桑迪亚国家实验室的线性离子阱芯片采用金属 MEMS 工艺进行微加工。平面金属阱电极(W 表面涂有 Au)和穿过 Si 基板的孔定义了捕获区域,并允许激光以 3D 光学方式访问在孔上纵向延伸的 RF 引线之间捕获的离子。孔边缘的控制电极定义了七个捕获段。空气桥接金属引线减少了电容和 RF 耗散到基板。捕获离子图像来自上面显示的 ITC。
这项工作的目的是确定从材料接触中创建多层阴极的可能性,其在薄金属基板上的不同输出的不同输出,以及在微型流中,在电子流的交叉部分中形成密集的胶带和环的实际使用,但高电量设备。方法。gafnii层(𝑒3〜3。5 eV)和铂(𝑒3〜5。3 eV)分别使用相当简单且操作的Magnetron喷涂方法顺序将10 nm和2 nm依次应用于金属箔底物的侧面。阴极由箔制成,并用多层涂层在电子束的横截面中形成胶带和环。在三极管电子光学系统中产生了多层阴极发行特性及其形成的光束的实验测量,其中包括控制电极(阳极)和选举收集器的阴极以Pharanda圆柱体的形式进行。测量是在技术真空10-7的条件下进行的。。。10-8 Torr。 结果。 实验定义了由三极管电子光系统形成的电子流的横截面的特征和环在薄铝基板(9微米)和坦塔鲁斯(10微米)上形成的电子流的横截面。 测量了从阴极的电流对Cato室和控制电极之间电压(Volt-Ampere特性)之间的电压的依赖性,以及所形成的束的电子光系统中电流的变化。 结论。 。 。10-8 Torr。结果。实验定义了由三极管电子光系统形成的电子流的横截面的特征和环在薄铝基板(9微米)和坦塔鲁斯(10微米)上形成的电子流的横截面。测量了从阴极的电流对Cato室和控制电极之间电压(Volt-Ampere特性)之间的电压的依赖性,以及所形成的束的电子光系统中电流的变化。结论。。。在本文中,在电子流的薄金属基板上使用多层天主管在电子流的薄金属基板上进行了形成,并在高达300的田间发射场的横截面中,电流的横截面最大为几米,平均水平极大。400 A/cm 2。在选择技术真空中选择大型田间发射时,研究的阴极稳定运行的可能性。
近来,通过控制尺寸和形态缩短电极材料中的离子传输距离,在改善离子传输方面取得了巨大进展。一种通用的策略是合成纳米晶体并将其用作电极材料。[10] 或者,构建电极材料和电解质之间易于接触的分层结构也是另一种可行的方法。[11,12] 例如,离子可以轻松扩散到 3D 多孔石墨烯结构中,实现高倍率能量存储。[13] 值得注意的是,控制电极材料中的离子迁移率,特别是对于高质量负载的电极,是增强能量存储的另一个重要因素。[2,12] 尽管付出了巨大的努力,但取得的进展相对较少
摘要:形成稳定的电化学相互作用,包括固体电解质间相(SEI)和阴极电解质相间(CEI)对于开发高性能碱金属电池至关重要。SEI/CEI的稳定性主要取决于其化学和结构。当前对SEI/CEI设计的研究主要集中于通过调节电解质配方来调节其化学。在这项工作中,我们展示了SEI/CEI的化学和结构都可以通过温度调制的形成策略轻松调节。具体而言,使用加热条件下的预充电来调节电解质分解反应的类型和动力学,然后在低温存储下冷冻,以控制电极界面上分解产物的沉积行为。研究表明,高温预充电会影响LI+的配位结构并加速分解反应动力学,从而导致大量阴离子分解。随后的低温存储迅速降低了在高温下产生的分解产物的溶解度,从而促进了两个电极对不溶性产物的沉积,从而导致密集且稳定的SEI/CEI。强大的SEI/CEI实现了中等浓度的基于以太电解质的4.5 V LI || NCM811单元的稳定循环,
电化学能源储能技术由于近年来其低成本和高能量效率而引起了广泛的关注。在电化学储能技术中,由于丰富的钠资源,低价和与锂的类似特性的优势,钠离子电池被广泛关注。在钠离子电池的基本结构中,电解质确定电池的电化学窗口和电化学性能,控制电极/电解质界面的性能,并影响钠离子电池的安全性。有机液体电解质由于其低粘度,高介电常数以及与常见阴极和阳极的兼容性而被广泛使用。但是,存在一些问题,例如氧化潜力低,高光度性和安全性危害。因此,新型,低成本,高性能有机液体电解质的发展对于钠离子电池的商业应用至关重要。在本文中,已经引入了钠离子电池的有机液体电解质的基本要求和主要分类。已经突出了有机液体电解质的当前研究状态,包括与各种类型的电极的兼容性以及电解质材料的乘数性能和电极材料的循环性能。已经解释了界面纤维的组成,形成机制和调节策略。最后,将来指出了与材料,安全性和稳定的界面纤维形成的钠离子电池电解质的开发趋势。
摘要:我们在计算上研究了分子连接在单分子极限下探测化学反应性的效用。为此,我们采用了与量子传输模拟结合的分子动力学(MD)来研究经典的Diels- alder反应,但在纳米级连接处,在纳米级交界处,其中反应物是纳米构成的,并且反应对在机械上被机械带到附近。为了捕获反应性事件,MD采用密度功能紧密结合方法来解释原子间相互作用。为了了解这种新型化学环境中反应背后的热力学驱动力,我们重建了沿反应坐标的平均力的潜力,并将其分解为能量和熵的贡献。分析表明该过程是熵惩罚的,这使得反应屏障对温度和反应物刚性的变化敏感。模拟进一步表明,在纳米结中,可以通过控制电极的接近度来机械地操纵反应性程度。出乎意料的是,对于最佳电极分离,纳米配置反应中的熵和能量成本与散装中观察到的熵成本相吻合,在这两个巨大不同的反应性环境中进行的测量之间建立了明确的连接。最后,我们展示了如何使用电导测量来实验以单一实体极限监测过程。■简介
在过去十年中,石墨烯因其独特的电气特性(如高电子迁移率和高饱和速度 [1])而备受关注。遗憾的是,由于没有带隙,石墨烯不适合数字电路应用。在模拟 RF 电路中,传统的 MOSFET 结构(如石墨烯场效应晶体管 (GFET))能够达到约 400 GHz 的截止频率 (f T ) [2],但输出特性的非饱和行为 [3] 导致重要 RF 性能指标的下降,因为固有电压增益 A V = g m / g ds 。出于这个原因,最近提出了新的基于石墨烯的晶体管概念,如石墨烯基晶体管 (GBT, [4]),利用通过薄电介质的量子隧穿,如热电子晶体管 (HET, [5])。GBT 由垂直结构组成(图1 中的插图),其中石墨烯片用作控制电极,即基极 (B),位于图1 中的 x = 0 处。基极通过发射极-基极和基极-集电极绝缘体(分别为 EBI 和 BCI)与金属或半导体发射极 (E) 和金属集电极 (C) 隔开 [4]。在正常运行中(即正基极-发射极偏压,V BE > 0 和正集电极-基极偏压,V CB > 0),电子隧穿 EBI,垂直于石墨烯片 (GR) 穿过基极,然后沿着图1 中的 x 方向漂移穿过 BCI 的导带 (CB)。尽管其单原子厚度,