵循此应用程序中的步骤2。如图2所示，可以通过将不同数量的电线转弯通过铁氧体芯来创建那些减弱不同频率的铁氧体核“窒息”。更多的转弯会增加诱导性并逐渐降低频率。可以以这种方式创建多个“窒息”，并将其串联放在电线上，导致覆盖宽频带。始终定位覆盖最接近传感器的较高频带的扼流圈。
BMS 变压器/CMC
Taoglas 提供全系列 BMS 变压器和共模扼流圈，适用于需要串行端口安全隔离和 EMI 噪声抑制的储能系统。这些变压器专为电压差较大且需要组件间隔离的电池系统而设计。Taoglas BMS 变压器产品组合旨在用于高能效的现代车辆，例如 EV、HEV 和 PHEV。所有 Taoglas 零件均符合汽车应用的 AEC-Q200 要求。如需了解有关产品系列的更多信息或寻求集成帮助，请联系您所在地区的 Taoglas 客户支持团队。
HWS600L 可靠性数据 - TDK 产品中心
C L1 平衡-不平衡线圈 33.7 34.1 33.8 12.5 12.8 13.5 L2 平衡-不平衡线圈 33.5 31.6 31.8 12.7 12.3 13.1 L31 扼流圈 43.8 46.1 45.0 29.4 30.3 30.4 L51 扼流圈 69.9 70.6 68.2 23.7 23.8 23.9 T21 传输脉冲 37.2 38.2 36.7 23.1 24.4 24.6 T32 传输脉冲 46.2 45.9 44.2 20.2 20.6 20.8 D1 桥式二极管 33.6 36.0 36.2 16.6 17.4 18.2 D2 LLD 34.2 37.3 36.2 15.3 17.5 17.8 D51~D52 SBD 48.2 43.1 40.8 20.7 18.9 18.8 D53~D54 SBD 55.3 51.8 50.0 24.2 23.0 23.2 Q1~Q2 MOS管 40.4 41.6 41.2 19.0 20.4 21.0 Q31~Q32 MOS管 45.8 45.8 45.0 25.0 25.2 25.3 SR1晶闸管 39.1 41.8 41.8 17.4 19.7 20.2 A102 芯片 IC 28.7 30.2 30.1 18.7 20.9 21.3 A152 芯片 IC 29.9 31.1 30.2 21.1 22.3 22.5 A351 芯片 IC 30.0 29.7 29.0 20.1 21.0 21.7 C12 电容量 19.4 20.3 19.7 11.2 12.5 12.8 C13 电容量 11.3 11.5 11.3 3.7 4.4 4.9 C51 电容量 33.5 34.2 32.5 13.8 14.4 14.8 C52 电容量23.1 23.7 23.0 11.0 12.0 12.1 C53 E.CAP。 24.3 24.2 23.8 11.2 11.8 11.8 C54 E CAP。 29.8 31.1 29.0 12.8 13.3 13.3
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C L1 平衡-不平衡线圈 33.7 34.1 33.8 12.5 12.8 13.5 L2 平衡-不平衡线圈 33.5 31.6 31.8 12.7 12.3 13.1 L31 扼流圈 43.8 46.1 45.0 29.4 30.3 30.4 L51 扼流圈 69.9 70.6 68.2 23.7 23.8 23.9 T21 传输脉冲 37.2 38.2 36.7 23.1 24.4 24.6 T32 传输脉冲 46.2 45.9 44.2 20.2 20.6 20.8 D1 桥式二极管 33.6 36.0 36.2 16.6 17.4 18.2 D2 LLD 34.2 37.3 36.2 15.3 17.5 17.8 D51~D52 SBD 48.2 43.1 40.8 20.7 18.9 18.8 D53~D54 SBD 55.3 51.8 50.0 24.2 23.0 23.2 Q1~Q2 MOS管 40.4 41.6 41.2 19.0 20.4 21.0 Q31~Q32 MOS管 45.8 45.8 45.0 25.0 25.2 25.3 SR1晶闸管 39.1 41.8 41.8 17.4 19.7 20.2 A102 芯片 IC 28.7 30.2 30.1 18.7 20.9 21.3 A152 芯片 IC 29.9 31.1 30.2 21.1 22.3 22.5 A351 芯片 IC 30.0 29.7 29.0 20.1 21.0 21.7 C12 电容量 19.4 20.3 19.7 11.2 12.5 12.8 C13 电容量 11.3 11.5 11.3 3.7 4.4 4.9 C51 电容量 33.5 34.2 32.5 13.8 14.4 14.8 C52 电容量23.1 23.7 23.0 11.0 12.0 12.1 C53 E.CAP。 24.3 24.2 23.8 11.2 11.8 11.8 C54 E CAP。 29.8 31.1 29.0 12.8 13.3 13.3