1.规格 1.1 特点 1.2 机械规格 1.3 绝对最大额定值 1.4 DC 电气特性 1.5 光学特性 1.6 背光特性 1.7 触摸屏特性 2.模块结构 2.1 计数器图 2.2 接口引脚说明 2.3 时序特性 2.3.1 SPI 写入 2.3.2 SPI 时序表 2.4 颜色数据分配 2.5 参考初始代码 3.质量保证体系 3.1 质量保证流程图 3.2 检验规范 4.可靠性测试 4.1 可靠性测试条件 5.产品处理注意事项 5.1 安全 5.2 处理 5.3 存储5.4 质保条款 附录:LCM 图纸 LCM 包装规格 注:详细信息请参考 IC 数据手册: Primacy(TFT LCD): Himax: HX8257-A
第 1 章 ARINC 429 教程介绍...................................................................................................................1 关于 ARINC....................................................................................................2 什么是 ARINC 429?......................................................................................2 ARINC 429 用法.......................................................................................3 ARINC 429 电气特性.......................................................................................3 协议....................................................................................................................5 位时序和斜率....................................................................................................6 ARINC 429 字格式....................................................................................7 奇偶校验....................................................................................................................7 SSM.............................................................................................................7 数据.............................................................................................................8 SDI.............................................................................................................8 标签.............................................................................................................8 传输顺序.............................................................................................
注意:所有通信和刷新率时序均针对标称校准的 HFO 频率给出,并将随此频率的变化而变化。1.所有 PWM 时序规格均针对单个 PWM 输出给出(MLX90614xAx 的出厂默认值)。对于扩展 PWM 输出(MLX90614xBx 的出厂默认值),每个周期的时序规格为原来的两倍(请参阅 PWM 详细描述部分)。对于大电容负载,建议使用较低的 PWM 频率。热继电器输出(配置时)具有 PWM DC 规格,可以编程为推挽或 NMOS 开漏。PWM 是自由运行的,上电出厂默认为 SMBus,详情请参阅 7.6“在 PWM 和 SMBus 通信之间切换”。2.有关 12V 应用上的 SMBus 兼容接口,请参阅应用信息部分。SMBus 兼容接口在 SMBus 详细描述部分中有详细描述。一条总线上 MLX90614xxx 设备的最大数量为 127,如果设备数量较多、总线数据传输速率更快、总线无功负载增加,建议使用较高的上拉电流。MLX90614xxx 始终是总线上的从设备。MLX90614xxx 可以在低功耗和高功率 SMBus 通信中工作。除非另有说明,所有电压均指 Vss(接地)。5V 版本 (MLX90614Axx) 不提供省电模式。
摘要:本文提出了 VLSI 设计流程中综合阶段和 CTS(时钟树综合)阶段的总功率和延迟优化流程。需要多 Vt 设计方法来减少漏电流。在本文中,使用两种 Vt 组合:1.高 Vt 和 2.低 Vt,用于相同的逻辑功能。第三种类型是标称 Vt,在此流程中是可选的,实现流程使用不同的方法在设计中使用不同类型的单元的混合来在泄漏和性能目标之间进行权衡。在本文中,将使用 LVT 单元执行 RTL 综合和逻辑优化,以优化高速单元的时序以满足时序目标。然后,一旦满足延迟,将以目标松弛为零实施泄漏功率优化,并且仅使用 HVT 单元进行泄漏功率优化。
主锁存器如何进入亚稳态?考虑图 2 左侧的触发器。假设时钟为低,节点 A 为“1”,输入 D 从“0”变为“1”。结果,节点 A 下降,节点 B 上升。当时钟上升时,它会断开节点 A 的输入并关闭 A—B 循环。如果 A 和 B 恰好在其亚稳态水平附近,则它们需要很长时间才能偏离合法数字值,如下所示。事实上,一个定义是,如果触发器的输出变化晚于标称时钟到 Q 传播延迟 (t pCQ ),则触发器一定是亚稳态的。我们可以通过调整时钟和数据的相对时序来模拟这种效果,直到获得所需的结果,如图 3 所示。顺便说一句,触发器的其他时序不当的输入(异步复位、清除,甚至由于时钟门控不良导致的时钟脉冲太短)也可能导致亚稳态。
6.1 绝对最大额定值 ...................................................... 5 6.2 ESD 额定值 .............................................................. 5 6.3 建议工作条件 .............................................................. 5 6.4 热信息 ...................................................................... 5 6.5 电气特性 ...................................................................... 6 6.6 开关特性 ...................................................................... 7 6.7 双线接口时序 ............................................................. 7 6.8 时序图 ...................................................................... 8 6.9 典型特性 ...................................................................... 8
摘要 — 工艺变化和器件老化给电路设计人员带来了巨大的挑战。如果不能准确了解变化对电路路径延迟的影响,就无法正确估计用于防止时序违规的保护带。对于先进技术节点,这个问题更加严重,因为晶体管尺寸达到原子级,既定裕度受到严重限制。因此,传统的最坏情况分析变得不切实际,导致无法容忍的性能开销。相反,工艺变化/老化感知静态时序分析 (STA) 为设计人员提供了准确的统计延迟分布。然后可以有效地估计较小但足够的时序保护带。但是,这种分析成本高昂,因为它需要密集的蒙特卡罗模拟。此外,它需要访问机密的基于物理的老化模型来生成 STA 所需的标准单元库。在这项工作中,我们采用图神经网络 (GNN) 来准确估计工艺变化和器件老化对电路内任何路径延迟的影响。我们提出的 GNN4REL 框架使设计人员能够快速准确地进行可靠性评估,而无需访问晶体管模型、标准单元库甚至 STA;这些组件都通过代工厂的训练整合到 GNN 模型中。具体来说,GNN4REL 是在 FinFET 技术模型上进行训练的,该模型根据工业 14 nm 测量数据进行了校准。通过对 EPFL 和 ITC-99 基准以及 RISC-V 处理器的大量实验,我们成功估计了所有路径的延迟退化(尤其是在几秒内),平均绝对误差低至 0。01 个百分点。
确定性网络的特征:1。精确时间同步(<1 µs时序偏差)2。具有保证和有限延迟的确定性数据流以及抖动3。防止不良行为节点4。资源保留5。确定性消息路径中的每个节点提供项目1-4
以前的方法促进了群集中像素的时序序列,后两个评估群集特征。线性能量传递(LET),整个群集的能量分布及其厚度和线性,对最终分类具有最大的影响。模型在参考数据库(校准)数据数据库中进行了培训。
数字集成电路的综合与优化策略是十分重要的课题。近年来,人们对这一领域的兴趣日益浓厚,因为它在当前技术革命的各个领域都具有实用性。计算机辅助设计 (CAD) 技术为高效、成功地设计大规模高性能电路提供了方法,可用于从汽车到生物医学信号处理等广泛的应用领域。设计复杂性的急剧增加使得开发自动化技术势在必行,以便在更短的时间内获得足够的结果。因此,需要开发更智能的策略来减少设计过程中的人机交互。人机交互既费时又容易出错。策略必须克服面积时序、能耗和可测试性等多项挑战。可测试性对于减少测试时间非常重要,而测试时间是设计过程中成本最高的部分。本论文重点开发和评估了数字集成电路的几种综合和优化策略,比较了流程中不同选择对主要设计指标(即功率、面积和时序)的影响。目标是开发一种能够以最小的复杂性和时间最小化指标的流程。此外,还验证和评估了开发的策略,展示了关键参数如何影响结果以及如何调整流程以获得更好的结果。这些策略应用于混合信号 ASIC 设计以评估结果。该项目从稳定且可扩展的基本综合流程开始,并从该流程开始,探索可能的进一步策略。开发这些流程变体的主要领域是时钟门控、不同单元库的引入以及流程中不同的优化序列。通过引入克隆技术或相关参数的变化(例如最大扇出、最小带宽和最大级数),探索了时钟门控。各种类型的单元库、低漏电和低规模都用于研究具有较少限制电源模型的设计或具有较少时序问题的设计。已经制定了管理