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磁性传感器数据表 - Steven Engineering
(1) V Bridge = 4.3V，I S/R = 3.2A，V OUT = V SET – V RESET (2) 如果 V Bridge = 8.0V，I S/R = 2.0A，则较低的 S/R 电流会导致较大的输出变化。(3) 电源有效电流小于 1mA。(4) 未在生产中测试，由特性保证。(*) 除非另有说明，否则在 25°C 下测试。单位：1 高斯 (g) = 1 奥斯特（在空气中），= 79.58 A/m，1G = 10E-4 特斯拉，1G = 10E5 伽马。
LF411 低失调低漂移 JFET 输入运算放大器
放大器将以等于正电源的共模输入电压工作。然而，在此条件下，增益带宽和斜率可能会降低。当负共模电压摆动至负电源的 3V 以内时，可能会出现输入失调电压增加的情况。LF411 由齐纳参考偏置，允许在 g 4�5V 电源上正常电路工作。低于这些的电源电压可能会导致较低的增益带宽和斜率。LF411 将在整个温度范围内驱动 2k X 负载电阻至 g 10V。如果放大器被迫驱动更大的负载电流，但是，在负电压摆动上可能会出现输入失调电压增加，并最终在正向和负向摆动上达到有效电流限制。应采取预防措施，确保集成电路的电源永远不会反转极性，或者不会无意中将设备反向安装到插座中，因为无限电流通过 IC 内部产生的正向二极管产生的浪涌可能会导致内部导体熔断，从而导致设备损坏。
第11章 - 电源和项目
词汇表双极晶体管 - 用来表示共同的两种连接晶体管类型（NPN，PNP）的术语，而不是磁场效应的设备（JFET，MOSFET等）。BLEEDER - 电源的输出或过滤器上的电阻负载，旨在一旦供应关闭，旨在快速排放存储的能量。c速率 - 电池的充电率，表示为电池的安培小时等级。圆形MILS-表达圆形导体的横截面区域的便利方式。通过将直径平方（千分之一英寸）的直径平方，而不是将其半径和乘以Pi乘，可以找到圆形MILS的面积。例如，10口线的直径为101.9 mils（0.1019英寸）。其横截面区域为10380厘米，或0.008155平方英寸。核心饱和度（磁） - 变压器或电感器芯中的磁通量超过核心所能处理的条件。如果强迫通量超出这一点，则核心的渗透性将减小，并且将接近空气的渗透性。撬棍 - 许多电源中包含的最后一个式保护电路，以保护负载设备免受供应中调节器故障的影响。撬棍会在供应的输出上感觉到过电压，并发射短路设备（通常是SCR），以直接缩短电源的输出并保护负载。这会导致电源很高的电流，这会吹出电源的输入线保险丝。这对的有效电流增益大约是两个设备各个收益的乘积。达灵顿晶体管 - 一个情况下有两个晶体管的包装，收藏家绑在一起，一个晶体管的发射极与另一个晶体管相连。DC-DC转换器 - 将直流源电压更改为AC的电路，将其转换为另一个级别，然后对输出进行整流以产生直流电。快速恢复整流器 - 专门掺杂的整流器二极管，旨在最大程度地减少停止传导所需的时间时，当二极管从向前偏置的状态切换到反向偏置状态时。折叠式电流限制 - 线性电源中使用的一种特殊类型的电流限制类型，在短期电路负载条件下，通过电源调节器将电流降低到低值，以保护系列通过晶体管免受过量功率耗散和可能的破坏。地面故障（电路）截止器（GFI或GFCI） - 在房屋之间安装的安全装置 - 持有电源的电源和设备，那里有人员触摸地面地面的危险，而