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英国的文化遗产行业及其对经济的影响
本报告再次提供了 2023 年期间的“即时预测”，旨在减少分析进行时间（2024 年）与报告分析重点关注的年份（2022 年）之间的滞后时间。对遗产部门经济影响的全面分析（第 2.2 节进一步解释）取决于国家和地区层面的详细经济数据。然而，这种详细程度的数据与相关行政机构的制作和发布存在显著的滞后时间。例如，组成遗产行业的就业数据由国家统计局 (ONS) 商业登记和就业调查 (BRES) 提供。在撰写本文时，可用的最新数据是 2022 日历年的数据，该数据是在 2023 年下半年提供的。这些数据对于汇总遗产部门的就业数据至关重要，因此可用于估计该部门的直接影响。这意味着，从历史上看，分析年份与本分析关注的年份之间存在两年的滞后。因此，添加了即时预测，目的是将这个滞后时间从两年缩短到一年。不过，需要注意的是，由于即时预测所依据的数据不够详细，因此 2023 年的影响呈现的细节程度较低。第 2.2 节也对此进行了进一步讨论。
燃油税的意识形态、发生率和政治经济学
3 相比之下，基础设施投资由州和联邦交通税以及州和联邦普通基金拨款共同资助，可能不如司机每次加油时缴纳的税款有形。 4 过去的文献发现，汽油税与滞后的州汽油税前价格（Goel 和 Nelson (1999)）和滞后的州汽油消费量（Hammar 等人 (2004)）呈负相关，这表明政客们可能不愿意在家庭燃料消费成本较高的时间和地区增加税收。同样，Decker 和 Wohar (2007) 发现卡车运输行业的滞后就业与柴油税之间存在负相关性。 5 https://www.nytimes.com/2015/01/03/business/energy-environment/support-for-gas-tax-increase-still-nil-despite-falling-prices.html，https://www.forbes.com/sites/jamesmorris/2022/02/12/electric-vehicles-will-need-new-taxation-or-governments-will-lose-billions/?sh=5654846527ed
LM393N-NOPB-Texas-Instruments-datasheet-7268878.pdf
LM193 系列是高增益、宽带宽设备，与大多数比较器一样，如果输出引线无意中通过杂散电容与输入端电容耦合，则很容易发生振荡。这仅在比较器改变状态时输出电压转换间隔期间出现。无需电源旁路即可解决此问题。标准 PC 板布局很有用，因为它可以减少杂散输入输出耦合。将输入电阻器减小到 < 10 k Ω 会降低反馈信号电平，最后，即使添加少量（1.0 至 10 mV）正反馈（滞后）也会导致如此快速的转换，以至于不可能因杂散反馈而产生振荡。简单地将 IC 插入插座并将电阻器连接到引脚将在小的转换间隔内引起输入输出振荡，除非使用滞后。如果输入信号是脉冲波形，具有相对较快的上升和下降时间，则不需要滞后。
通货膨胀和失业对经济增长的影响
本研究的主要目的是调查通货膨胀和失业对塞拉利昂经济增长的影响。使用季度时间序列数据，本研究采用自回归分布滞后 (ARDL) 模型进行估计和结果分析。通过 ARDL 边界协整检验，本研究确定了模型中存在长期关系，并据此估计了长期和短期 ARDL 模型。从长期结果来看，通货膨胀 (Inf) 和失业 (Unem) 对塞拉利昂经济增长的影响显著为负。)。对于短期，使用滞后结构为 (2, 2, 0, 1, 2) 的 ARDL。在这个模型中，ECT 强化了长期的存在，因为它被发现为负的且具有统计意义。与 Unem 不同，经济增长的第一滞后（RGDP (-1)）、Inf 和 Inf (-1) 在短期内对塞拉利昂的经济增长产生影响。根据研究结果，它建议货币当局必须推行可靠的通胀目标政策，同时政府应创造机会，让民众的技能和能力得到充分提升。
S 波段脉冲射频操作期间功率 GaN-HEMT 的可靠性和故障分析
本文报告了两项 AlGaN / GaN 高电子迁移率晶体管 (AlGaN / GaN HEMT) 技术（器件“A”和器件“B”）的可靠性研究。对雷达应用的实际工作条件下承受应力的器件进行了故障分析研究。这些器件经过脉冲射频长期老化测试，11000 小时后射频和直流性能下降（漏极电流和射频输出功率下降、夹断偏移、跨导最大值下降、跨导横向平移以及栅极滞后和漏极滞后增加）。热电子效应被认为是钝化层或 GaN 层中观察到的退化和捕获现象的根源。光子发射显微镜 (PEM)、光束诱导电阻变化 (OBIRCH)、电子束诱导电流 (EBIC) 测量与这一假设一致。这三种技术揭示了沿栅极指状物的非均匀响应和不均匀分布，此外，在漏极侧或源极侧的栅极边缘上存在一些局部斑点。对这些斑点进行光谱 PEM 分析可识别出可能与位错或杂质等晶体缺陷有关的原生缺陷。对 AlGaN / GaN HEMT 的两种技术进行的原子探针断层扫描 (APT) 分析支持了这一假设。APT 结果显示存在一些化学杂质，如碳和氧。这些杂质在器件“A”中的浓度相对较高，这可以解释与器件“B”相比，该器件的栅极滞后和漏极滞后水平较高。
