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World File Search System擦除速度
超快非易失性的浮动式内存，基于所有...
大规模数据存储的爆炸性增长和对超快数据处理的需求需要具有出色性能的创新记忆设备。2D材料及其带有原子尖锐界面的范德华异质结构对内存设备的创新有着巨大的希望。在这里，这项工作呈现出所有由2D材料制成的功能层，可实现超快编程/擦除速度（20 ns），高消光率（最高10 8）和多位存储能力。这些设备还表现出长期的数据保留超过10年，这是由高栅极偶联比（GCR）和功能层之间的原子尖锐接口促进的。此外，这项工作证明了通过协同电气和光学操作在单个设备单元上实现“或”逻辑门的实现。目前的结果为下一代超速，超级寿命，非挥发性存储器设备提供了坚实的基础，并具有扩展制造和灵活的电子应用程序的扩展。
EN25QX64A (2C)
- 使用 WP# 引脚启用/禁用保护 软件和硬件复位 高性能编程/擦除速度 - 页面编程时间：典型 0.5ms - 扇区擦除时间：典型 40ms - 半块擦除时间典型 200ms - 块擦除时间典型 300ms - 芯片擦除时间：典型 30 秒 易失性状态寄存器位。 可锁定 3x512 字节 OTP 安全扇区 写入暂停和恢复 带包装的突发读取（8/16/32/64 字节） 空白校验位 读取唯一 ID 号 最小 100K 耐久性周期 数据保留时间 20 年 封装选项 - 8 引脚 SOP 150mil 主体宽度 - 8 引脚 SOP 200mil 主体宽度 - 16 引脚 SOP 300mil 主体宽度 - 8 触点 VDFN / WSON（6x5mm） - 8 触点 VDFN / WSON（8x6mm） - 8 触点 USON（4x3X0.55mm） - 8 触点 USON（4x4X0.45mm） - 所有无铅封装均符合 RoHS、
基于双层 NC-Si 浮栅的高密度多级存储 3D NAND 闪存
摘要：3D NAND闪存作为存储器计算的有力候选者，因其高计算效率而备受关注，其性能优于传统的冯·诺依曼体系结构。为确保3D NAND闪存真正融入存储器芯片的计算中，急需一种具有高密度和大开关电流比的候选者。本文，我们首次报道在双层Si量子点浮栅MOS结构中实现高密度多级存储的3D NAND闪存。最大的电容电压（CV）存储窗口为6.6 V，是单层nc-Si量子点器件的两倍。此外，在10 5 s的保持时间后可以保持5.5 V的稳定存储窗口。在充电过程中观察到明显的电导电压（GV）峰，进一步证实了双层Si量子点可以实现多级存储。此外，采用nc-Si浮栅的3D NAND闪存的开/关比可以达到10 4 ，表现出N型沟道耗尽工作模式的特征。经过10 5 次P/E循环后，存储窗口可以维持在3 V。在+7 V和-7 V偏压下，编程和擦除速度可以达到100 µs。我们将双层Si量子点引入3D NAND浮栅存储器，为实现存储器中的计算提供了一种新途径。