XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System板和场
基于结构函数理论的微通道冷板热阻研究
[1] 赵学历 , 金尚忠 , 王乐 , 等 . 基于结构函数的 LED 热特 性测试方法 [J]. 光电工程 , 2011, 38(9): 115-118. [2] 张立 , 汪新刚 , 崔福利 . 使用 T3Ster 对宇航电子元器件 内部热特性的测量 [J]. 空间电子技术 , 2011(2): 59-64. [3] MEY G, VERMEERSCH B, BANASZCYK J, et al. Thermal Impedances of Thin Plates[J]. International Journal of Heat and Mass Transfer, 2007, 50: 4457-4460. [4] VASILIS C, PANAGIOTIS C, IONNANIS P, et al. Dy- namic Thermal Analysis of Underground Medium Power Cables Using Thermal Impedance, Time Constant Distri- bution and Structure Function[J]. Applied Thermal Engi- neering, 2013, 60: 256-260. [5] MARCIN J, JEDRZEJ B, BJORN V, et al. Generation of Reduced Dynamic Thermal Models of Electronic Systems from Time Constant Spectra of Transient Temperature Responses[J] Microelectronics Reliability, 2011, 51: 1351-1355. [6] MARCIN J, ZOLTAN S, ANDRZEJ N. Impact of
iFreeETF 中国科创板50（STAR50）（2104）
■申请ETF时，一定要查看《投资信托说明书》的内容，并自行做出决定。 ■由于投资信托投资于价值波动的证券等资产，因此单位价格波动较大。因此，投资本金得不到保障。信托财产产生的全部盈亏均属于投资人所有。投资信托与储蓄账户不同。 ■与存款和保险合同不同，投资信托不受存款保险公司或保险单持有人保护公司的保护。通过证券公司以外的其他方式购买的投资信托不受投资者保护基金的保护。 ■分配金额由管理公司根据收益分配政策决定。无法保证提前分配固定金额。在某些情况下，可能不会支付股息。 ■本材料来自我们认为可靠的来源，但我们不保证其准确性或完整性。所提供的有关业绩等的信息基于过去的表现，并不暗示或保证未来的结果。本文所述指数、统计数据等的所有知识产权和其他权利均属于发行人和许可人所有。此外，由于它并未考虑税费等，因此并不代表投资者的实际投资结果。内容在撰写时是最新的，如有更改，恕不另行通知。 ■如果本文件中提及个别公司名称，则仅供参考，并不代表对任何公司的认可。
基于数字孪生的倾斜采场装备力学行为测控研究
引用本文: 解盘石, 杨航, 伍永平, 等 . 基于数字孪生的倾斜采场装备力学行为测控研究[J]. 煤炭科学技术 , 2024, 52(12): 259-271. XIE Panshi, YANG Hang, WU Yongping. Investigation into the monitoring and control of mechanical dynamics in inclined mining equipment utilizing digital twin technology[J]. Coal Science and Technology, 2024, 52(12): 259-271.
GaN HEMT 器件的 AI 辅助场板设计
摘要 GaN HEMT 在高功率和高频电子器件中起着至关重要的作用。在不影响可靠性的情况下满足这些器件的苛刻性能要求是一项具有挑战性的工作。场板用于重新分配电场，最大限度地降低器件故障风险，尤其是在高压操作中。虽然机器学习已经应用于 GaN 器件设计，但它在以几何复杂性而闻名的场板结构中的应用是有限的。本研究介绍了一种简化场板设计流程的新方法。它将复杂的 2D 场板 2 结构转换为简洁的特征空间，从而降低了数据要求。提出了一种机器学习辅助设计框架来优化场板结构并执行逆向设计。这种方法并不局限于 GaN HEMT 的设计，可以扩展到具有场板结构的各种半导体器件。该框架结合了计算机辅助设计 (TCAD)、机器学习和优化技术，简化了设计流程。
板到板和背板
5.1 t es eSt车辆............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................. ....................................................................................................................................... 16 6 ANNEXES ........................................................................................................................................................... 17
杭州华澜微电子股份有限公司首次公开发行股票并在科创板 ...
声明................................................................................................................................ 1
片上集成人工微结构光场调控（特邀） - 陈树琪
[20] Liu W W，Chen S Q，Li Z C等。使用单层跨表面[J]在Terahertz区域中在Terahertz区域中传输模式下的极化转换实现。光学信，2015，40（13）：3185-3188。
激光定向能量沉积的粉末尺度多物理场数值模拟黄辰阳，陈嘉伟
摘要 激光定向能量沉积（L-DED）作为一种同轴送粉金属增材制造工艺，具有沉积速率高、可制造大型部件等优点，在航空航天、交通运输等领域有着广泛的应用前景。然而，L-DED在金属零件尺寸和形状的分辨方面存在工艺缺陷，如尺寸偏差大、表面不平整等，需要高效、准确的数值模型来预测熔覆轨道的形状和尺寸。本文提出了一种考虑粉末、激光束和熔池相互作用的高保真多物理场数值模型。该模型中，将激光束模拟为高斯表面热源，采用拉格朗日粒子模型模拟粉末与激光束的相互作用，然后将拉格朗日粒子模型与有限体积法和流体体积相结合，模拟粉末与熔池的相互作用以及相应的熔化和凝固过程。
采用顺序磷掺杂硅的沟槽场板功率 MOSFET 工艺优化
图 7 显示了 (A) 磷扩散和 (B) 无退火顺序掺杂的 (1) 横截面 TEM 图像和 (2) EDX 磷映射图像。在磷扩散以及退火顺序掺杂（未显示）中，硅变成多晶（图 7(A-1)），其中多晶粒加剧了干蚀刻变化。另一方面，对于无退火顺序掺杂（图 7(B-1)），硅保持非晶态，这改善了干蚀刻变化。EDX 的结果使硅差异与磷原子位置的差异相一致（图 7(A-2) 和图 7(B-2)）。从干蚀刻工艺变化的角度来看，对于硅场板电极而言，无活化退火顺序掺杂更胜一筹。