P. Vigneshwara Raja、Christophe Raynaud、Camille Sonneville、Hervé Morel、Luong Viet Phung 等人。垂直 GaN-on-GaN 肖特基势垒二极管中的深能级瞬态傅里叶光谱 (DLTFS) 和等温瞬态光谱 (ITS)。微纳米结构,2022 年,172,第 207433 页。�10.1016/j.micrna.2022.207433�。�hal-04032160�
明确研究了直径 400 μ m 的中子辐照 (NI) GaN 肖特基势垒二极管 (SBD) 的温度相关电特性。根据 CV 测量,与原始样品相比,NI 二极管的电子浓度明显下降,表明存在热增强载流子去除效应。中子辐照会导致明显的肖特基势垒高度不均匀性,这可以通过双势垒模型进行研究。数据表明,中子辐照会对漏电流以及低频噪声水平产生微小但可测量的抑制。尽管发现了新的深能级陷阱,但温度相关的电学结果表明 GaN SBD 具有出色的抗中子辐照性能和在极端工作温度下的稳定性。
由于碳浓度对于高功率器件至关重要,因此这些晶体是通过更复杂的垂直浮区工艺生长的。砷化镓主要用于光通信和显示器,以及即将在微电子(高速 FET 和 HEMT 器件)和功率器件(FET 阵列)中应用,到目前为止,砷化镓还无法在商业上生长到所需的质量。通过掺杂和减小生长过程中的温度梯度(液体封装的 Czochralski IILEC“和水平 Bridgman“舟式生长”),位错问题已有所缓解。然而,腐蚀坑密度 (EPD) 小于 * 10 3 cm- 2 的 GaAs 晶体尚未实现商业化,典型的 EPD 在 10 4 和 10 5 cm- 2 之间 • GaAs 的其他问题包括非化学计量、非均匀性。漩涡状缺陷。深能级缺陷 EL2,以及实现用于高速设备的半绝缘材料(没有高度扩散的补偿铬)所需的纯度。人们普遍希望 GaAs 也可以通过 Czochralski 工艺经济地生产(产生首选的圆形晶片而不是 Bridgman 工艺的 D 形晶片)。并且上述大多数问题可以通过适当调整生长参数来解决。一个重要的切克劳斯基生长中最重要的参数是对流,它决定了均匀性和涡流状和 EL2 缺陷的分布(和数量?)。下文将描述切克劳斯基过程中的各种对流方式,并介绍最有希望优化切克劳斯基熔体对流条件的方法。
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