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手电筒装置、电源装置
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μSR 实验进展与缪子源发展趋势*
（c）浸入量子自旋液体中的磁液滴[15]； （d）磁电材料表面上方的单个电荷，Cr 2 O 3，诱导表面下方的图像单极，然后图像单子在表面上方产生理想的单极磁场[20]。
具有复合源极-...的单向 p-GaN 栅极 HEMT
硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 以其低成本、大面积应用等优势在功率器件应用领域引起了广泛关注 [1]。近年来，双向开关在轧机、电梯、风力发电等许多工业双向功率转换应用中备受青睐。此外，常闭单向 HEMT 是实现高性能双向开关的重要器件 [2,3]。常闭单向 HEMT 通常通过在 HEMT 的漏极中嵌入肖特基势垒二极管 (SBD) 来实现。目前已经采用了氟注入或金属氧化物半导体技术。然而，在常闭单向 HEMT 中尚未见具有良好阈值电压 (V th ) 可控性和稳定性的 p-GaN 栅极技术 [4] 的报道。此外，凹陷式肖特基漏极[5]和场板技术[6]可以为实现具有小开启电压（V on ）、高击穿电压（BV）和良好动态性能的单向HEMT提供相关参考。本研究通过实验证明了一种具有凹陷肖特基漏极和复合源漏场板的单向p-GaN HEMT（RS-FP-HEMT）。研究并揭示了漏极电压应力对动态性能的影响。实验。图1（a）和（b）分别显示了传统的带欧姆漏极的p-GaN HEMT（C-HEMT）和提出的RS-FP-HEMT的示意横截面结构。这两个器件都是在GaN-on-Si晶片上制造的。外延结构由 3.4 µ m 缓冲层、320 nm i-GaN 沟道层、0.7 nm AlN 中间层、15 nm Al 0.2 Ga 0.8 N 阻挡层和 75 nm p-GaN 层（Mg 掺杂浓度为 1 × 10 19 cm −3）组成。器件制造首先通过反应离子刻蚀 (RIE) 形成 p-GaN 栅极岛。然后，蒸发 Ti/Al/Ni/-Au 金属堆栈并在 N 2 环境中以 850 ◦C 退火 30 秒。形成凹陷的肖特基漏极
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于临时股东大会日期，245,398,800股，包括，包括136,302,015股非上市股份及109,096,785股h股。于临时股东大会日期，（i）（i）本公司概无持有库存股份（包括持有或存置于由香港中央结算有限公司建立及运作的中央结算及交收系统的任何库存股份），因此于临时股东大会上并无库因此于临时股东大会上并无库（I），因此于临时股东大会上并无库因此于临时股东大会上并无库（ii）（ii）本公司概无购回待注销之股份。出席临时股东大140,027,027,52525252525252525252525252525252525252525252525252525252525252525.0.0.0.06％6％6％。
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在EGM之日，有权参加EGM提议的决议的股份和股份总数为245,398,800，其中包括136,302,015股份，其中包括136,302,015股股份和109,096,096,785小时。在EGM之日起，（i）公司没有持有的财政部股份（包括由香港证券清算公司建立和运营的中央清算和和解系统持有或存放的任何财政部股票），因此没有在EGM上行使财政部股票的投票权； （ii）没有公司回购待定的股票。股东的数量和授权的代理人参加了EGM。股东和授权的代理人持有140,027,525股股票，占EGM，约占具有投票权的已发行股票总数的57.06％。
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（4）股东须以书面形式委任代表，代表委任表格由股东或由其以书面正式授权的代理人签，代表委任表格应加盖公司印章或由其董事或以书面形式正式授权的，代表委任表格应加盖公司印章或由其董事或以书面形式正式授权的，则授权书或其他授权文件必须经公24小时前（即不迟于2025年3月4上午九时正前（香港时间）（（（））（（））将上述文件送达h股证券登记处香港中央证券登h股证券登记处香港中央证券登173号合和中心17m楼）
10、11号楼应急电源改造工程
2024年9月17日 - 8 文件程序。建筑工程所需的申请和文件必须按照政府规定的标准格式准备和提交。 9 保密。未经监理人员许可，不得泄露施工期间获得的任何信息。
冈山大学资源植物科学研究所报告
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