为了降低欧姆损耗,电解质支持的固体氧化物燃料/电解池需要在高工作温度(> 800 °C)下工作,这是限制其商业化的主要因素之一。[1–3] 为了将工作温度降低到更具成本效益的范围(< 500 °C),人们进行了大量研究,以开发具有更高低温离子电导率的电解质。[4,5] 在这方面,掺杂钙钛矿体系(即 A 1–xA′xB1–yB′yO3–δ,其中 A′ 和 B′ 是异价掺杂剂)已成为氧离子导体的有希望的候选材料。例如,锶和镁共掺杂的LaGaO3由于其具有竞争力的离子电导率(600°C时> 0.01 S cm-1)和化学稳定性,被认为是氧化钇稳定氧化锆的极佳替代品。[6–8]但是,尽管具有这些诱人的特性,但很少有高性能替代品被发现[9,10],而且还没有系统地设计这类材料的方法。
摘要 — 本文报道了一种三通道、非连续、流形多路复用器,工作频率为 220 至 330 GHz,工作带宽为 40%。该结构采用一组脊状基片集成波导 (SIW) 进行设计和实现。与传统 SIW 设计相比,脊状 SIW 提高了阻带带宽,并将整体结构尺寸缩小了 35%。三工器采用英特尔开发的有机封装基板技术,具有四层厚铜金属层和连续沟槽通孔代替标准通孔围栏,可显著降低脊状 SIW 波导的欧姆损耗。在三工器结构的开发中采用了电磁电路建模和协同设计技术。使用带状毫米波晶圆探测测量制造的三工器,通带中的插入损耗为 3 ∼ 7 dB,每个通道滤波器的平均回波损耗优于 10 dB。测得的三个通道的阻带衰减均优于 27 dB。
摘要 — 本文报道了一种三通道、非连续、流形多路复用器,工作频率为 220 至 330 GHz,工作带宽为 40%。该结构采用一组脊状基片集成波导 (SIW) 进行设计和实现。与传统 SIW 设计相比,脊状 SIW 提高了阻带带宽,并将整体结构尺寸缩小了 35%。三工器采用英特尔开发的有机封装基板技术,具有四层厚铜金属层和连续沟槽通孔代替标准通孔围栏,可显著降低脊状 SIW 波导的欧姆损耗。在三工器结构的开发中采用了电磁电路建模和协同设计技术。使用带状毫米波晶圆探测测量制造的三工器,通带中的插入损耗为 3 ∼ 7 dB,每个通道滤波器的平均回波损耗优于 10 dB。测得的三个通道的阻带衰减均优于 27 dB。