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MIL-PRF-38535 标准微电路密封和非...
o 它代表了封装技术的进步，提高了功能密度，并提高了工作频率。这些是基于陶瓷的单芯片系统级芯片 (SoC)，采用非密封倒装芯片结构，采用高引脚数陶瓷柱栅阵列 (CGA) 封装。这些产品使用微型基极金属 (BME) 电容器来保证信号完整性，并使用通风封装来进行热管理。（例如 Xilinx Virtex-4 FPGA）
Mil Std 教程 - EEE 零件 101 培训 - 2024 年 4 月
• 它代表了封装技术的进步，提高了功能密度并提高了工作频率。这些是基于陶瓷的单芯片系统级芯片 (SoC)，采用非密封倒装芯片结构，采用高引脚数陶瓷柱栅阵列 (CGA) 封装。这些产品使用微型基极金属 (BME) 电容器来实现信号完整性，并使用通风封装来实现热管理。（例如 Xilinx Virtex-4 FPGA）
H.B.第5358号（提起）有关螺柱的法案
农田和开放空间对于对极端天气和气候变化的韧性是必需的。空间和土壤可确保水的供应和质量，它们提供风暴潮，洪水和干旱。他们从水和空气中过滤污染物，减少城市热岛的影响并通过植被提供冷却。管理良好的土壤是碳封存的唯一最佳工具。益处会带来整个人群。保存农田可确保持续生产食品和其他农产品。没有本地生产就没有粮食安全。当地生产增强了当地经济。对栖息地，生物多样性，娱乐，美学，教育，遗产和一般福祉的更明显好处太大而复杂，无法在此处描述。我们都是管家。我要求，作为我们当选的官员和公务员，您将保护农田和开放空间作为优先事项。支持该法案。
离散波长 DOAS NO2 斜柱检索...
摘要。卫星 NO 2 数据在空气质量研究中的应用日益表明，需要进行具有更高空间和时间分辨率的观测。NO 2 昼夜循环研究、全球郊区观测和排放点源识别是一些重要应用的例子，而这些应用无法在现有仪器提供的分辨率下实现。提高空间分辨率的一种方法是减少检索所需的光谱信息，从而允许使用传统 2-D 探测器的两个维度来记录空间信息。在这项工作中，我们研究了使用 10 个离散波长和成熟的差分光学吸收光谱 (DOAS) 技术来检索 NO 2 斜柱密度 (SCD)。为了测试这个概念，我们使用了来自世界各地不同地区的单个 OMI 和 TROPOMI 1B 级扫描带，这些扫描带既包含清洁区域，也包含严重污染区域。为了离散化数据，我们模拟了一组以 NO 2 吸收截面的各个关键波长为中心的高斯光学滤波器。我们使用 DOAS 算法的简单实现对离散数据进行 SCD 检索，并将结果与相应的 2 级 SCD 产品（即 OMI 的 QA4ECV 和 TROPOMI 业务产品）进行比较。对于 OMI，我们离散波长检索的总体结果与 2 级数据非常吻合（平均差异 < 5 %）。对于 TROPOMI，一致性很好（平均差异 < 11 %），由于其信噪比更高，不确定性较低。这些差异主要可以通过检索图像的差异来解释
H.B.第5358号（提起）有关螺柱的法案
食物和农田对于我们的生存和弹性至关重要。最少的投入和化学添加剂的当地粮食生产有助于自然环境（清洁空气和水），降低了我们的碳足迹，减少了气候变化的影响并减缓了气候变化的影响，并支持我们减少的昆虫种群和生物多样性 - 所有这些都是对我们星球繁荣（以及我们州）的必不可少的。不幸的是，数十年的过度开发继续减少土地的可用性，以及我们州的许多公民，他们将从新鲜和当地的健康食品中受益。结果，康涅狄格州继续拥有该国一些最昂贵的农田，每英亩平均价格为每英亩14,300美元。我们国家的公民值得更好。未来和有抱负的农民应该在购买土地上摇摇欲坠，以生产支持我们公民，环境和当地经济健康的食物。现在是在我们的未来投资的时间，现在是在我们的工作土地上投资的时候，请支持H.B.5064。
用数字法测定球栅阵列的热膨胀系数
本文介绍了通过数字图像相关 (DIC) 技术对球栅阵列 (BGA) 上焊球的热膨胀系数 (CTE) 进行分析的方法。由于微尺度元件对热的敏感性，评估半导体元件的热机械性能是一项主要挑战。然而，BGA 的 CTE 分析对于解决导致故障的热失配应变问题具有重要意义。同时，焊球热膨胀的测量是在微尺度和加热条件下进行的，传统的应变测量方法无效。在本分析中，使用微 DIC 系统测量焊球在加热台上受到温度载荷时的应变值。使用加热台内的热电偶测量焊球的实际温度，以确保温度的均匀性。获得特定温度下测得的应变，并使用线性分析绘制 CTE 图表。测得的焊球的平均 CTE 值为 27.33 × 106 / oC。结果表明，测量结果接近焊球 CTE 的参考值。该分析使用开发的 DIC 方法对 BGA 进行了可靠的分析。
背栅石墨烯晶体管的接触电阻和迁移率
摘要 金属-石墨烯接触电阻是限制石墨烯在电子设备和传感器中技术开发的主要因素之一。高接触电阻会损害器件性能并破坏石墨烯固有的优良特性。在本文中，我们制造了具有不同几何形状的背栅石墨烯场效应晶体管，以研究接触和沟道电阻以及载流子迁移率随栅极电压和温度的变化。我们应用传输长度法和 y 函数法，表明这两种方法可以相互补充以评估接触电阻并防止在估计载流子迁移率对栅极电压的依赖性时出现伪影。我们发现栅极电压以类似的方式调节接触和沟道电阻，但不会改变载流子迁移率。我们还表明，升高温度会降低载流子迁移率，对接触电阻的影响可以忽略不计，并且可以根据施加的栅极电压诱导石墨烯薄层电阻从半导体行为转变为金属行为。最后，我们表明，消除接触电阻对晶体管沟道电流的不利影响几乎可以使载流子场效应迁移率翻倍，并且通过 Ni 接触的锯齿形成形可以实现低至 700 Ω · μ m 的竞争性接触电阻。