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同步发电机 2 极和 4 极 - Jeumont Electric
对于所有 OEM 的设备，JEUMONT Electric 为其功率范围及以上的中高压发电机提供广泛的服务，最高可达 1600MVA。该公司可以在 Jeumont 工厂或全球现场调动 60 多名经验丰富的工程师和技术人员（研发、设计、装配、绕线、调试）。他们的设计和干预能力以及制造和测试手段使他们能够涵盖专门针对此类机器的全方位服务：• 测试和评估 • 纠正或程序化维护 • 维修、改造、更换、逆向工程。• 机器和网络工程（稳定性、瞬态、保护、
APN244 24 – 28 GHz GaN 功率放大器
i. 施加负栅极电压 (-8 V) 以确保所有器件均已关闭 ii. 将漏极偏压升高至约 10 V iii. 逐渐增加栅极偏压电压，同时监测漏极电流，直到达到工作电流的 20% iv. 将漏极升高至工作偏压 v. 逐渐增加栅极偏压电压，同时监测漏极电流，直到达到工作电流 e. 要安全地对 GaN 器件进行去偏压，请先对输出放大器级进行去偏压（如果适用）：
第一大地下储罐泄漏检测服务 - Super Visual Formade Print
联系方式：〒158-0098 东京都世田谷区上与贺1-20-1 日本陆上自卫队关东补给站与贺支部总务部会计科合同组负责人：Obitsu 电话：03-3429-5241（分机 373）传真：03-3429-5245
Karbalaei, M.、Dideban, D. 和 Heidari, H. (2020) 高 K 绝缘体和源极堆栈对双栅极隧道 FET 性能的影响：模拟
在本文中，我们研究了在漏极侧加入 HfO 2 作为电介质并在源极侧加入硅堆栈对双栅极隧道 FET（DG-TFET）电气性能的影响。为此，我们将传统 TFET 结构与其他四种结构进行了比较，这四种结构的栅极电介质材料要么是同质的，要么是异质的，而漏极侧的绝缘体要么是 SiO 2 要么是 HfO 2 。此外，还提出了一种具有硅源堆栈的结构，并将器件的性能系数与其他对应结构进行了比较。我们的模拟结果表明，漏极侧存在 HfO 2 绝缘体会降低双极传导，而异质栅极电介质则会增强驱动电流和跨导。但是，与传统 TFET 相比，HfO 2 会略微降低源极-栅极和漏极-栅极电容。此外，在所研究的 50 nm 沟道长度 TFET 中，硅源极堆栈与异质栅极电介质和漏极侧的 HfO 2 绝缘体的结合，可实现更高的 I ON /I OFF 比、更低的亚阈值斜率 (S) 和更低的双极传导。
Ψ-MOSFET 的制造和特性
近年来，微电子技术发生了巨大的变化，现代 CMOS 技术使集成电路的性能和复杂性稳步提高。图 1(a) 显示了传统 n 型体硅 MOSFET 的示意图，它由 p 型衬底内重度 n 型掺杂的源极和漏极区组成。此外，MOSFET 的栅极电极长度为 L，宽度为 W，栅极电极通过厚度为 d ox 的绝缘体（通常为 SiO 2 ）与体硅衬底绝缘。源极-通道和通道-漏极界面处的两个 pn 结（见图 1(b)）可防止电流从源极流向漏极。施加正栅极电压 V gs > V th ，会在通道/栅极氧化物界面处创建反型层（p 型衬底中的电子）。在这种情况下，如果施加额外的漏极-源极偏压 V ds，电流就可以流过该器件。
氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
Figure 12.1540-MeV 209Bi ion irradiation 1.7 × 10 11 ions/cm 2 TEM images of AlGaN/GaN HEMT devices: (a) Gate region cross-section; (b) The orbital image of the heterojunction region shown in Figure (a); (c) The image shown in Figure (a) has a depth of approximately 500 nm; (d) Traces formed at the drain; (e) As shown in Figure (d), the trajectory appears at a depth of ap- proximately 500 nm [48] 图 12.1540-MeV 209Bi 离子辐照 1.7 × 10 11 ions/cm 2 的 AlGaN/GaN HEMT 器件的 TEM 图像： (a) 栅极区域截面； (b) 图 (a) 所示异质结区域轨道图 像； (c) 图 (a) 所示深度约 500 nm 图像； (d) 在漏极形成的痕迹； (e) 如图 (d) 所示，轨迹出现在深度约 500 nm 处 [48]
LAB03：MOSFET 实验室 - andrew.cmu.ed
开发微电子电路时，一个常见的设计范例是“标准单元”的概念。由于 PMOS 和 NMOS 晶体管在集成电路上的制造方式，微电子电路设计人员将每种晶体管类型放在自己的行中会很有帮助。由于 PMOS 晶体管的源极通常连接到正电源轨或另一个 PMOS 晶体管的漏极，因此将所有 PMOS 放在顶行很有帮助（见图 2）。相反，NMOS 晶体管的源极几乎总是连接到另一个 NMOS 的漏极或接地。这就是为什么 NMOS 晶体管总是在底部的原因。
ChAdOx1 nCOV-19 后的全身毛细血管漏综合征...
一名 66 岁男性因 1 天全身不适、恶心、腹痛和头晕到急诊室就诊。就诊时患者体温 36.5 °C、血压 112/78 mm Hg、心率 112 次/分钟、血氧饱和度 96%（室内空气），呼吸频率正常。患者自诉无过敏，无药物或酒精滥用，目前未使用任何药物或非处方产品。两天前，他接种了第一剂 ChAdOx1 nCOV-19（牛津-阿斯利康）疫苗。患者病史包括意义不明的单克隆丙种球蛋白病（免疫球蛋白 G [IgG] κ ）和 2017 年的心脏骤停。当时，他出现全身无力和晕厥发作。由于他的血红蛋白水平升高（210 [正常 130-180] g/L），怀疑是红细胞增多症，并进行了放血疗法。不久之后，患者出现低血压，并进入无脉性电活动停止状态。他被成功复苏，恢复正常，五周后出院回家。他的甲型流感检测结果为阳性，休克归因于病毒感染。本次就诊时，患者的血红蛋白水平显著升高至 224 g/L。他有低白蛋白血症（28 [正常 34-55] g/L）和肌酐水平升高（133 [正常 62-115] μ mol/L）。凝血参数、心脏和肝酶、C 反应蛋白和降钙素原均正常。SARS-CoV-2 和扩展呼吸道病毒检测结果均为阴性。胸部 X 光检查、腹部计算机断层扫描、心电图和创伤超声心动图重点评估均未发现异常（表 1 和表 2）。尽管感染的可能性不大，但我们还是开始静脉输液，并采用哌拉西林 - 他唑巴坦进行经验性治疗。12 小时后，患者已接受超过 6 L 的液体，但血压已降至 93/60 mm Hg，心率为 125 次/分钟，红细胞增多症持续存在（血红蛋白 223 g/L）。我们将患者送入重症监护病房 (ICU)。由于没有其他导致休克的原因，我们诊断为全身毛细血管渗漏综合征 (SCLS)。